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发明专利:555实用新型: 33外观设计: 13
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申请号:200710045187.7 公开号:CN101118912 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
申请人:上海广电光电子有限公司 申请日:2007.08.23 公开日:2008.02.06
发明人:高孝裕
摘要:本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法,该薄膜晶体管阵列基板包括在一透明基板上形成的栅极及与栅极电气连接的栅极引线;一栅绝缘层,覆盖栅极与栅极引线;一半导体层,形成在所述栅绝缘层上;源/漏极及与源极电气连接的源极引线;形成在源/漏极层上的中间绝缘膜;其中所述中间绝缘膜上覆盖有第二绝缘膜,所述第二绝缘膜上形成平坦化的像素电极;该结构的阵列基板改善了液晶显示画质。
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申请号:200810034385.8 公开号:CN101236932 主分类号:H01L21/84(2006.01)I
申请人:上海广电光电子有限公司 申请日:2008.03.07 公开日:2008.08.06
发明人:高孝裕
摘要:本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,该制造方法利用剥离技术工艺将存储电极上沉积的栅绝缘层去除。本发明的制造方法可以减少存储电容电极和像素电极之间的距离,有效提高了存储电容值。在满足存储电容值的前提下,可以降低存储电容线的宽度,提高像素的开口率。
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申请号:200810200598.3 公开号:CN101359634 主分类号:H01L21/84(2006.01)I
申请人:上海广电光电子有限公司 申请日:2008.09.27 公开日:2009.02.04
发明人:高孝裕
摘要:本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板制造方法,该制造方法在基板上依次形成第一金属层、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、第二金属层、钝化层和透明导电层,其中在第一金属层上形成有栅极和栅极接垫,在第二金属层上形成有源极、漏极和数据接垫,在透明导电层上形成有像素电极以及和栅极接垫、数据接垫电接触的透明电极。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板制造方法可把光罩数减少到两个,降低成本,提高产量和成品率。
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4:[发明] 像素结构
申请号:200810201207.X 公开号:CN101369590 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
申请人:上海广电光电子有限公司 申请日:2008.10.15 公开日:2009.02.18
发明人:高孝裕
摘要:本发明公开了一种像素结构,包括形成在栅极电极层上的一栅极线和第一浮接金属电极;形成在半导体层上的第一半导体电极和第二半导体电极;以及形成在源极/漏极电极层上的一源极电极、一漏极电极、数据线以及第二浮接金属电极,该源极电极和该数据线相连,该数据线上形成有一源极凸起部,该漏极电极上形成有一漏极凸起部;其中,该源极凸起部与漏极凸起部分别与该第二半导体电极部分重叠,该第一浮接金属电极与该第二浮接金属电极部分重叠。本发明的像素结构可以使修复后的像素正常充放电且获得预定的目标值。
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申请号:200810207269.1 公开号:CN101442029 主分类号:H01L21/84(2006.01)I
申请人:上海广电光电子有限公司 申请日:2008.12.18 公开日:2009.05.27
发明人:高孝裕
摘要:本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,包括在绝缘基板上制作栅极导电层、半导体层、数据导电层和透明电极层,在所述栅极导电层上形成栅极、扫描线和储存电容电极,其中,在制作栅极导电层之前,首先在所述基板上形成沟渠,然后沉积栅极导电层并在所述沟渠中形成栅极,扫描线和储存电容电极。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板的制造方法,解决了栅极导电层与绝缘基板附着力的问题。
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申请号:200810207270.4 公开号:CN101436601 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
申请人:上海广电光电子有限公司 申请日:2008.12.18 公开日:2009.05.20
发明人:高孝裕
摘要:本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板,包括一绝缘基板,所述绝缘基板上形成有栅极导电层,所述栅极导电层上形成有栅极线和储存电容电极,其中,所述绝缘基板上形成有沟渠,所述栅极导电层的厚度和所述沟渠的深度大体相当,所述栅极线和储存电容电极位于所述沟渠内。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板,解决了数据线因段差而引起的断线的问题,提高了产品良率。
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7:[发明] 液晶显示装置
申请号:200910045159.4 公开号:CN101464603 主分类号:G02F1/1362(2006.01)I
申请人:上海广电光电子有限公司 申请日:2009.01.12 公开日:2009.06.24
发明人:高孝裕
摘要:本发明涉及一种液晶显示装置,包括相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板和第二基板上形成有多个像素区域;所述第一基板上依次形成有栅极金属层、数据金属层和像素电极,所述第二基板表面上形成有公共电极,所述第二基板的像素区域内形成有柱状间隙体;其中,所述第一基板的像素区域内形成有和所述柱状间隙体相对应浮接金属电极,所述浮接金属电极形成于所述栅极金属层或数据金属层中。本发明提供的液晶显示装置,可以减少像素电极和公共电极之间的距离,提高存储电容值。
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申请号:200910056494.4 公开号:CN101615594 主分类号:H01L21/82(2006.01)I
申请人:上海广电光电子有限公司 申请日:2009.08.14 公开日:2009.12.30
发明人:高孝裕
摘要:本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,该制造方法利用第一道多灰阶光罩形成栅极线、栅极、断续的数据线、源极、漏极和沟道,然后利用等离子体处理,形成沟道保护膜,最后通过第二道光罩形成像素电极和跨接电极。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板的制造方法,利用等离子体形成沟道保护膜,省去钝化层,将整个阵列基板制造过程降低至两道光罩,减少工艺复杂性,降低成本。
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申请号:200910195080.X 公开号:CN101644866 主分类号:G02F1/1362(2006.01)I
申请人:上海广电光电子有限公司 申请日:2009.09.03 公开日:2010.02.10
发明人:高孝裕
摘要:本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板,包括一基板,该基板上依次沉积有第一金属层、栅绝缘层、非晶硅层、欧姆接触层、第二金属层和透明导电层;所述第一金属层上形成有栅极,第一栅极线;所述栅绝缘层、非晶硅层和欧姆接触层上形成有沟道;所述第二金属层上形成有第一源极,第一漏极和数据线;所述透明导电层上形成有像素电极;其中,所述透明导电层上形成有一层不透光的第三金属层,所述第三金属层上形成有第二栅极和第二栅极线,所述第二栅极位于所述第一栅极上方,所述第二栅极线位于所述第一栅极线上方。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板,利用第二栅极增加驱动能力,降低漏电流,利用第二栅极线降低电阻,提高产品良率。
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申请号:200910195081.4 公开号:CN101645417 主分类号:H01L21/82(2006.01)I
申请人:上海广电光电子有限公司 申请日:2009.09.03 公开日:2010.02.10
发明人:高孝裕
摘要:本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,该制造方法利用第一道多灰阶光罩形成栅极线、栅极、断续的数据线、源极、漏极和沟道,保留源极和漏极上方剩余第一光刻胶层,在该基板上继续沉积钝化层;剥离去除剩余第一光刻胶层,一并去除其上的钝化层,裸露源极和漏极;最后通过第二道光罩形成像素电极和跨接电极。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板的制造方法,通过形成不同高度的第一光刻胶层,利用一道光罩形成栅极、源极、漏极和沟道,并利用剥离去除剩余钝化层裸露源极和漏极,将整个阵列基板制造过程降低至两道光罩,减少工艺复杂性,降低成本。
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