摘要：本发明公开了一种电极试片、感测试片及具有校正血容比的感测系统。该电极试片包含一基板、一电极层、一绝缘层以及一上盖。该电极层设置于该基板上，该电极层包含一第一电极组及一第二电极组。该绝缘层包含一凹槽、一第一凸部及一第二凸部，其中该第一凸部及该第二凸部使该凹槽分为一第一反应区及一第二反应区。该上盖包含一通气孔并设置于该绝缘层上，其中该通气孔连通该凹槽。本发明工艺简易、成本低廉，还能有效避免两个反应区内的检体相互污染。

摘要：本发明涉及空调系统运行优化技术领域，公开了一种用于提升空调系统模型预测控制性能的方法，包括训练数据的质量提升环节、预测模型的超参数优化环节、预测模型比较环节、优化算法比较环节、权衡分析环节、干扰变量预测环节、最佳组合应用环节，通过提升预测模型性能及其与优化算法的匹配性来强化空调系统的模型预测控制(MPC)性能。预测模型性能提升方法包括训练数据质量的提高和预测模型超参数的优化；通过预测模型与优化算法的不同组合应用，获得各组合的性能，基于预测精度、优化精度、优化速度的权衡，给出预测模型与优化算法的最佳组合，以提升MPC的性能。

摘要：本发明涉及制冷工程技术领域，公开了一种转轮除湿装置、系统、热源冷源再生和送风方法，包括一级蒸发器、除湿转轮、辅助空气加热器、冷凝器、显热换热器、二级蒸发器、一级蒸发器，利用热泵技术，将处理空气余热及除湿过程所产生的吸附热加以回收，用于转轮除湿的再生驱动，还增添了热回收装置及对低湿的室内排风进行回收的两种节能措施来减小系统能耗，通过系统送风方式的合理设计，实现了系统的冬夏两用及保证了冬季使用过程中室内空气品质。

摘要：本发明涉及一种低能耗船舶余热驱动温湿分控空调系统，包括第一管路、第二管路、除湿转轮、供热系统、再生风机、供冷系统、处理风机，所述供热系统包括排烟管道、废热回收器，所述供冷系统包括辅热冷凝器，所述废热回收器用于将所述排烟管道的热能传递到所述第一管路中。还提供一种低能耗船舶余热驱动温湿分控空调系统的运行控制方法。通过废热回收器和辅热冷凝器对空气进行加热进而供除湿转轮使用，即利用船上的余热作为除湿转轮的除湿驱动源，避免额外设置热源造成耗能过高的情况，也降低空调系统的制造和使用成本，降低空调系统的使用能耗。通过温控管道和温控阀门的设置，进而可以精准控制空气升温温度，进而保证空气绝对湿度的精准控制。

摘要：本发明涉及转轮除湿空调系统技术领域，提供一种太阳能光伏光热转轮除湿空调系统及控制方法，系统通过将光伏光热与转轮除湿空调相结合，用太阳能的光热来加热水管路，对转轮除湿系统中的室内排风进行间接加热，使其回到转轮除湿装置中后能以高温对饱和的吸附剂进行加热，使吸附剂实现脱附再生；而水管路中水被室内排风降温后流回光伏光热装置中进行冷却，提高了光伏发电效率。此外，光伏光热装置发出的电能则提供给转轮除湿空调系统的各耗电设备使用。本系统不仅降低了转轮除湿所需的再生加热能耗，还提高了光伏发电效率，为实现空调系统的零能耗运行提供关键技术保障。

摘要：本发明公开了一种纳米流体微通道光伏‑太阳能热泵系统，其包括，由太阳能热泵子系统和太阳能光伏发电子系统以及二者共用组件蒸发器，其中：太阳能热泵子系统包括蒸发器、压缩机、储水箱、冷凝盘管、节流阀及其连接管道；太阳能光伏发电子系统包括蒸发器、控制器、蓄电池及其连接线路；与现有技术相比，微通道的引入使得纳米流体的吸热与热泵的蒸发冷却有机结合，使纳米流体在流道内形成自然对流，无需额外增设动力循环系统；微通道直接浸入纳米流体中，置于PV层压上方，可精简NF‑PV/T蒸发器的结构及传热热阻，同时微通道尺寸很小，可保证低遮挡；蒸发器内微通道的尺寸与封闭纳米流体流道的厚度匹配，可保证流道内的换热效果。

摘要：本发明公开了一种纳米流体微通道光伏光热一体化蒸发器/集热器，其主要由玻璃盖板、纳米流体及其流道、微通道、光伏电池、保温材料层、边框所组成。本发明将微通道与基于光谱分频的纳米流体‑PV/T集热器结合；将微通道浸入纳米流体中，置于两块光伏电池正中间，可精简集热器的传热热阻及结构，并保证低遮挡。微通道与纳米流体流道尺寸匹配，传热速率高并具有较大的比表面积，无论自然循环还是强迫循环下都可保证流道内的换热效果。同时可根据应用需求，能同时作为集热器(微通道内为单相工质)及蒸发器(微通道内为两相工质)使用。

摘要：本发明提供一种具有屏蔽环结构的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法。所述垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件为垂直沟槽型肖特基势垒二极管(TMBS)或垂直沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管(T‑MOSFET)；在垂直沟槽型肖特基势垒二极管(TMBS)或垂直沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管(T‑MOSFET)的N型氮化镓漂移层上设置有沟槽，在沟槽底面和二氧化硅层之间设置有P型氮化镓区域，形成屏蔽环结构。本发明屏蔽环结构的设置可以有效地解决传统III族氮化物垂直结构功率器件的局部电场聚集问题，从而改善器件的反向阻断性能以及反向击穿电压；本发明方法适用于III族氮化物体系，工艺相对简单。

摘要：本发明提供一种具有壳核结构的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法。本发明器件包括：N型氮化镓衬底层；N型氮化镓漂移层，位于N型氮化镓衬底层上方的；N型氮化镓漂移层上设置有沟槽；沟槽底面和侧壁设置有N型氮化镓环，N型氮化镓环上方设置有P型氮化镓区，N型氮化镓环和P型氮化镓区形成壳核结构；氧化层，P型氮化镓区外表面、N型氮化镓环暴露面、沟槽内壁暴露面设置有氧化层；金属电极层。本发明的结构设计能从本质上解决异质结附近电场聚集的问题从而提升器件的反向耐压能力，同时器件的正向导通电阻没有明显衰退现象，进一步展现了垂直型功率器件在高频、高功率器件领域实现商业化应用的巨大前景。

摘要：本发明提供一种具有垂直保护环结构的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件结构及其制备方法。本发明在器件沟槽底部较薄区域内嵌入垂直保护环结构来缓解器件沟槽底部所存在的局部电场聚集效应，从而避免器件发生提前击穿；本发明适用于缓解垂直型沟槽MOS肖特基势垒二极管或垂直型沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管的沟槽底部电场聚集问题，能有效避免器件氧化层在较高反向偏压下发生永久性击穿的问题，同时器件的正向导通电阻没有明显衰退现象，进一步展现了垂直型功率器件在高频、高功率器件领域实现商业化应用的巨大前景。