摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：具有沟道区的衬底，所述衬底包括硅衬底和位于所述硅衬底上的硅锗层；位于所述沟道区之上的栅极结构，所述栅极结构包括栅介电层和栅电极；形成于所述栅极结构两侧的侧墙；形成于衬底中，位于所述沟道区两侧的源/漏区，所述源/漏区包括轻掺杂源/漏区和重掺杂源/漏区；所述硅锗层内，从与所述硅衬底相邻的面到与所述栅极结构相邻的面间，其锗的组分百分比从高到低依次递减。本发明的半导体器件相较于现有技术的半导体器件可更好的抑制热载流子注入效应，提高半导体器件的性能。

摘要：本发明提供高精度电阻的制造方法，包括步骤：提供基底，所述基底包括多个第一金属插塞和所述第一金属插塞间的第一金属间电介质；在所述基底上形成第一金属层，并刻蚀所述第一金属层以形成多个第一金属导线，所述第一金属导线分别连接所述第一金属插塞；沉积第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层上形成氮化钛(TiN)层，并对所述氮化钛层进行光刻刻蚀工艺，形成高精度电阻；沉积第二金属间电介质层，并对所述第二金属间电介质层进行化学机械研磨。所述制造方法能制造10ohm/sq到50ohm/sq的电阻，精度范围在+/-10％之内，并且和标准的CMOS工艺完全兼容。

摘要：一种SiGe异质结双极型器件包括：半导体衬底；N区与P阱区，间隔形成在所述半导体衬底上端表层内，所述P阱区上端进行p型离子重掺杂；集电区，所述集电区通过n型离子重掺杂形成在所述N区两端；浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离间隔形成在所述半导体衬底内，并介于集电区与P阱区之间；SiGe层，形成在N区上表面；发射区，形成在所述SiGe层表面。本发明通过在半导体衬底的上端表层间隔形成N区和P阱区，并在所述N区两端进行n型离子重掺杂以形成集电区，使得电子进行横向扩散，缩短电子传输路径，进而减小集电极电阻，并提高击穿电压。同时，所述SiGe异质结双极型器件在制造工艺上减少了高能量离子注入，优化生产工艺，提高器件制备效率。

摘要：一种垂直PNP制备方法，采用已制备完成的NMOS晶体管的多晶硅栅极进行自对准的离子注入形成PNP晶体管的基区和发射极，该方法进一步保证了垂直PNP特征尺寸的精确程度，并降低了图形化基区注入区域的工艺复杂程度。此外，位于基区大致正下方、并与其相邻接触的第二集电极区域的引入，可以根据应用需求实现对垂直PNP击穿电压的有效调节，进一步的保证了垂直PNP的器件性能。

摘要：本发明涉及一种金属栅堆叠结构的制作方法，在所述半导体衬底上形成虚设栅堆叠结构，所述虚设栅堆叠结构由底层向上依次包括高介电常数材料层、氮化钛层、氮化硅层以及多晶硅层；进行高温退火工艺后刻蚀去除所述虚设栅堆叠结构的多晶硅层和氮化硅层；在所述半导体衬底及虚设栅堆叠结构上依次覆盖功函数金属层和金属栅层。相比于现有技术，本发明在制作金属栅堆叠结构的过程中，在所述氮化钛层和多晶硅层之间形成所述氮化硅层，有效阻隔氮化钛层和多晶硅层，避免氮化钛层和多晶硅层发生反应，避免减小氮化钛层和高介电常数材料层的厚度，进而保持后续形成的金属栅堆叠结构的功函数不发生改变，提高金属栅堆叠结构的整体性能。

摘要：本发明提供了一种NPN异质结双极晶体管及其制造方法，由应力硅锗作为基极区，并只在集电极引出端与基极引出端之间形成浅沟槽隔离，与现有技术相比减少了形成P阱的P型离子注入和形成深N阱的N型离子注入，且由于应力硅锗可增加NPN晶体管的性能，并可与现有CMOS工艺相匹配，因此，在减少工艺流程步骤，节约成本的同时，提高了异质结双极晶体管的器件性能。

摘要：本发明提供一种LDMOS晶体管及其制造方法，通过在漏极漂移区中形成与源漏极反型的漏极调谐区，使得LDMOS晶体管具有类似于JFET晶体管的结构，漏极调谐区使得LDMOS晶体管的漂移区变窄，从而提高击穿电压，有利于具有更高击穿电压及更小面积的器件芯片的制造；本发明的LDMOS晶体管制造方法不需要额外的掩模板，在重掺杂形成源漏极区的同时就可以形成漏极调谐区，可以与现有的CMOS的制造工艺完全兼容，同时从漏极调谐区引出控制极可以使得LDMOS晶体管具有可调谐性。

摘要：一种MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成MOS晶体管；在所述MOS晶体管的栅电极上施加第一电压，在所述MOS晶体管的源极施加第二电压，第一电压不断增大，第二电压保持不变，测量获得不同的第一电压值下对应的至少10个源漏电流值；通过第二电压和至少10个源漏电流值，计算获得不同的第一电压下对应的至少10个MOS晶体管源漏电阻，所述MOS晶体管源漏电阻包括沟道区电阻和外部寄生电阻；通过对不同的第一电压值和对应的至少10个MOS晶体管源漏电阻进行5次方曲线拟合，获得MOS晶体管的外部寄生电阻。本发明的方法，测量过程简单方便。

摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法提供栅结构侧方形成有Sigma形凹陷的衬底，在Sigma形凹陷的内表面外延生长有种子硅锗层，在种子硅锗层内外延生长有掺杂硼的硅锗体；对Sigma形凹陷内的种子硅锗层和硅锗体进行反向刻蚀以形成衬底表面下的凹陷；在衬底表面下的凹陷内进行掺杂硼的硅锗外延生长生成掺杂硼的硅锗再生层，而硅锗再生层中硼的含量大于种子硅锗层中硼的含量。由于Sigma形凹陷靠近衬底表面形成掺杂硼的硅锗外延层中硼的含量可以比较高，从而减小了外部电阻，提高了半导体器件的性能。

摘要：本发明公开了一种淀粉咖啡，所述淀粉咖啡由淀粉块和咖啡豆混合磨粉制成，按重量百分比计，所述淀粉的含量为15‑85％。本发明还公开了一种淀粉咖啡的制作方法。本发明将淀粉与咖啡组合起来食用，所制得的食品兼备淀粉和咖啡的双重食疗功效，其中淀粉为人体提供能量，所含的咖啡具有提神、消除疲劳的作用，同时，咖啡的香味和淀粉的风味很好地融合在一起，所制得的淀粉咖啡集咖啡的浓郁香味及淀粉的清香于一体，有粉类特有的爽滑口感，香味淳厚、甘香浓郁，食用后对胃部刺激更为温和，且具有良好的补水及抗饥饿效果，可作为简餐供消费者食用，更大地满足了消费者的需求。