摘要：本发明公开了一种对用户注册/注销请求消息进行处理的方法，在IMS网络中，HSS收到S-CSCF发送的SAR消息后，从SAR消息中携带的Server-Assignment-Type参数获取操作类型，HSS根据自身存储的用户当前注册状态，判断所述操作类型是否合法，如果是，则根据请求的操作类型进行业务处理，否则，拒绝请求的操作。即在HSS按照SAR消息请求的操作类型进行相应的处理过程中，需要检查存储的用户当前注册状态和请求的操作类型是否冲突，如果有冲突，则拒绝本次业务操作，否则，进行相应处理。本发明的目的就是描述用户注册/注销过程中用户的冲突性检查处理机制，保证IMS网络实体间对用户注册/注销处理的一致性和完备性，完善IMS网络中用户注册/注销流程。

摘要：本发明实施例提供一种通过Cx或Sh接口协商数据压缩算法的方法，包括：数据提供网元获取数据请求网元支持的压缩算法；数据提供网元判断自身是否支持所述压缩算法，如果是，则协商成功，所述数据提供网元采用所述压缩算法对所述数据请求网元请求的数据进行压缩。本发明实施例还提供一种通过Cx或Sh接口协商数据压缩算法的装置。本发明实施例通过动态协商方式使得数据交换双方能够根据实际情况选择更智能更恰当的流程，避免数据配置的复杂性，使数据交互机制更加灵活。通过协商的压缩算法对数据进行压缩，减少Cx/Sh接口对带宽资源的占用并提高接口性能，特别是对于经常需要传递大包数据量的存储型的网元。

摘要：一种嵌入式闪存中晶体管的形成方法，包括：提供具有低压栅极结构和存储栅极结构的衬底；形成第一介质层，覆盖衬底、低压栅极结构和存储栅极结构，之后在存储栅极结构周围形成中间侧墙；形成第二介质层，覆盖第一介质层和中间侧墙；干法刻蚀第一介质层和第二介质层，在低压栅极结构周围形成低压侧墙，在存储栅极结构周围形成存储侧墙；低压侧墙包括内侧墙、外侧墙；存储侧墙包括中间侧墙、内侧墙、外侧墙；去除存储栅极结构的外侧墙、中间侧墙和低压栅极结构的外侧墙；进行离子注入，形成低压栅极结构的源极和漏极、存储栅极结构的源极和漏极。既可以增加存储栅极结构之间层间介质填充能力，又可以调节逻辑栅极结构和存储栅极结构的侧墙宽度差。

摘要：本申请提供了一种CMOS图像传感器及其制备方法。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底，内部形成有多个光电二极管；介电层，形成在半导体衬底上；反光层，形成在介电层上；绝缘层，形成在反光层上；平坦化层，形成在绝缘层上；微透镜，形成在平坦化层上；多个滤光片设置槽，形成在介电层、反光层、绝缘层中相应于各光电二极管的位置；以及多个滤光片，一一对应地设置在各滤光片设置槽中。该CMOS图像传感器通过在介电层上设置反光层，避免了杂散光与衍射线串扰进入相邻的光电二极管中，使得由目标图像的光线只能够通过滤光片这一特定窗口通过滤后进而光电二极管，从而可以提高CMOS图像传感器的成像质量。

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。在所述光电二极管区形成锗浓度渐变的硅锗层，从而提高了光学生成效率，在较弱的光下也容易激发出电流，提高了CMOS图像传感器的使用效率。

摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括步骤：1）于半导体衬底表面形成介质栅层、多晶硅栅层及栅极侧墙；2）对多晶硅栅层及栅极侧墙两侧的半导体衬底进行N型离子注入及退火，形成N型多晶硅栅层、源区及漏区；3）形成覆盖N型多晶硅栅层、源区及漏区的光刻胶，并于N型多晶硅栅层上方的光刻胶中形成注入窗口；4）对N型多晶硅栅层进行P型离子注入，使N型多晶硅栅层部分反型为P型多晶硅栅层，并去除光刻胶。本发明通过于N型多晶硅栅层中注入高浓度浓度P型离子使栅极形成P-N二极管结构，通过离焦曝光工艺制作具有注入窗口的光刻胶以保护源区及漏区，从而大大提高器件的性能及稳定性。

摘要：本申请公开了一种光电二极管、其制作方法及图像传感器件。其中光电二极管包括：N型掺杂区，形成在衬底的内部；第一P型掺杂区，形成在N型掺杂区的内部；第二P型掺杂区，形成在衬底中，位于N型掺杂区上方，且下表面与N型掺杂区相连。该制作方法包括：对衬底的上表面进行掺杂形成N型掺杂预备区；对N型掺杂预备区的内部进行掺杂，形成第一P型掺杂区；对衬底的上表面进行二次掺杂，以在第一P型掺杂区的上方形成第二P型掺杂区，并形成与第二P型掺杂区下表面相连的N型掺杂区。上述光电二极管中第一P型掺杂区会在N型掺杂区中形成PN结耗尽层，进而能够提高光电二极管的光电转换效率。

摘要：本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种分配IP地址的方法、装置和系统。在该方法中，PGW在接收到第一UE发送的注册请求后，为该第一UE分配IP地址，在接收到P-CSCF设备发送的第一UE的注册期满时间后，存储该IP地址与该注册期满时间的对应关系。在该第一UE去激活时，PGW释放该IP地址，在该注册期满时间到达之前，不将该IP地址分配给其他UE。通过本发明实施例提供的方法，可以保证在该注册期满时间到达之前，一个IP地址仅分配给一个UE，从而可以避免PGW在该UE的IP地址被释放后，将发送给该UE的消息错误地发送给其他UE。

摘要：本申请公开了一种焊盘结构及其制作方法。该焊盘结构包括：导电缓冲层，覆于金属互连结构中金属区的表面上；焊垫，覆于导电缓冲层的表面上；导电缓冲层的杨氏模量大于焊盘的杨氏模量。上述焊盘结构中，向金属互连层的金属区和焊垫之间引入杨氏模量高于焊垫的导电缓冲层。在对半导体芯片进行封装时，这层导电缓冲层能够在低应变的基础上承受较高的应力，进而有利于吸收焊球对焊垫的压力，起到应力缓冲的作用。在此基础上，有利于减少金属互连结构中各金属层所承受的压力，进而有利于缓解金属层剥离或脱落的问题。这就有利于防止半导体芯片在封装过程中产生电阻率提高、电导率下降的问题，提高半导体在可靠性检测过程中的通过率。

摘要：一种农用的温室，包括的顶盖的右端与右侧墙顶部之间设置有活动口，该活动口内设置有与顶盖内开设的顶盖滑槽滑动配合的活动盖，活动盖的右端与右侧墙内壁上设置的限位座限位配合，活动盖的底部通过一个L型的驱动杆与左侧墙上设置的电动机相连接，该电动机通过控制器与电源电路连接；所述控制器包括金属外壳、输入电源线、输出电源线、通电片、绝缘柱、绝缘台、感温片、左导电柱、右导电柱。本设计不仅环保性较好，抗火灾性较强，而且结构简单、成本较低。