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发明专利:
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1:
[发明]
便携插排
申请号:
201310099221.4
公开号:CN103138094A 主分类号:H01R13/46(2006.01)I
申请人:
隋凯
申请日:2013.03.26 公开日:2013.06.05
发明人:
隋凯
摘要:一种便携插排,它包括壳体、金属片和导线,其技术要点是:所述的壳体上设置有“吕”字型通孔,“吕”字型通孔的两个矩形通孔之间有共用壁,在上部的矩形通孔内设置有垂直于共用壁的竖轴、下部的矩形通孔内设置有平行于共用壁的横轴,在竖轴上铰接带接地插孔的长方体,在横轴上铰接带零火线插孔的长方体,该长方体与矩形通孔尺寸配合;在接地插孔和零火线插孔内设置金属片,金属片连接导线。本发明合理利用空间布局,将插孔宽度转换为插排的厚度,避免了插孔深度对插排体积的影响,减小了插排的体积,达到了方便携带的目的。在非使用状态时,旋转定位保证插孔不会发生随意转动,更重要的是插孔不会暴漏,避免了掉入杂物而造成的短路危险。
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2:
[发明]
家用菜盘滤油器
申请号:
201310131929.3
公开号:CN103230195A 主分类号:A47G19/04(2006.01)I
申请人:
隋凯
申请日:2013.04.10 公开日:2013.08.07
发明人:
隋凯
摘要:一种可拆卸、便于清洗的家用菜盘滤油装置,它包括具有一定厚度的滤油装置壳体、储油孔,其特征是:所述的壳体上设置至少一个储油孔,储油孔为贯穿孔,分布在壳体上。向菜盘中盛放菜肴前先将本滤油装置放在盘内的底部,然后盛放菜肴,菜肴中的油汁会因重力作用向下流动,当油汁到达储油孔时由于毛细管原理,油汁将被吸入储油孔内,即使菜盘发生晃动也不会使油汁倾倒出来。由于储油孔是通孔结构,清洗时水流可以顺畅流通,避免了清洗困难的问题。
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3:
[发明]
半导体芯片、晶圆及其制造方法、封装结构及封装方法
申请号:
202211126356.0
公开号:CN117766494A 主分类号:H01L23/488
申请人:
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
;
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2022.09.16 公开日:2024.03.26
发明人:
隋凯
摘要:一种半导体芯片、晶圆及其制造方法、封装结构及封装方法,半导体芯片包括键合面,半导体芯片包括:基底,包括衬底和位于衬底上的电路结构层;介质层,位于基底上,介质层顶面为键合面;键合焊垫,位于介质层中,键合面露出键合焊垫顶面;阻挡层,覆盖键合焊垫的侧壁和底部,阻挡层侧壁与键合焊垫顶角间具有间隙;填充层,填充于间隙中。本发明提高了封装可靠性。
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4:
[发明]
半导体结构的形成方法
申请号:
202211242818.5
公开号:CN117913026A 主分类号:H01L21/768
申请人:
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
;
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2022.10.11 公开日:2024.04.19
发明人:
隋凯
摘要:一种半导体结构的形成方法,包括:提供晶圆,晶圆包括底部衬底及位于底部衬底上的器件层,底部衬底的侧壁相对于器件层的侧壁向外凸出,器件层的顶面为晶圆的键合面;形成覆盖器件层侧壁的导电层;在器件层位于键合面一侧形成沟槽;形成覆盖沟槽底面和侧壁、键合面、导电层侧壁、以及凸出的底部衬底顶面的生长材料层;在生长材料层上电镀焊垫材料层,焊垫材料层填充沟槽并覆盖键合面上的生长材料层;去除高于键合面的生长材料层和焊垫材料层,保留位于沟槽中的焊垫材料层为焊垫。本发明提高了封装可靠性。
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5:
[发明]
晶圆及其制造方法、封装结构及封装方法
申请号:
202211425650.1
公开号:CN118053769A 主分类号:H01L21/60
申请人:
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
;
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2022.11.15 公开日:2024.05.17
发明人:
隋凯
摘要:一种晶圆及其制造方法、封装结构及封装方法,晶圆包括:基底;介质层,位于所述基底上,所述介质层背向所述基底一侧的面为键合面;键合焊盘,位于所述主芯片区的介质层内,且所述键合焊盘的顶面露出于所述键合面,所述键合焊盘用于实现多个晶圆的键合面之间的键合;键合结构,位于所述修边区的介质层内,且所述键合结构露出于所述键合面,所述键合结构用于实现多个晶圆的键合面之间的键合,且所述键合结构之间的键合强度,大于所述键合焊盘之间的键合强度。提高了半导体结构的封装可靠性和产品良率。
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6:
[发明]
封装结构以及封装方法
申请号:
202211426778.X
公开号:CN118053771A 主分类号:H01L21/60
