摘要：本发明公开了一种祛斑液，它包括丹参、乙醇和抗氧化剂，各种成分按以下的重量比计，川芎7-9份，独活4-6份，黄柏4-6份，提炼取药汁备用，配置水剂，甘油4-6份，十二醇硫酸油比0.9-2份，50％乙醇6-8份，配制油剂，橄榄油3-5份，液体石蜡4-6份，将水剂和油剂加温至70-85度后将水剂缓慢倒入油剂中，在将提炼出的中药加入同一方向搅拌。本发明具有以下效果：本发明能将已成形的黑色素转化为浅色素，加速黑色素代谢脱落，从而可有效的祛除色素。

摘要：一种无线自组织网络物理层同步方法涉及一种在无线自组织网络系统中，系统内节点通过计算其与周围所有邻节点的定时偏移量，调整自身的系统定时，保持与全网其它节点同步。其特征在于：系统内所有节点约定定时一致，节点在其约定时隙内周期性发送同步和广播信号，并在其它节点约定发送时隙内接收其它节点同步和广播信号。计算本节点与周围其它邻节点的定时偏移量，并通过定时广播信道告知其它邻节点。节点根据自身和其它邻节点计算的定时偏移量，依据一定算法调整其系统定时，保持与全网其它节点同步。所述方法可以在无线自组织网络中，所有节点同步保持不依赖于其它外部信号源，系统依靠自身即可完成全系统所有节点的同步。

摘要：一种无线自组织网络帧产生方法。LTE(Long Term Evolution，长期演进)是由3GPP(The3rd Generation Partnership Project，第三代合作伙伴计划)组织制定的UMTS(Universal Mobile Telecommunications System，通用移动通信系统)技术标准的长期演进，LTE技术具较高的吞吐量，较低的网络时延，更值得一提的是LTE技术还在不断的进行吞吐量和网络时延性能的演进。但LTE是一种蜂窝技术，因此不能进行自组织网络的部署。但基于LTE网络技术的无线自组织网络将继承LTE的特点。本发明中，设计了一种适合小规模组网的无线自组织网络帧产生方法，基于LTE技术设计了一个广播控制子帧和一个数据子帧。将LTE技术运用于无线自组织网络将会提供大带宽，低时延，提高无线自组织网络的性能，适合更多的无线自组织网络应用。

摘要：一种无线自组织网络数据子帧的控制信道产生方法。LTE(Long Term Evolution，长期演进)是由3GPP(The 3rd Generation Partnership Project，第三代合作伙伴计划)组织制定的UMTS(Universal Mobile Telecommunications System，通用移动通信系统)技术标准的长期演进，LTE技术具较高的吞吐量，较低的网络时延，更值得一提的是LTE技术还在不断的进行吞吐量和网络时延性能的演进。但LTE是一种蜂窝技术，因此不能进行自组织网络的部署。但基于LTE网络技术的无线自组织网络将继承LTE的特点。本发明中，基于LTE技术设计了一种无线自组织网络数据子帧的控制信道产生方法，定义了在传输过程中的下行数据子帧的控制信道所包含的内容，定义了传输中对数据子帧中数据信道的控制信令。将LTE技术运用于无线自组织网络将会提供大带宽，低时延，提高无线自组织网络的性能，适合更多的无线自组织网络应用。

摘要：一种具支架的血液导管，具有一可挠性管体及一可扩展支架结构体。管体具有仅供血液流入的一第一开口端及仅供血液流出的一第二开口端；支架结构体由多根附着于管体上的线材组成，支架结构体的扩展方向相交于管体的轴向。支架结构体中最邻近第二开口端的线材与第二开口端之间存在一预定距离，藉此有效避免血液经由新的破口回流至假腔。

摘要：本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种改进源漏掺杂离子注入方式的方法。本发明提出一种改进源漏掺杂离子注入方式的方法，根据栅极侧墙在制程中的损耗，通过改变源漏掺杂的入射角度及相应改变漏源掺杂时注入的能量和浓度，从而在保持原有掺杂区域轮廓的情况下，补偿了由于侧墙损耗所引起的结漏电增加。

摘要：本发明涉及一种均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法，该方法根据硅片表面图形线宽和所需氮化硅薄膜的厚度要求，分次沉积氮化硅形成氮化硅薄膜，包括如下步骤：1)在硅片表面的栅极结构上方及其两侧沉积氮化硅形成氮化硅薄膜；2)以惰性气体离子或氧离子轰击该氮化硅薄膜，以均匀化该氮化硅薄膜；重复步骤1)和步骤2)，直到氮化硅薄膜厚度达到所需的要求，刻蚀形成侧墙。本发明的方法可以打开小线宽要求的制程中形成的氮化硅封口，继续沉积氮化硅时易于达成侧墙厚度的均匀性；该方法在打开氮化硅封口的同时，不会除去该封口底部的氮化硅，从而不会影响氮化硅的沉积效果。

摘要：本发明公开了一种减少氧化栅损耗的方法，其中，包括下列步骤：在硅衬底上的氧化层上淀积多晶硅；在多晶硅层上淀积硬质掩膜层；对硬质掩膜层进行部分刻蚀，残留的部分作为硬掩膜，并利用该硬掩膜对多晶硅层进行刻蚀形成多晶硅栅；刻蚀硬质掩膜层，将其去除；对多晶硅栅极表面进行清洗。本发明的有益效果在于：将硬质掩膜的去除前移在多晶栅刻蚀后的清洗之前，这样可以有效地减少氢氟酸对二氧化硅的损耗，之后再进行刻蚀后的清洗。

摘要：本发明公开一种提高半导体器件中MIM（金属-绝缘层-金属）电容密度的方法以及一种包含高密度MIM（金属-绝缘层-金属）电容的半导体器件，通过在基底的阻挡层上设置一层形貌层，刻蚀形貌层使得形貌层具有多个凹槽，使得覆盖在形貌层上的电容基板呈形貌状，来增大了电容基板面积，从而增大了电容密度。本发明相对现有技术并没有增加晶片的的面积，同时，本发明与传统工艺具有很强的兼容性。

摘要：本发明优化的多晶栅氧化硅硬质掩膜去除方法解决了现有技术硬质掩膜去除过程中对于浅沟槽和氧化栅侧壁的二氧化硅损耗较多的问题，本发明提出一种优化方案，将硬质掩膜的去除分布到侧墙、自对准工艺流程设计中，显著降低了湿法去除的使用量，从而将浅沟槽和氧化栅的二氧化硅的损耗降到最低。