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1:
[发明]
一种提高镁合金耐蚀性的复合处理方法
申请号:
200410044176.3
公开号:CN1632168 主分类号:C23C22/06
申请人:
哈尔滨工业大学
申请日:2004.12.28 公开日:2005.06.29
发明人:
田修波
;
韦春贝
;
杨士勤
摘要:一种提高镁合金耐蚀性的复合处理方法,它涉及一种提高镁合金耐蚀性的处理方法,特别涉及一种提高镁合金耐蚀性的等离子体浸没离子注入方法。本发明按照下述步骤进行:首先对镁合金进行化学氧化,将镁合金浸入pH值为4~5的氧化溶液中,在温度为80~90℃的条件下浸泡10~20分钟,获得镁合金氧化膜;然后采用离子注入的方法对镁合金氧化膜表面进行强化,注入参数为:注入电压20~60kV、注入剂量为(1~5)×10
17
ions/cm
2
。本发明具有如下优点:(1)工艺简单,成本低,无污染,易于实现;(2)工作温度低,工件尺寸不发生变化;(3)膜层与基体的粘接性好;(4)膜层致密性好,能提高镁合金表面的耐蚀性。
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2:
[发明]
表面抗菌、耐磨的金属/陶瓷纳米多层膜的制备方法
申请号:
200810063860.4
公开号:CN101220454 主分类号:C23C14/06(2006.01)I
申请人:
哈尔滨工业大学
申请日:2008.01.16 公开日:2008.07.16
发明人:
田修波
;
韦春贝
;
杨士勤
摘要:一种表面抗菌、耐磨的金属/陶瓷纳米多层膜的制备方法,它涉及一种纳米多层膜的制备方法。本发明解决了制备整体抗菌材料成本高、难度高,而表面处理的抗菌材料耐磨性差的问题。本方法如下:采用磁控溅射法,本底真空度为10
-4
~10
-2
Pa;在氩气与氮气、乙炔或甲烷三种气体中的一种的气体流量比为2~17∶1,总气压为0.1~1.0Pa,磁控溅射电流为0.2~50A,电压为300~600V,基体偏压为-50~-400V,沉积温度为80℃~400℃的条件下,对对靶进行溅射。本发明制备的纳米陶瓷/金属多层膜的耐磨性能好,抗菌率在95%以上。本发明没有污染,成本低,易于实现,具有良好的工业应用前景。
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3:
[发明]
一种芴衍生物的转光膜及其制备方法与应用
申请号:
202111093088.2
公开号:CN113831671A 主分类号:C08L33/12
申请人:
桂林理工大学
申请日:2021.09.17 公开日:2021.12.24
发明人:
张啸峰
;
龚永洋
;
罗吉
;
张贝贝
;
蒋自展
;
韦春
摘要:本发明系一种芴衍生物的转光膜及其制备方法与应用,所述转光膜包括以下组分:聚合物材料:90‑99份,光转换剂:1‑10份。其中,所述聚合物材料为市售颗粒状高分子聚合物材料,所述转光剂的结构通式如下:该材料具有良好的室温磷光特性,在312nm紫外灯照射下,显示为绿色磷光,其寿命可达到毫秒级。芴衍生物的转光膜对可见光区透过率达到90%以上,基本不透过中/短波段的紫外光,能够很好地起到保护人体的作用。且制备方法简便,成本低,原料易得,均可在市面上购买,十分适合应用在包括中/短波段紫外光的显示,转光膜,紫外线防护等方面。
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4:
[发明]
缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法
申请号:
200910308258.7
公开号:CN101705468A 主分类号:C23C14/14(2006.01)I
申请人:
哈尔滨工业大学
申请日:2009.10.14 公开日:2010.05.12
发明人:
田修波
;
韦春贝
;
巩春志
;
杨士勤
摘要:缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法,本发明涉及一种抗菌膜的制备方法。本发明解决了现有方法制备的抗菌膜抗菌效果持久性差的问题。本方法如下:一、将基体放入真空室靶台上,然后加热至200℃,再溅射清洗20min;二、在氩气流量为6sccm、氮气流量为2sccm、沉积气压为0.56Pa、基体沉积偏压为复合偏压的条件下转动真空室的靶台,在基体表面交替沉积TiN层和金属层,至膜层总厚度为0.1μm~10μm,得到缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜。本发明所得的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜经过三个月浸泡后离子溶出速度没有下降,并且对大肠杆菌的抗菌率仍能达到97%以上。
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5:
[发明]
一种催渗等离子氮碳共渗与类金刚石复合膜层的制备方法
申请号:
201010187500.2
公开号:CN101871086A 主分类号:C23C8/36(2006.01)I
申请人:
广州有色金属研究院
申请日:2010.05.24 公开日:2010.10.27
发明人:
侯惠君
;
代明江
;
林松盛
;
韦春贝
;
宋进兵
摘要:一种催渗等离子氮碳共渗与类金刚石复合膜层的制备方法。其特征是由以下步骤组成:(1)催渗等离子氮碳共渗:将基材置于离子渗氮炉中,在50Pa以下,通入氮气∶氢气=2∶1~10∶1和含有稀土金属氧化物饱和的C1~3烷基醇溶液蒸汽的混合气体;(2)沉积DLC膜层:采用C2H2或CH4为碳源,气流量50~150sccm,Ar气流量100~150sccm,离子源0.2~2.0kW,偏压50~200V,压力0.2~1.0Pa或采用石墨靶为碳源,Ar压力0.2~1.0Pa,磁控溅射功率0.5~10W/cm2,离子源0.2~1.0kW,偏压50~200V。本发明制备的催渗等离子氮碳共渗与类金刚石复合膜层具有硬度高,与基体硬度差异小,高的膜/基结合力的特点。本发明的方法清洁环保,工艺简单,可以实现大面积工业化生产。
