摘要：本发明提供了一种电子结构密度矩阵预测方法、系统、电子设备和存储介质，所述方法包括以下步骤：构建第一等变图神经网络和第二等变图神经网络；对所述第一等变图神经网络的输出进行修正，使其输出满足厄米性和粒子数守恒；第一训练阶段，以原子结构信息为输入，训练第一等变图神经网络生成满足幂等性的初始密度矩阵；第二训练阶段，冻结第一等变图神经网络参数，训练第二等变图神经网络生成反对称矩阵，并通过指数参数化方法构造最终的密度矩阵，其中为重叠矩阵；使用训练完成的第一等变图神经网络和第二等变图神经网络，基于输入的原子结构信息输出目标系统的基态密度矩阵。

摘要：本发明公开了一种异质结器件模型的构建方法，包括：选取碱金属M与硫族元素X构建反过渡金属硫族化物M₂X，碱金属M与硫族化合物X形成M‑X‑M三明治结构，再进行结构优化；选取步骤(1)优化后的M₂X结构，计算电子结构、电子迁移率、光吸收系数、价带顶与导带底的能级位置；选取M′X′₂，M′选自主族元素或过渡金属，X′选自主族元素，形成X′‑M′‑X′三明治结构，进行结构优化，并计算价带顶与导带低的能级位置与能隙；将M₂X与M′X′₂进行扩胞堆叠形成异质结器件模型。通过本发明提供的构建方法构建的异质结器件模型具有良好的光电子、空穴分离能力，为开发和制备高迁移率的电子器件与光电器件提供了研究方向。

摘要：本发明提供一种控制低维磁性的铁电异质结，包括两层二维材料：In2Se3铁电基底材料和磁性材料石墨烷。本发明还提供一种控制低维磁性的铁电异质结构建模型的方法，包括以下步骤：一、选取石墨烷和In2Se3单胞，分别对其进行结构优化。二、选取步骤一结构优化之后的石墨烷的晶格，将其置于In2Se3两侧，分别进行结构优化，并计算其电子性质。本发明提供了一种通过第一性原理计算的方法来实现磁性能的非易失性调控。In2Se3由于中间Se原子层处于不等价的环境中，通过移动Se原子层可以实现极化翻转的目的。通过本发明提出的异质结，当基底处于极化向上时，为无磁，当基底处于极化向下时，保持铁磁的状态，从而通过控制In2Se3极化方向实现磁性调控的目的。

摘要：本发明公开了一种高电压P2型层状正极材料，包括P2型晶相，化学通式为Nan‑δLaδ[Mn0.66Li0.12Ni0.22]O2，0<δ≤0.04，0.5≤n≤0.85。本发明公开的p2型层状正极材料以na2/3ni1/3mn2/3o2为基准材料，通过na侧稀土la元素、过渡金属侧li的协同掺杂作用，抑制其在充放电过程中的有害相变，缓冲晶格应力，提高材料在空气中的稳定性；并进一步发现稀土la掺杂还可生成钙钛矿第二相，进一步缓冲充放电过程中的晶格应力，从而达到容量、倍率性能、循环寿命的优化平衡，尤其在高的充电截止电压下，具有良好的循环寿命，其循环寿命甚至高于低充电截止电压下的循环寿命。 3ni1 3mn2>

摘要：本发明公开了一种基于滑动窗滤波的单体锂离子电池SOC估计方法。新算法中的电池模型由2个RC并联电路、1个串联电阻和1个非线性电压源组成，电池内部动态工作状态由电池端电压、RC并联电路和电池SOC进行模拟。本发明基于电化学-电路等效的锂离子电池组合模型，该模型较好的描述了电池OCV和SOC的非线性函数关系，并利用SMO算法解决模型的非线性问题。同时，本发明创新性的提出将SMO算法与Kalman滤波算法相结合，解决锂离子电池模型不确定性问题，保证电池模型的精确性和电池控制系统的可靠性。最后，本发明提出电池模型参数在线辨识方法，为锂离子电池SOC在线精确估计提供必要的参数值。

