Patent9 专利在线
高级搜索 ▼
申请号或专利号
公开号
专利名称
专利摘要
申请人
发明人
全部专利
发明专利
实用新型专利
外观设计专利
高级搜索 - 多字段组合检索
+ 增加条件
查询语句:
(请输入搜索条件)
普通搜索
当前查询到
25858
条专利与查询词 "
陈晓宏
"相关,搜索用时0.5000339秒!
排序方式:
按相关度排序
按申请日升序↑
按申请日降序↓
按公开日升序↑
按公开日降序↓
发明专利:
15517
实用新型:
9770
外观设计:
571
共
15517
条,当前第
1-10
条
下一页
最后一页
返回搜索页
1:
[发明]
环保环卫清扫装置
申请号:
201710897029.8
公开号:CN107503314A 主分类号:E01H1/05(2006.01)I
申请人:
陈宏
申请日:2017.09.28 公开日:2017.12.22
发明人:
陈宏
;
陈晓雨
摘要:本发明公开了一种环保环卫清扫装置,包括固定支架,所述固定支架底部通过连接杆与车轮连接,所述固定支架一侧上设置有推车手柄,所述固定支架的滑槽内部通过滑块与连接架连接,所述滑块与调节杆连接,所述连接架上通过驱动电机与清扫盘连接,所述固定支架一侧上设置有水箱,所述水箱与冲洗泵连接,所述冲洗泵与设置在连接架上的冲洗喷头连接。本发明结构简单,设计合理,环卫人员控制设备移动,通过清扫盘将地面的垃圾排入到设备内部,在清扫过程中冲洗喷头对地面进行降尘,操作方便,效率高,清理效果好。
详细信息
下载全文
2:
[发明]
高压MOS器件及其工艺实现方法
申请号:
200510028404.2
公开号:CN1909242 主分类号:H01L29/78(2006.01)I
申请人:
上海华虹NEC电子有限公司
申请日:2005.08.03 公开日:2007.02.07
发明人:
陈晓波
;
伍 宏
摘要:本发明公开了一种高压MOS器件及其工艺实现方法,在原有器件的源漏两端靠近沟道的位置加入埋入式氧化硅隔离层,并通过化学机械平面化(CMP)工艺形成拥有埋入式氧化硅隔离层的硅基板。本发明可以防止MOS器件源漏穿通,提高器件的击穿电压。
详细信息
下载全文
3:
[发明]
一种缓解MOS晶体管反窄沟道效应的方法
申请号:
200510111282.3
公开号:CN1979781 主分类号:H01L21/336(2006.01)I
申请人:
上海华虹NEC电子有限公司
申请日:2005.12.08 公开日:2007.06.13
发明人:
伍 宏
;
陈晓波
摘要:本发明公开了一种缓解MOS晶体管反窄沟道效应的方法,在常规工艺基础上修改源漏离子注入光刻板版图以避免源漏掺杂离子注入MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分:首先确定源漏掺杂离子注入区边缘到MOS晶体管硅区域与浅沟道隔离区域的交界处的宽度(a),然后修改相应的光刻板版图,最后制作光刻板并进行流片。本发明可提高MOS晶体管的阈值电压(Vt)。
详细信息
下载全文
4:
[发明]
一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法
申请号:
200510111283.8
公开号:CN1979782 主分类号:H01L21/336(2006.01)I
申请人:
上海华虹NEC电子有限公司
申请日:2005.12.08 公开日:2007.06.13
发明人:
伍 宏
;
陈晓波
摘要:本发明公开了一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法,在对整个MOS场效应管区域进行阈值电压离子注入的基础上,增加一次阈值电压调节离子注入步骤:首先确定增加一次阈值电压调节离子注入注入区域,即MOS场效应管宽度(W)方向的两端靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分(a);然后制作用于增加一次阈值电压调节离子注入步骤的光刻板;最后进行流片,即在原有阈值电压调节离子注入步骤后,进行所述的增加一次阈值电压调节离子注入以及其前后的光刻和去胶。本发明方法可有效改善MOS场效应管的反窄沟道效应。
详细信息
下载全文
5:
[发明]
一种缓解MOS场效应管反窄沟道效应的方法
申请号:
200510111300.8
公开号:CN1979784 主分类号:H01L21/336(2006.01)I
申请人:
上海华虹NEC电子有限公司
申请日:2005.12.08 公开日:2007.06.13
发明人:
伍 宏
;
陈晓波
摘要:本发明公开了一种缓解MOS场效应管反窄沟道效应的方法,首先确定中压MOS晶体管的低压阱和阈值电压调节离子注入区域;确定低压MOS晶体管的中压阱和阈值电压调节离子注入区域;然后,修改相应的中压和低压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入光刻板版图,以在低压MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分进行中压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入,并在中压MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分进行低压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入;最后,制作光刻板并进行流片。本发明可以同时有效缓解低压和中压MOS晶体管的反窄沟道效应。