申请人:
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
;
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2022.11.15 公开日:2024.05.17
发明人:
隋凯
摘要:一种封装结构以及封装方法,封装方法包括:提供多个晶圆,包括第一晶圆和第二晶圆;每个晶圆包括基底和位于所述基底上的介质层,所述介质层露出的表面为键合面;所述晶圆包括键合区,所述键合区包括第一区域和环绕所述第一区域的第二区域;所述介质层中形成有电路结构层,所述电路结构层仅位于所述第一区域;实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合面之间的键合,所述第一晶圆位于所述第二晶圆上;在所述第二区域形成贯穿所述第一晶圆和部分厚度第二晶圆的凹槽;在所述凹槽中填充阻挡结构。本发明实施例提高晶圆之间键合的可靠性和封装结构的性能,提升了产品良率。
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7:
[发明]
晶圆及其制造方法、封装结构及封装方法
申请号:
202211426790.0
公开号:CN118053772A 主分类号:H01L21/60
申请人:
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
;
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2022.11.15 公开日:2024.05.17
发明人:
隋凯
摘要:一种晶圆及其制造方法、封装结构及封装方法,晶圆包括键合区,所述键合区包括阵列排布的芯片区和位于芯片区之间的切割道区,所述晶圆包括:基底;介质层,位于所述基底上,所述介质层露出的表面为键合面;凹槽,至少位于所述切割道区靠近所述晶圆边缘的介质层中;保护层,填充于所述凹槽内;所述保护层用于在实现多个晶圆的键合面之间的键合时相对设置并形成烧结体。本发明实施例降低晶圆边缘的膜层结构在工艺制程中发生脱落问题的几率,提升晶圆封装的可靠性和封装良率。
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8:
[发明]
晶圆及其制造方法、封装结构以及封装方法
申请号:
202211428150.3
公开号:CN118053829A 主分类号:H01L23/482
申请人:
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
;
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2022.11.15 公开日:2024.05.17
发明人:
隋凯
摘要:一种晶圆及其制造方法、封装结构以及封装方法,封装方法包括:提供多个本发明实施例提供的晶圆,包括第一晶圆和第二晶圆;将第一晶圆和所述第二晶圆的键合面相对键合;沿晶圆的边缘对第二介质层进行激光照射处理,用于使激光在第二介质层与反光层的界面处发生全反射,从而激光在晶圆的反光层之间的第二介质层中传播,并从晶圆的边缘传输至晶圆内部,相应晶圆之间的键合界面能够吸收激光的能量,尤其是键合垫与第二介质层之间的键合界面吸收激光的能量,进而键合垫与第二介质层之间界面的分子吸收能量后活跃度提高,形成更多且键合力更强的化学键,在键合垫和第二介质层之间形成键合强度更高的界面层,进而提高晶圆之间的键合效果。
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9:
[发明]
晶圆、封装结构以及封装方法
申请号:
202211432421.2
公开号:CN118053830A 主分类号:H01L23/482
申请人:
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
;
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2022.11.15 公开日:2024.05.17
发明人:
隋凯
摘要:一种晶圆、封装结构以及封装方法,晶圆包括键合区,所述键合区包括阵列排布的芯片区和位于芯片区之间的切割道区,所述晶圆包括:基底;介质层,位于所述基底上,所述介质层露出的表面为键合面;键合垫,位于所述介质层内且露出于所述键合面;所述切割道区的所述键合垫用于在实现晶圆之间的键合时,与另一晶圆的切割道区的键合垫相对设置并键合。本发明实施例提高晶圆之间键合的可靠性和封装良率。
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10:
[发明]
一种基于政务云跨平台数据迁移方法
申请号:
202211638774.8
公开号:CN115981782A 主分类号:G06F9/455
申请人:
浪潮云信息技术股份公司
申请日:2022.12.20 公开日:2023.04.18
发明人:
隋凯
摘要:本发明涉及数据迁移技术领域,具体为一种基于政务云跨平台数据迁移方法,包括以下步骤:安装支持Windows虚拟机迁移的软件;创建KVM主机存储域;创建KVM主机网络接口;创建配置文件virt‑v2v.conf;开始迁移VMware ESX上的虚拟机;有益效果为:本发明提出的基于政务云跨平台数据迁移方法进一步优化了虚拟机的迁移过程,增加了跨平台的迁移的安全性、稳定性,提高了迁移效率;解决了政务云平台数据从VMware虚拟化平台迁移到“OpenStack+KVM”平台,重点提升数据迁移的安全性和稳定性,并基于策略提出基于政务云跨平台数据迁移实现方法。
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