摘要：本发明涉及第三代半导体材料技术领域，尤其涉及一种面向第三代半导体材料的加工装置，针对现有技术一体化程度低，转换速度慢等的问题，先提出如下解决方案，包括包括加工台，所述加工台内设有腐蚀室、清洗室以及烘干室，所述加工台的底部内设有安装腔，所述安装腔内设有转动机构，所述加工台上设有与转动机构连接的转盘，所述转盘的部分延伸至腐蚀室、清洗室以及烘干室内，所述转盘的上端周向等间距设有多个放置槽，其中三个所述放置槽分别位于腐蚀室、清洗室以及烘干室内，所述腐蚀室的内顶部安装有腐蚀机构。本发明结构合理，将腐蚀清洗、冲洗、烘干融为一体，一体化程度高，能够持续的进行上料加工。

摘要：本发明公开了一种用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉，包括底座，所述底座的上端面的左侧固定连接有炉体，所述炉体上盘绕有冷却管，所述底座的上端面的右侧固定连接有储水槽，所述储水槽上端设置有冷却机构，所述冷却机构包括冷却箱体，所述冷却箱体的上端通过连接管贯穿冷却箱体的上端面与冷却箱体内部连通，冷却管与连接管之间固定连接，所述连接管与冷却箱体之间固定连接。本发明，主动齿轮转动的过程中还会带动从动齿轮转动，进而带动从动杆转动，使得从动杆在围绕主动杆转动的过程中还自转，进而使得对热水和冷却液快速的混合冷却，对热水和冷却液的混合液进行搅拌混合，使得二者充分的融合，使得热水快速的降温冷却。

摘要：本发明公开了一种半导体材料的电解抛光装置，包括底板，所述底板的上端侧壁上固定连接有装置座，所述装置座的上端设有电解池；本发明还提出了一种半导体材料的电解抛光方法，包括以下步骤：S1，对多个待抛光半导体材料的阳极均进行电解抛光前的准备，对阳极的表面进行初级手工打磨处理，去除阳极表面残留的杂质，并对阳极表面使用清水进行清洗。本发明结构合理，使用方便，且设置有加热装置和升降搅拌机构，通过加热装置提高电解液的温度，有利于加快电解抛光的速度，通过升降搅拌机构，既能促使电解液的流动，又能保证抛光区域的离子扩散和新电解液的补充，从而促进了阳极的电解抛光，提高了电解抛光的效率。

摘要：本发明公开了一种用来减小半导体材料尺寸的新型装置，包括密封盒，密封盒内侧的顶壁和底壁上对称固定安装有两个轴承，两个轴承相对的一端均可转动插设有环形转轴，两个环形转轴相对一端均固定安装有固定块，两个固定块相对一侧的外侧壁上均插设有第一活动杆，且第一活动杆均贯穿固定块设置，两个固定块的外侧壁上均螺纹连接有与第一活动杆相互配合的第一紧固螺栓，两个第一活动杆相对的一端均固定安装有夹板。本发明中将加工操作放置在密封盒内进行并持续向加工部位通入惰性气体，从而能防止加工过程中半导体材料的表面发生氧化反应和被污染，改善了半导体材料的力学性能和使用效果，设计合理，实用效果好。

摘要：本发明属于半导体领域，尤其是一种用于半导体材料的激光打孔切割系统，针对现有的切割产生的废料飞溅影响红外测距传感器的精度，利用X/Y轴不方便进行打孔操作的问题，现提出如下方案，其包括底座，所述底座的上端侧壁固定连接有安装座，所述安装座为中空结构，所述安装座的内壁固定连接有步进电机，所述安装座的内壁转动连接有与步进电机的输出轴匹配的滚珠丝杠，所述滚珠丝杠上滑动套设有滑动块，所述滑动块的上端侧壁固定连接有挡光板，所述安装座的两侧内壁之间固定连接有滑杆，通过安装座保护红外测距传感器对挡光板的测量，减少外界的影响，提高测距的精度，并通过蜗杆和蜗轮等的配合使工作台转动从而快速完成打孔切割。

