摘要：本发明提供了减少毒性有机化合物的催化剂和该催化剂的制备方法。该催化剂包含具有2－10％结晶度的二氧化钛，它掺杂有钒以及钯、或铬。该催化剂对于毒性有机化合物，如1，2－二氯苯，具有高分解速率，并且其催化活性在催化反应中保持不变。

摘要：码分多址时分多址移动通信的设备涉及一种利用码分多址和可变扩频因子实现移动通信方法的改进，针对FDD宽带码分多址或cdma2000标准中利用可变扩频系数(VSF)实现多用户不同数据速率兼容的技术缺陷，提出一种改进设备，该设备包括基站发信设备和用户端收信设备两部分，在基站发信设备中，由多路相同的语音或低速数据用户的数据电路(A)和一路高速数据用户电路(B)以及相加器(5)、复扰码电路(6)、正交移相键控电路(7)组成；用户端收信设备中的射频处理器(14)的输出端经正交移相键控相干解调器(15)接至串行干扰抵消和用户数据解调器(16)。约可节省一半的发功率，同时使自干扰大幅下降，系统容量上升。

摘要：提供一种在认知无线电通信系统中的资源管理方法，其中，不同种类的网络的至少两个基站在它们的服务区域内提供连接到移动站的服务。在所述方法中，至少一个具有候选资源的BS在系统信息信道的下行链路上广播其候选资源信息。至少一个缺乏资源的BS从临近的不同种类的网络中搜索系统信息信道的下行链路，从具有候选资源的BS中选择供给BS，并通过协商从选择的供给BS租借资源。

摘要：提供一种基于CR的动态频率选择。CR BS检测抗干扰和未被使用的频带。当在频带上感测到在通信期间具有较大的信号强度并请求该频带的新BS时，CR BS释放该频带，并动态地选择另一频带以避免干扰。

摘要：提供一种在认知无线(CR)无线通信系统中划分资源的方法和支持该方法的系统。新BS使用特殊频带从先前BS接收无线电资源状态信息，并使用为BS之间通信定义的新上行链路子信道向先前BS请求资源划分。通过两个BS之间定义的信道交换资源协商消息以有效地划分BS之间的资源。

摘要：本发明公开一种大容量光线路终端散热机箱，包括由钣金成型的箱体、进风系统和排风系统组成，在机箱底部，设有将外部冷却空气抽入机箱内部的进风系统，冷却空气进入机箱内部，沿着大容量光线路终端插件间的空隙快速流动至机箱顶部，由设在机箱顶部排风系统排出机箱外部，进风系统与排风系统形成一个主动散热通道。本发明的散热系统结构简单，进风系统与排风系统由采用可调速风扇的风扇单元盒组成，进出风覆盖所有插件，风扇单元盒自带控制板卡，风道风路短、风阻小，能耗低、散热效率高、可维护性好、可靠性高。

摘要：本发明提供一种嵌入式系统中网口替代串口的实现方法，所述方法包括：设置独立网口；通过与处理器直接连接的独立网口取代串口；启动BOOT优先加载所述独立网口驱动；编写独立网口的数据发送/接收接口；利用独立网口发送/接收UDP广播报文取代串口的数据传输。本方法能够在未连接串口线的情况下，通过网口实现对嵌入式系统的运行过程进行控制，从而便于在带网口不带串口的多数便携式计算机的使用过程中，进行软件调试、故障检测和定位，进而大幅提升嵌入式系统应用设备的整体操控性能，优化用户体验，且减少了维护成本。

摘要：本发明提供一种基于多任务双向长短时记忆网络的隐式句间关系分析方法，包括：获取中文篇章级语义关系语料库，包括隐式句间关系语句和显式句间关系语句；采用多任务学习的方法，以隐式句间关系识别任务为主，显式句间关系识别任务为辅，获得模型输入序列；将主任务和辅任务同时输入到至Bi‑LSTM递归神经网络，通过学习获得隐式句间关系识别模型；对所述隐式句间关系识别模型采用融合词嵌入的方法并引入先验知识，充分利用文本特征，获得更好的识别结果。本发明充分利用了隐式句间关系语句和显式句间关系语句在语义等方面的联系，解决了由于隐式句间关系语句没有较好的特征导致隐式句间关系识别效果不好的问题。

摘要：本发明公开了一种钢轨波磨的波谷深度计算方法及装置，该方法包括：对轴箱加速度振动信号，进行二次频域积分，得到轮轨位移信号；基于ACMD信号分解算法，对轮轨位移信号进行信号分解；将所述轮轨位移信号的二阶模态，作为钢轨的动态响应波磨成分，计算钢轨的动态响应波磨成分的波谷深度；获取钢轨的现场复核数据；对钢轨的现场复核数据进行信号分解；将所述转换数据的一阶模态，作为钢轨的现场复核波磨成分，计算钢轨的现场复核波磨成分的波谷深度；根据动态响应波磨成分的波谷深度和现场复核波磨成分的波谷深度的相似度，确定钢轨波磨的波谷深度的目标值。本发明用以提升钢轨波磨波谷深度计算的精准度和计算效率，节约计算成本。

摘要：一种用于改进超高阶分量的套刻参数的套刻校正方法，包括：通过测量获得套刻的未对准分量；将未对准分量转换为套刻参数；在套刻参数之间应用转换逻辑；将套刻参数转换为像差输入数据；以及通过将像差输入数据应用于曝光机来执行曝光工艺，其中，套刻参数被划分为第一套刻参数和第二套刻参数，第一套刻参数在作为狭缝的延伸方向的第一方向上偏移第二套刻参数在垂直于第一方向的第二方向上偏移，并且执行曝光工艺包括校正第一套刻参数和第二套刻参数，第一套刻参数和第二套刻参数包括相对于狭缝在第一方向上的位置的三阶或更高阶分量。