详细信息
下载全文
6:
[发明]
一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法
申请号:
200510111420.8
公开号:CN1983528 主分类号:H01L21/336(2006.01)I
申请人:
上海华虹NEC电子有限公司
申请日:2005.12.13 公开日:2007.06.20
发明人:
伍 宏
;
陈晓波
摘要:本发明公开了一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法,包括如下步骤:首先确定栅氧加厚区域,即将从靠近硅区域与浅沟道隔离区域交界处的硅区域内到硅区域与浅沟道隔离区域交界处定义为栅氧加厚区域(a);然后修改相应的光刻板版图;再进行浅沟道隔离和阱离子注入,再在所述栅氧加厚区域(a)生长一层厚栅氧,再进行光刻并完全刻蚀掉晶体管中间部分的厚栅氧;最后生长栅氧的和淀积多晶硅栅。本发明通过加厚靠近浅沟道隔离区域的栅氧的方法来改善MOS场效应管中由反窄沟道效应引起的阈值电压(Vt)下降的问题。
详细信息
下载全文
7:
[发明]
MOS场效应管及其制作方法
申请号:
200510111431.6
公开号:CN1983630 主分类号:H01L29/78(2006.01)I
申请人:
上海华虹NEC电子有限公司
申请日:2005.12.13 公开日:2007.06.20
发明人:
伍 宏
;
陈晓波
摘要:本发明公开了一种MOS场效应管,该MOS管在其宽度方向的两端靠近浅沟道隔离区域和硅区域交界处的硅区域内的某处到浅沟道隔离区域和硅区域交界处的栅氧的厚度大于MOS管中间区域的栅氧厚度。本发明一种制作MOS场效应管的方法,在双栅氧刻蚀步骤中,只刻蚀掉低压MOS管硅区域中间部分的中压厚栅氧,保留MOS管宽度方向的两端靠近浅沟道隔离区域和硅区域交界处的硅区域内的某处到浅沟道隔离区域和硅区域交界处的中压厚栅氧。本发明通过保留了低压MOS管硅区域边缘部分的中压厚栅氧,提高低压MOS场效应管总晶体管的阈值电压,改善MOS场效应管反窄沟道效应引起的阈值电压下降的问题。
详细信息
下载全文
8:
[发明]
一种MOS场效应管及其制作方法
申请号:
200510111432.0
公开号:CN1983631 主分类号:H01L29/78(2006.01)I
申请人:
上海华虹NEC电子有限公司
申请日:2005.12.13 公开日:2007.06.20
发明人:
伍 宏
;
陈晓波
摘要:本发明公开了一种MOS场效应管,该MOS场效应管多晶硅栅的宽度,从靠近硅区域与浅沟道隔离区域交界处的硅区域内的某处到硅区域与浅沟道隔离区域交界处线性地增加。本发明一种制作MOS场效应管的方法,首先,根据反窄沟道效应的严重程度,MOS场效应管的综合特性,定义该多晶硅栅形状改变的几何参数;其次,根据第一步中确定的几何参数改变版图。本发明在通过线性增加场效应管边缘的多晶硅栅的宽度,等效于增加“寄生晶体管”的沟道长度,降低其漏电流并提高“寄生晶体管阈值电压,从而降低总晶体管的漏电流并提高总晶体管的阈值电压。从而改善MOS场效应管反窄沟道效应引起的阈值电压下降的问题。
详细信息
下载全文
9:
[发明]
低压载波电力线通信的三相电相位检测方法
申请号:
200810201315.7
公开号:CN101726665A 主分类号:G01R25/00(2006.01)I
申请人:
弥亚微电子(上海)有限公司
申请日:2008.10.17 公开日:2010.06.09
发明人:
陈晓雁
;
孙宏
摘要:本发明公开了一种低压载波电力线通信的三相电相位检测的方法。针对发送端参考低压电力线上三相交流电中的一种相位电波形,避开信道特性恶劣的时隙,非连续发送数据的通信机制,本方法包括:接收端将接收到的信号与接收端的本地扩频码字做相关运算;根据相关运算结果与一判决门限的比较结果选取相关峰值;鉴别相关峰值中的有效相关峰值,获得反映接收端数据时隙和空闲时隙相对位置关系的相关值序列;将相关值序列与一表示三种相位交流电波形的指示码分别做相关运算,根据相关值的大小确定发送端所依据的三相电参考相位。本方法可以准确、有效地检测接收信号,检测出应该参考的交流电相位,便于后续对数据的处理和恢复。
详细信息
下载全文
10:
[发明]
智能型家用呼吸机系统
申请号:
201510733215.9
公开号:CN105148371A 主分类号:
申请人:
陈宏
申请日:2015.11.03 公开日:2015.12.16
发明人:
陈宏
;
彭晓云
摘要:本发明公开了一种智能型家用呼吸机系统,它包括了构成家用呼吸机的电源组件、测量控制组件、由无刷电机驱动的涡轮、加湿器、含过滤棉的气路和呼吸面罩,所述测量控制组件包括了气路压力测量电路、气路流量测量电路、气路温度测量电路、涡轮电机驱动电路、加湿器加温电路、外部气体延长管加温电路、常规操作按键电路、单片机控制电路、EEPROM和存储卡,所述测量控制组件还包括一个无线通讯组件。本发明的结构简单、使用稳定性好,功能齐全,适用性好,实用性强。
详细信息
下载全文
共
15517
条,当前第
1-10
条
下一页
最后一页
返回搜索页