摘要：本发明公开了一种专门针对塑料光纤双向传输系统设计，具有很高的耦合效率和很好的方向性的塑料光纤双向耦合器，由一小芯径光纤和一大芯径光纤组成，所述大芯径光纤为直径不小于小芯径光纤直径四倍的塑料光纤，其表面刻有宽度略大于小芯径光纤直径的微型凹槽，所述凹槽的径向正截面形状为直角三角型，其轴向直边面为凹槽的耦合面，其径向直边面为凹槽的定位面，小芯径光纤在凹槽中粘接于大芯径光纤，其中，小芯径光纤的末端面与凹槽的耦合面对齐，其纤身与凹槽的定位面紧贴。解决了传统塑料光纤耦合器中高插入损耗和低方向性的缺点，具有明显的性能优势。

摘要：本发明提供一种LED芯片电极、LED芯片及LED照明光源，用于解决LED电流不均匀、出光效率不高的问题。该LED芯片电极包括N电极和P电极，该N电极包括多条相互平行的第一N电极线条以及与第一N电极线条相交的第二N电极线条，并且第二N电极线条的第一端延伸至N电极接入点；P电极包括第一P电极线条和多条相互平行的第二P电极线条，第一P电极线条环绕设置在LED芯片边缘，并与P电极接入点相接；第二P电极线条的第一端连接第一P电极线条，第二端向第二N电极线条方向延伸。本发明的有益效果是：LED芯片电极的电流可以较均匀地扩散，减少散热，提高LED芯片的出光效率。

摘要：本发明是一种制作芯片阶的平面荧光粉产生白光LED的方法，其包含以下步骤a.提供一个已制作有LED晶粒及电极的外延片；b.将外延片对应一个已涂置有荧光粉的模具；c.以模具搭配印刷手段，使模具与该外延片表面接触；d.模具上的荧光粉被印制在LED晶粒表面。其中模具对应电极的位置不涂布荧光粉，藉此使外延片上的各电极不会被荧光粉覆盖。又该荧光粉的印制密度可以是微米级或纳米级的印制密度，且可进一步使荧光粉被限制在LED晶粒的发光面上。藉此可以精确的控制荧光粉的覆盖位置及面积，且操作容易。

摘要：本发明提供一种纳米图形化衬底及其制备方法和发光二极管，属于发光二极管领域。其中，该纳米图形化衬底的制备方法，包括：提供一第一蓝宝石衬底；在所述第一蓝宝石衬底上沉积一金属铝薄层；将所述金属铝薄层阳极氧化成具有均匀多孔结构的氧化铝；将所述氧化铝转化成具有均匀多孔结构的第二蓝宝石衬底。本发明实施例的技术方案制造工艺简单并且能够降低发光二极管的生产成本。

摘要：本发明是一种高功率发光二极管移除衬底的方法，其是取一发光二极管，该发光二极管的衬底与外延层之间具有一停止层，该停止层的材质相异于衬底的材质；再以研磨器件对发光二极管的衬底进行研磨，使得衬底的厚度朝所述的停止层方向变薄；并且监控研磨器件对衬底的研磨进给变化，或是研磨面的光学变化；在研磨进给变化产生变异，或是研磨位置的光学变化产生变异时，停止研磨动作。所述的研磨进给变化产生变异是指研磨速度或研磨阻抗的变化，而所述的研磨位置的光学变化是指反射率或透光率产生变化。藉此可以达到操作简便、监控容易，且具有较低成本的功效。

摘要：本发明提供一种图形化衬底及其制备方法和发光二极管，属于发光二极管领域。其中，该图形化衬底的制备方法，包括：提供一金属铝基底；将所述金属铝基底阳极氧化成表面具有均匀多孔结构的氧化铝；去除所述氧化铝上残余的金属铝；将所述氧化铝转化成表面具有均匀多孔结构的蓝宝石衬底。本发明实施例制造工艺简单并且能够降低发光二极管的生产成本。

摘要：本发明提供了一种利用化学镀制备LED芯片的p电极的方法，包括以下步骤：在LED外延片的p-GaN层上制备相互间隔的纳米金属颗粒，并刻蚀该p-GaN层，使得该p-GaN层表面为纳米结构；利用掩膜将所述LED外延片的激活区域镀上激活液，以对该LED外延片的激活区域进行激活，然后移去掩膜；将所述LED外延片放入化学镀液中，在将所述激活区域外的纳米金属颗粒溶解的同时，在所述LED外延片的激活区域化学镀金属，以形成金属基板；所述金属为可诱发还原金的金属；将所述LED外延片放入化学镀金液中，在所述金属基板上自动沉积金，以得到p电极。本发明所述的利用化学镀制备LED芯片的p电极的方法减少了贵重金属的应用，同时减少了工艺步骤，提高了出光效率。

摘要：本发明公开了一种发光二极管、电子设备及制造方法，解决现有技术中存在的LED的流明效率还是较低的问题，其中，发光二极管的衬底上依次设置有第一导电类型半导体层、多量子阱结构和第二导电类型半导体层，其中，在第二导电类型半导体层内邻近多量子阱结构的位置，内嵌有多个相互之间具有间隙的纳米颗粒组，纳米颗粒组具有电介质的外表层，以及被外表层包裹的金属纳米颗粒内核，纳米颗粒组的间隙填充有第二导电类型半导体材料，由于紧邻多量子阱结构MQW插入金属内核-电介质外壳(core-shell)形式的纳米颗粒组，避免漏电或非辐射损失提高了IQE，从而增加LED的流明效率。

摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法。其中，所述发光二极管包括：第一半导体层、和位于所述第一半导体层上方的第二半导体层；夹设在第一半导体层和第二半导体层之间的多量子阱层，多量子阱层包括至少两个多量子阱结构，相邻的多量子阱结构之间相互连接以使得第一半导体层和第二半导体层相隔离，其中，所述至少两个多量子阱结构的厚度各不相等，且沿第一位置到第二位置的方向，逐渐递减；所述第一位置是所述第一半导体层上用于沉积N电极的位置，所述第二位置是所述第二半导体层上用于沉积P电极的位置。本发明能够提高载流子的复合速率，进而提高LED的内量子效率，改善LED的发光效率，并可无需在LED中设置现有技术中的电流扩展层。

摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制造方法。其中上述发光二极管包括：第一半导体层；沉积所述第一半导体层的上表面的第一多量子阱层；沉积在所述第一多量子阱层的部分上表面上的第二多量子阱层；第二半导体层，所述第二半导体层沉积在所述第二多量子阱层的上表面以及所述第一多量子阱层未被所述第二多量子阱层覆盖的上表面上，其中，所述第二半导体层包括有在层高方向上与所述第二半导体层相接触的侧面。本发明能够提高载流子的复合速率，进而提高LED的内量子效率，改善LED的发光效率。