摘要：本申请公开了媒体资源传输方法、相关装置及系统，属于通信技术领域。本申请实施例中，通过媒体服务器基于媒体资源的码率信息来确定用于传输该媒体资源的带宽，并将该带宽携带于媒体协商请求发送给终端，使得终端能够根据接收到的带宽来进行带宽申请，进而实现对媒体资源的传输，由于进行带宽申请是基于码率信息来进行，因此，传输过程中避免对带宽资源的浪费，提高带宽利用率。

摘要：本发明公开了一种面向区域尺度的同震滑坡易发性评估方法，涉及同震滑坡评估技术领域。本发明先对区域尺度三维复杂场地进行数值仿真，构建全局场地的三维传递函数库，并且收集整个区域的指定基础数据构建静态滑坡因子数据集，然后将静态滑坡因子数据集输入MSCNN卷积神经网络模型进行空间特征学习；在获取局部场地至少一条实际地震动记录后求解三维全局场地的地表地震动，得到地表时程地震动时序特征，传递给添加多头注意力机制的多层Bi‑LSTM进行时序特征提取；将空间特征与序列特征进行自适应特征融合，然后转化为同震滑坡发生概率，从而快速实现区域尺度的同震滑坡易发性评估，为灾后救援人员和物质分配以及应急决策提供数据支持和理论依据。

摘要：一种数据包传输的方法及装置，在该方法中，网络设备确定N个终端设备中每一个终端设备的数据包，所述N个终端设备为第一终端设备组中的N个终端设备，所述N为大于1的整数；发送聚合数据包，所述聚合数据包包括所述N个终端设备的标识信息，以及所述N个终端设备中每一个终端设备的数据包。采用此方法，网络设备可以将同一终端设备组的多个终端设备的数据包放到一个聚合数据包中传输，这样可以提高编码增益，进而提升空口传输效率。

摘要：本发明涉及地震预测技术领域，具体涉及一种基于深度学习与物理约束的三维地震动场快速预测方法，包括以下步骤：S1，数据采集：实时获取地震事件相关的原始数据；S2，数据预处理与多模态数据融合：对原始数据进行预处理，并对预处理后的原始数据进行融合为多模态数据；S3，空间插值：实现震中区域的地震动特征插值预测，输出空间频谱数据；S4，时序预测与物理信息优化：生成地震动时域预测序列，同时使用SVM模型修正误差；S5，实时推理与应急响应：在GPU架构下实现实时分钟级响应，输出三维地震动场数据；本发明，实现了三维地震动场的高精度、分钟级预测，显著提升了震后应急响应的效率与可靠性。

摘要： 一种铁－碳合金表面富勒碳涂层的激光改性方法，属材料表面工程领域。本发明方法是将富勒碳粉末涂覆于铁基合金表面，在惰性气体保护下通过连续式激光器辐照。使融熔的基底与富勒碳熔合均匀，然后对其进行热处理，在奥氏体化温度以上保持一定时间后淬入介质中。

摘要： 一种贝氏体球墨铸铁磨球，属金属材料领域。本发明磨球成分为：$C____3.4—3.8%____Si____2.5—3.5%$Mn__2.0—3.5%____Cr____0.1—1.0%$S≤__0.03%________P≤___0.1%$Mg___0.03—0.08%__Re____0.02—0.07%__余为Fe,其热处理工艺为820—920℃,保温2—8小时,在pH值为9—14,比重在1.05—1.8范围内的钠盐或钾盐水溶液中淬火。再在150℃—300℃温度下保温2—8小时。本发明磨球的综合性能较好,H_RC≥55,a_K≥10^J/CM²,使用寿命长,成本低。

摘要： 一种无氰电铸Ｋ金制品的方法，属电镀领域。该方法是将构成Ｋ金 的合金元素（如金、铜）分别采用无氰电铸技术单独、交替、隔层进行电铸，即电铸一层金，再电铸一层铜，然后进行退火，使各层金属相互扩散，达到各处的合金成分均匀化。采用本发明的Ｋ金电铸技术可以无氰、快捷电铸Ｋ金，且含金量易于控制，铸件表面光洁。

摘要： 一种贝氏体球墨铸铁球磨机衬板，属金属材料领域。本发明衬板的成分为：$C_3.4～3.8%__Si2.5～3.5%$Mn1.5～2.5%__P≤0.1%$S≤0.03%__Mg0.03～0.08%$Re0.02～0.07%__余为Fe$本发明衬板用下列热处理工艺以获得贝氏体为主的组织。８２０—９２０℃保温２—８小时，然后在pＨ值为９—１４，比重为１．０—１．８范围内的钠盐或钾盐水溶液中淬火。本衬板耐磨性及冲击韧性综合性能较好，使用寿命长、成本低。

摘要： 一种无氰电铸Ｋ金制品的电铸液，属电镀领域，该电铸液含亚硫酸金钠，二乙基三胺五乙酸铜钠，二乙基三胺五乙酸和水。该电铸液中同时含有几种合金离子，而不含氰离子，在同一规范条件下，同时沉积几种合金离子，达到电铸Ｋ金的目的。采用本电铸液可以达到无氰，快捷电铸Ｋ金，且含金量易于控制，制品表面光洁。

摘要：本发明提供一种高耐压半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件，包括第一掺杂类型的半导体衬底、位于所述半导体衬底内的第一掺杂类型的第一阱区与第二掺杂类型的第二阱区、位于所述第一阱区内的源极、位于所述第二阱区内的漏极、以及位于所述半导体衬底上的栅极结构，还包括位于所述第二阱区内的第一浅沟槽隔离部分和与所述第一浅沟槽隔离部分并列且间隔设置的第二浅沟槽隔离部分，其中，在所述第一浅沟槽隔离部分和所述第二浅沟槽隔离部分之间设置第一掺杂类型的耗尽区域。由此，本发明提供了一种具有较高的击穿电压的LDMOS及其制造方法。