摘要：本发明公开了一种改进型半导体材料生产技术设备，包括加工室，加工室内设有打磨机，打磨机一侧的外侧壁上固定安装有连接块，连接块上螺纹连接有第一螺纹杆，且第一螺纹杆贯穿连接块设置，加工室顶端的内侧壁上固定安装有第一电机，第一电机的输出端固定安装有第一转轴，且第一转轴的底端固定安装在第一螺纹杆的顶壁上，第一螺纹杆的底端固定连接有第一轴承。本发明中将半导体材料竖直夹设在定位板上并使用打磨机进行抛光，抛光时产生的碎屑由于自身重力会自动掉落至半导体材料的下侧，从而避免抛光时产生的碎屑聚集在半导体材料上，极大的改善了半导体材料的抛光和加工质量，设计合理。

摘要：本发明属于纳米材料领域，尤其是一种含氮半导体纳米材料的制备方法，针对现有含氮半导体纳米材料的制备方式较为单一，选择性较差的问题，现提出如下方案种含氮半导体纳米材料的制备方法，该方法包括以下步骤：微乳液法制备超细颗粒；将透明的水滴在油中(w/o)或形成的单分散体系，其微结构的粒径为5～70nm，为w/o(反相胶束)型；油滴在水中(O/W)形成的单分散体系，其微结构的粒径为5～70nm，为O/W型；机理1，A增于水核，B增于水核，A与B在水核内反应；机理2，A增于水核，B存在与溶液中，B进入A的水核中反应；本发明才用多种制备方式制备纳米材料，为用户提供了多种制备选择。

摘要：本发明公开了一种新型的有机‑无机钙钛矿半导体材料的制备方法，包括以下步骤：准备以硅为主要材料的基板，将其依次在甲醇、甲酯乙酮和去离子水中超声清洗，然后放在真空干燥箱中实现干燥；配制前驱体溶液，这里选用NH2与有机卤化物接触后形成的液体以及NH2与无机卤化物接触后形成的膏状物质；在RNH2中，R为C1‑C10的有机基团；有机卤化物为RNH3X或甲脒卤化物；然后两者放在55°‑70°温度下进行搅拌，得到均匀的钙钛矿前驱体溶液；将上述制备好的钙钛矿前驱体溶液装入喷涂瓶中，然后将其喷涂在基板上形成液膜；慢慢的加热基板，使得液膜形成半干膜。本发明的制备方法可以有效的形成厚度均匀而且面积较大的钙钛矿薄膜。

摘要：本发明要求保护一种VTM炉及利用该VTM炉的碲锌镉单晶体合成的方法。本发明在VTM炉内，设计了主加热区和辅助区，所述主加热区和所述辅助加热区均包括n个分区，其中n＞3，通过主加热区的每个分区独立控制，联动形成一个稳定的生长区，通过辅助加热区减少每个主加热区分区之间过渡出现的高低峰值现象，同时辅助加热区的每个分区调节对应的所述主加热区分区的温度。本发明的优点在于生成的碲锌镉单晶体的尺寸大以及位错腐蚀坑密度低。

摘要：本发明涉及一种真空感应钎焊的装置及其使用方法，包括旋转电机、旋转电机固定板、支杆A、磁流体、工件A、真空室、升降调节板、导杆、升降电机固定板、升降电机、升降螺母、丝杆、焊接波纹管、感应线圈、工件B、旋转样品台、支杆B；旋转电机固定设置在旋转电机固定板的底面上；旋转电机固定板的顶面通过平行设置的支杆A、支杆B与磁流体连接；磁流体固定在真空室底部；旋转样品台固定在磁流体轴上并位于真空室内；丝杆与升降电机的输出轴传动连接；感应线圈与升降调节板固定连接，并位于真空室内。其具有结构设计合理、操作使用方便、运行成本低的优点，将真空钎焊和感应钎焊的优点结合起来，消除两者的缺点，实现工件快速无污染的焊接。