摘要：本发明公开了一种汽车追尾缓冲装置，包括周期性测量与前车距离的测距单元、采集本车速度的速度采集单元、采集车外温度的温度检测单元、控制单元、气体发生器单元以及活塞单元；所述气体发生单元用于在短时间内产生大量气体，推动所述活塞单元中活塞杆向外弹出；所述控制单元用于根据所述测距单元、所述速度单元以及所述温度采集单元采集信息计算与前车状态，根据要求值启动所述气体发生器单元；所述活塞单元包括活塞腔、活塞以及撞击杆，所述活塞腔尾部开有小孔，所述活塞与所述撞击杆连接，所述撞击杆与缓冲板连接。本装置将直接面对人体的安全气囊变换为汽车的缓冲装置，远离乘员，安装在汽车的前保险杠处，避免了对人体的直接伤害。

摘要：本发明涉及一种石灰窑气固双燃料混烧方法及装置，该方法为将可燃气体脱水后分成两路，第一路可燃气体加压后将定量投入的固体颗粒燃料送入分配器并分配至所有烧嘴，第二路可燃气体加压后进入一一对应的烧嘴并与第一路可燃气体和固体颗粒燃料在石灰窑内混烧。本发明利用可燃气体作为固体颗粒燃料输送介质实现石灰窑气固双燃料混烧，燃烧安全，节约了能源，降低了NOX排放。

摘要：本发明公开了一种双膛石灰窑，其包括双膛炉体、燃料组件、废气排放组件、富氧组件和PLC控制器，所述富氧组件通过管路连接所述双膛炉体，所述PLC控制器通过所述富氧组件调节所述双膛炉体内的含氧量，从而可以调节所述双膛炉体内的氧气含量，从而可以实现低热值煤气在双膛石灰窑上的应用，降低双膛石灰窑对燃料热值的要求，提高钢铁厂对低热值煤气利用率，减少钢铁厂低热值煤气排放，降低生产单位使用成本。

摘要：本发明涉及数据恢复技术领域，且公开了一种基于多云平台的数据恢复方法及系统，包括以下步骤：步骤S1、智能数据获取层构建：基于多模态数据识别引擎，动态适配四种数据采集通道；步骤S2、自适应传输协议栈构建：基于网络质量实时评估模型，动态选择；步骤S3、异构系统恢复架构：通过虚拟环境抽象层实现；步骤S4、时空维度数据管理模型：基于云原生存储架构实现；步骤S5、自动化恢复编排引擎：通过工作流引擎实现。本发明节省了人力成本的同时提升了系统的可靠性和稳定性，支持高频复制同步，使资源利用率提升，还能够通过块级别的数据同步，提升了数据读取效率。

摘要：本发明涉及一种半导体结构外延层的再生长方法，包括：提供刻蚀后的半导体结构；配制自组装有机溶液；将刻蚀后的半导体结构放入自组装有机溶液中，自组装有机溶液在半导体结构表面形成自组装单层膜，自组装单层膜作为钝化膜；将形成有自组装单层膜的半导体结构放入生长设备，加热至第一温度去除自组装单层膜；第一温度为自组装单层膜的分解温度；加热至第二温度在半导体结构表面进行再生长形成外延层；第二温度为外延层的生长温度。本发明提供的半导体结构外延层的再生长方法可以保证半导体结构表面形成外延层之前不会产生氧化层，提高外延层和半导体结构之间的界面质量，提高外延层生长的质量与效率，进而提升最终形成器件的电学性能和光学性能。

摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种边发射激光器制备方法及边发射激光器，边发射激光器制备方法包括：形成主体结构，主体结构包括依次堆叠的衬底层、有源层、第一半导体包层和欧姆层；自欧姆层背离第一半导体包层的一侧表面进行刻蚀处理，以形成具有第一缺口的脊形台面结构，脊形台面结构沿第一方向延伸，第一方向为边发射激光器腔长的延伸方向，第一缺口位于脊形台面结构靠近出光端面的一侧；在脊形台面结构上形成间隔设置的第一波导槽和第二波导槽，第一波导槽和第二波导槽均沿第一方向延伸；在主体结构的两侧分别形成第一电极和第二电极。第一缺口减少流向出光端面处的载流子。

摘要：本发明涉及激光器制造技术领域，具体涉及一种激光器的制造方法；本发明提供的激光器的制造方法包括：提供器件基体；包括待形成脊形结构的目标区域；刻蚀器件基体，在目标区域形成脊形结构；在刻蚀过程中，器件基体的目标区域两侧的范围全部被刻蚀去除相同的深度；形成SiN保护层，覆盖器件基体的脊形结构所在一侧的表面；形成光刻胶层，至少填充脊形结构两侧的全部空间，且光刻胶层的高度不低于脊形结构的高度；第一刻蚀工艺，去除脊形结构顶面的SiN保护层，同时去除脊形结构两侧的部分厚度的光刻胶层；去除剩余的光刻胶层；本发明提可解决980nm单模高功率激光器脊形结构的波导边缘两侧容易发生漏电的问题。

摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种光子晶体边发射激光器及其制备方法，制备方法包括：提供激光器基体，激光器基体从下至上依次包括：衬底、N型包覆层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型包覆层、P型盖层；激光器基体在竖直方向上包括矩形的第三目标区域和第三目标区域长度方向两端的第二目标区域，以及位于第三目标区域和第二目标区侧部的第一目标区域；在第一目标区域形成离子注入区；在第一目标区域和第二目标区域形成光子晶体；第一目标区域形成模式过滤区，第二目标区域形成电流限制区，第三目标区域形成电流注入区。与相关技术相比，本发明可以增强激光器在横向上的散热特性，提高激光器的电学性能和可靠性，同时简化工艺流程。

摘要：本发明涉及激光传感芯片技术领域，公开了边发射激光传感芯片及其制备方法。制备方法包括：形成包括层叠设置的衬底层、下包层、下波导层、用于产生激光的有源层、上波导层、上包层和盖层的外延结构；外延结构上形成第一沟槽和第二沟槽以及包括单模过滤区、功率放大区和功能区的脊结构；形成绝缘层，绝缘层的第一开口露出脊结构的部分表面形成电流注入表面；第二开口露出脊结构的功能区的部分表面，第一开口和第二开口之间形成传感表面；形成斜沟槽；在传感表面形成纳米传感结构。通过在脊结构内成型斜沟槽，将水平激射的激光转变为朝向传感表面的激光；传感表面设置纳米传感结构，实现未知待检测物质的折射率的获取，适用范围广且检测简单高效。

摘要：本申请涉及光电探测器技术领域，具体涉及一种横向PIN光电探测器及其制造方法。本申请提供一种横向PIN光电探测器的制造方法，包括以下步骤：提供探测器基体，包括层叠设置的SiN层、SiO2层和Si层；刻蚀Si层形成平行且间隔的多个条形结构；热氧化条形结构形成顶面、侧面、端面全包围条形结构的氧化壳；去除条形结构顶面的部分氧化壳形成开口；自开口刻蚀条形结构中的Si层，至Si层剩余远离开口的一部分，作为PIN种子层；在PIN种子层的侧向表面形成基础成核层；在基础成核层的侧向表面依次形成P型掺杂层、本征层和N型掺杂层；去除氧化壳的顶层，形成部分覆盖P型掺杂层和部分覆盖N型掺杂层的探测器电极。