摘要：一种电池容量损失在线估算方法，至少包括如下步骤：根据电池的电化学特征建立电化学模型，并根据所述电化学模型建立电池二阶电路模型，所述电池二阶电路模型的模型参数中包括电池的欧姆内阻和极化内阻；根据所述电池二阶电路模型，确定所述电池二阶电路模型的输出方程及估算欧姆内阻R₀的观测方程；对所述电池二阶电路模型中的模型参数进行辨识；确定关于欧姆内阻的状态量及状态方程，并利用抗差无迹卡尔曼滤波(UKF)算法对所述欧姆内阻的状态量进行迭代，以获得实时欧姆内阻估算值；及根据电池老化实验建立所述电池的循环次数N与所述欧姆内阻R₀的关系方程，并建立通过循环次数N来估算电池健康状况(SOH)的计算方程。

摘要：本发明提供了一种晶体管，该晶体管包括Si衬底、沟道层、源极和漏极、覆盖于沟道层上面的绝缘层、以及位于绝缘层上的栅极；其中沟道层为具有半导体导电特性的单原子层SnO,源漏极为具有金属导电特性的双原子层SnO。本发明还提供了一种通过计算和模拟构建晶体管的模型的方法。本发明提供的该晶体管由于沟道层和源漏极采用单一二维材料SnO，改善了沟道层与源漏极侧壁的欧姆接触，大大降低了两者的接触电阻，提高了晶体管的散热性；通过模拟测试，证明晶体管具有高的电子迁移率。

摘要：本发明公开了一种二维负载型纳米镁氢化物储氢材料的制备方法，包括以下步骤：(1)以含镁金属有机化合物和石墨烯为原料，在氩气保护下，在室温和氢气气氛下进行球磨，含镁金属有机化合物氢化，得到反应产物为石墨烯负载镁氢化物的悬浊液；(2)将步骤(1)得到的反应产物进行抽滤并干燥，得到二维负载型纳米镁氢化物储氢材料。本发明提供的制备方法具有降低成本、简化合成方法、工艺流程简单、生产效率高、能耗低、流程安全性高且产量较大的优点。并且本发明制备的二维负载型纳米镁氢化物具有高的储氢容量及优秀的循环稳定性能，在氢的储存与运输以及燃料电池等方面具有很大的潜力，是一种很有应用前景的储氢材料。

摘要：本发明提供了一种新型的二维反铁电磁性隧道结：AFMTJ，这种超薄的AFMTJ由两个磁性vdW电极FGT、和一个夹在两个磁性vdW电极FGT之间的单层CIPS组成。本发明还提供一种模拟构建所述二维反铁电磁性隧道结的方法，通过将FGT和CIPS在（001）方向进行切面，获得单层结构的FGT和CIPS，将单层FGT和单层CIPS进行扩胞堆叠形成二维反铁电磁性隧道结。该隧道结可以通过改变CIPS的极化，进而调控隧穿装置的性能，在非易失性存储方面具有很大的应用潜力。

摘要：本发明公开了一种新型二维铁电负载单原子Ag的电催化剂Ag@CIPS。通过将过渡族金属Ag负载在室温下可维持铁电极化的二维铁电材料CuIn2P2S6的表面上，制备了催化活性可随衬底极化调控的单原子催化剂Ag@CIPS。由于铁电衬底自发极化对Ag原子外层电子结构的调控，原来不具备催化活性的Ag原子在衬底的调控下表现出良好的HER活性。单层CIPS表面负载Ag后，其催化HER过程的过电位大幅下降。且随着衬底层数的增加，衬底的极化强度随之增强，表现出优异的HER性能。并且单原子Ag颗粒修饰CIPS材料后，使得其电催化析氢反应的过电位和塔菲尔斜率下降，提高了催化活性。