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6:
[发明]
一种催渗等离子氮碳共渗与氮碳化钛复合膜层的制备方法
申请号:
201110063710.5
公开号:CN102168269A 主分类号:C23C28/04(2006.01)I
申请人:
广州有色金属研究院
申请日:2011.03.16 公开日:2011.08.31
发明人:
侯惠君
;
代明江
;
林松盛
;
韦春贝
;
宋进兵
摘要:一种稀土催渗等离子氮碳共渗与氮碳化钛复合膜层的制备方法。其特征是由以下步骤组成:(1)稀土催渗等离子氮碳共渗:将基材置于离子渗氮炉中,在50Pa以下,通入氮气∶氢气=1∶1~10∶1和含有稀土金属氧化物饱和的C1~3烷基醇溶液蒸汽的混合气体;(2)采用等离子化学气相沉积氮碳化钛膜层:用四异丙基钛(Ti[OC3H7]4)为钛源,在等离子体化学气相沉积(简称PCVD)设备上进行沉积Ti(CN)涂层。本发明制备的稀土催渗等离子氮碳共渗与氮碳化钛复合膜层具有硬度高,与基体硬度差异小,高的膜/基结合力的特点。本发明的方法清洁环保,工艺简单,可以实现大面积工业化生产。
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7:
[发明]
光学裸片到数据库检验
申请号:
201680020114.X
公开号:CN107454980A 主分类号:H01L21/66(2006.01)I
申请人:
科磊股份有限公司
申请日:2016.04.01 公开日:2017.12.08
发明人:
K·韦尔斯
;
李晓春
;
高理升
;
罗涛
;
M·胡贝尔
摘要:本发明提供用于检测晶片上的缺陷的方法和系统。一种系统包含经配置以基于用于印刷在所述晶片上的设计的信息产生呈现图像的一或多个计算机子系统。所述呈现图像是由光学检验子系统针对印刷在所述晶片上的所述设计产生的图像的模拟。所述计算机子系统也经配置用于比较所述呈现图像与由所述光学检验子系统产生的所述晶片的光学图像。使用光罩将所述设计印刷在所述晶片上。另外,所述计算机子系统经配置用于基于所述比较的结果检测所述晶片上的缺陷。
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8:
[发明]
一种低应力类金刚石多层薄膜及其制备方法
申请号:
201810721326.1
公开号:CN108754450A 主分类号:C23C16/02(2006.01)I
申请人:
广东省新材料研究所
申请日:2018.07.03 公开日:2018.11.06
发明人:
许伟
;
周克崧
;
林松盛
;
代明江
;
石倩
;
韦春贝
摘要:本发明涉及一种低应力类金刚石多层薄膜及其制备方法,属于硬质薄膜技术领域。低应力类金刚石多层薄膜包括基体、过渡层以及类金刚石薄膜层组。类金刚石薄膜层组包括多层内应力为压应力的第一类金刚石薄膜层及多层内应力为拉应力的第二类金刚石薄膜层,第一类金刚石薄膜层与第二类金刚石薄膜层依次交替设置,类金刚石薄膜层组中最靠近过渡层以及最远离过渡层的一层均为第一类金刚石薄膜层。该低应力类金刚石多层薄膜内应力低、硬度高、膜基结合力高、摩擦学性能优异,可作为表面防护涂层广泛地应用于工模具领域。制备方法包括:于基体的表面沉积过渡层,于过渡层的远离基体的一侧的表面沉积类金刚石薄膜层组。该方简单、工艺可控、成本较低。
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9:
[发明]
一种复合类金刚石薄膜及其制备方法
申请号:
201811612953.8
公开号:CN109609919A 主分类号:C23C14/35(2006.01)I
申请人:
广东省新材料研究所
申请日:2018.12.27 公开日:2019.04.12
发明人:
许伟
;
林松盛
;
周克崧
;
代明江
;
石倩
;
韦春贝
摘要:本发明涉及镀膜领域,公开了一种复合类金刚石薄膜及其制备方法。制备方法包括利用磁控溅射法在基体上沉积金属层,在金属层上沉积金属碳化物层,在金属碳化物层上沉积至少两层复合层。复合层包括金属软层和金属掺杂类金刚石薄膜硬层,同一复合层中的金属软层相对于金属掺杂类金刚石薄膜硬层靠近基体。当复合层为多层时,金属软层与金属掺杂类金刚石薄膜硬层交替沉积,薄膜整体形成微‑纳跨尺度多层类金刚石薄膜,该复合类金刚石薄膜具有膜‑基结合强度高、硬度高、韧性好的特点。并且该方法易于制造出大厚度类金刚石薄膜。本发明实施例提供的复合类金刚石薄膜由上述的复合类金刚石薄膜的制备方法制得。
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10:
[发明]
一种绕线片式电感金属化复合膜及其制备方法
申请号:
201910234098.X
公开号:CN109972105A 主分类号:C23C14/35
申请人:
广东省新材料研究所
申请日:2019.03.26 公开日:2019.07.05
发明人:
李洪
;
林松盛
;
石倩
;
韦春贝
;
唐鹏
;
代明江
摘要:本发明公开了一种绕线片式电感金属化复合膜,由内到外依次包括过渡层,焊接层,保护层,所述过渡层镀在基体上,选自Cr金属膜,膜厚50~150nm;焊接层选择Ni、Ni‑Cu合金或Ni‑V合金层,厚1~3μm;保护层选自Ag或Ag‑Sn合金金属膜,膜厚100~150nm;所述绕线片式电感金属化复合膜采用磁控溅射方法镀膜,焊接质量优、薄膜结合力高,制备过程环保,可实现产业化,解决了现有技术金属化膜层易与基体发生脱落问题。
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