摘要：本发明公开了一种芯片贴片机和芯片贴片方法，涉及芯片贴片技术领域，为解决现有的芯片贴片机在使用时能耗较高，对芯片的贴片效果差的问题。所述工作台的上端安装有加热箱，所述加热箱内部的下端安装有加热管，所述加热管的上方安装有防杂网，所述防杂网的上方安装有上封防误触板，所述加热箱的上端安装有密封板，所述工作台上端的一侧安装有物料支架，所述密封板的上端设置有传动齿，所述物料支架靠近加热箱一侧的内部安装有驱动齿轮，所述物料支架的前端面安装有保温电机，所述密封板和上封防误触板的下端均安装有反热铝箔层。

摘要：本发明涉及岩棉板技术领域，提出了一种阻燃防火岩棉板及其制备方法，岩棉板的原料包括以下重量份的组分：玄武岩100份、矿渣30~40份、白云石10~20份、氢氧化铝30~50份、铁矿石10~15份、粘结剂5~10份；粘结剂包括重量比为1~9:1的铝溶胶干粉和水性酚醛树脂。通过上述技术方案，解决了相关技术中岩棉板阻燃防火性能和抗拉强度较差的问题。

摘要：本发明涉及岩棉保温材料技术领域，提出了一种轻质隔音岩棉板及其制备方法，轻质隔音岩棉板，包括以下重量份组分的原料：玄武岩50~70份、矿渣20~30份、白云石10~15份、粉煤灰8~14份、改性空心玻璃微珠16~20份、粘结剂15~20份；改性空心玻璃微珠为空心玻璃微珠经改性剂改性得到；改性剂包括异丙基三(十二烷基苯磺酰基)钛酸酯。通过上述技术方案，解决了相关技术中岩棉板隔音性差的问题。

摘要：本文公开了一种告警测试方法、装置及系统。所述告警测试方法包括：接收到测试启动指令后，连接网管服务器所维护的数据库；加载配置文件，读取网元信息，根据读取的网元信息，更新存储于数据库的网元表；在终端启动可视化操作界面；获取终端返回的可视化操作界面上配置的告警信息，生成告警报文；向网管服务器发送告警报文，由网管服务器解析告警报文得到告警信息，基于数据库中的网元表检验告警信息合法后，将告警信息发送给终端，接收终端返回的对该告警信息的查收通知信息。

摘要：本申请实施例提供一种薄壁航空铝合金铸件的表面处理设备，涉及铸件加工技术领域。一种薄壁航空铝合金铸件的表面处理设备，包括装置外壳和固定板、辅助旋转组件、上料限位组件和铸件固定组件，所述铸件固定组件包括安装杆，启动上料限位组件可以将圆环状铝合金铸件套设于夹板外侧，再通过铸件固定组件可以对圆环状铝合金铸件进行固定在夹板上，随后再次启动上料限位组件可以限位环进行限位，最后启动驱动电机可以配合辅助旋转组件带动夹板旋转的同时还可以使旋转板以主动伞齿轮为中心旋转，使圆环状铝合金铸件更多面与喷砂装置接触，从而提高圆环状铝合金铸件加工效率的同时还可以提高喷砂的多面性无需二次补漏加工。

摘要：本发明涉及低压铸造设备技术领域，具体为一种连续式树脂砂型低压铸造设备，包括机体、支柱、坩埚、升液管、加液管与加气管，所述机体的上端贴有叠放的两个砂箱，两个所述砂箱的外壁对称贴合有凹形管，本连续式树脂砂型低压铸造设备上设置有冷却机构，且可针对独特的铸件的不同壁厚处来调节水冷区域，可先对铸件的壁较厚处先冷却，随后再对铸件的壁较薄处进行冷却。凝固缩松的程度相对较小，逐渐过渡到薄壁部位时，铸件已经开始凝固，可以通过厚壁部位的补缩效应来抵消一部分凝固缩松，降低内部应力，减少气孔和缺陷的形成。可以更均匀地控制整个铸件的温度分布，减缓凝固速度，降低热裂纹的风险，提高铸件质量。

摘要：本发明涉及半固态铝合金加工技术领域，具体为一种半固态铝合金加工用薄壁铸件成型机，包括：定模的内部设置有成型仓，定模的上方设置有动模，动模的表面固定设置有成型插块；底部平流板设置于成型插块的底部，底部平流板的底面开设有浮块插槽，浮块插槽的内部滑动插接有浮板；侧部平流板滑动设置于成型仓的内部，侧部平流板的内侧开设有与插杆伸缩槽对应的第二定位槽；通过底部平流板和侧部平流板对进入成型仓内部的半固态铝合金浆液施加压力，使浆液的顶面在成型仓的内部始终与底部平流板和侧部平流板贴合移动，避免了半固态铝合金浆液在进入成型仓的内部后，各部位的流速不一致，而导致成型后工件表面出现铸造缺陷的问题。

摘要：本发明公开了一种自动化差压铸造接料装置，涉及压铸机技术领域，包括基座，还包括承载盘、卡爪、第一驱动件、第二驱动件以及第一联动组件，承载盘活动设置在基座上，承载盘上固定连接有多个用于对铸造件进行固定的固定套，各固定套相对于基座的活动行程中均具有一接收铸造件的接收工位；卡爪活动设置基座上，卡爪相对于基座的活动行程中具有一个夹取铸造件的取料工位，以及一正对接收工位上的固定套的放料工位；第一驱动件用于驱使卡爪相对基座竖向滑动；一方面本装置能够在一段时间内无需与工作者配合自动依次完成多个压铸机的取料进而方便了工作者的工作，另一方面本装置在依次取料后并进行了整齐摆放降低了铸造件取料工作磨损的概率。

摘要：本发明公开了一种沟槽肖特基二极管终端结构，包括一N型硅基片，且所述N型硅基片的一侧还设有一N型硅外延层，且所述N型硅外延层内设有若干第一沟槽，且所述第一沟槽的一侧设有一终端环结构,本发明还公开了沟槽肖特基二极管终端结构的制备方法。本发明由于第一沟槽对N型硅外延层的耗尽作用，第一沟槽的N型硅外延层的表面会形成耗尽层，随着反向电压增大，耗尽层会向硅表面深处(横向，纵向)扩展，使相邻沟槽间耗尽层相连，等同于在纵向上的耗尽层显著增加，从而增大了器件的反向耐压能力，同时减小了漏电流，而在器件的边缘部分增加一个终端环，用于改善器件的耐压和可靠性性能。

摘要：本发明公开了一种沟槽MOSFET终端结构，包括：一第一导电类型基片；一第一导电类型外延片层，其设于所述第一导电类型基片的一侧；若干第一分压区，其包括若干第一沟槽，所述第一沟槽的槽壁及槽底均淀积有一第一氧化物层，且所述第一沟槽内部设有多晶硅层，且所述多晶硅层淀积于所述第一沟槽的槽壁上，第一沟槽的两侧及下方在所述第一导电类型外延片中设有第二导电类型注入层；若干第二分压区，其包括若干第二沟槽，所述第二沟槽的槽壁及槽底均淀积有一第一氧化物层，且所述第二沟槽内淀积有多晶硅层。本发明还公开了一种沟槽MOSFET器件及其制备方法。本发明减少了芯片面积，降低了生产成本。