摘要：本发明提供了一种提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法，属于场效应晶体管MOSFET技术领域。该方法首先定义场效应晶体管器件的隔离区，并在该隔离区域刻蚀一个沟槽；然后，在所述沟槽内壁上淀积一绝缘介质层；最后淀积半导体材料填充上述沟槽。采用本发明可使场效应晶体管隔离结构的氧化层厚度大约是传统STI结构的1/15，由于辐照产生的电荷数与氧化层的厚度成正比，辐照产生的电荷数约是传统STI的1/15，因此，本发明可有效改善超深亚微米场效应晶体管MOSFET器件的抗辐照性能。

摘要：一种来电接听挂断管理方法，该方法包括步骤：当手持行动电子装置有来电时，显示来电操作界面，所述来电操作界面包括一个圆圈及该圆圈圆心处的控制键，该圆圈被分为两个区域，分别为挂断区域及接听区域；侦测用户在来电操作界面上拖动控制键移动的距离；当控制键移动的距离等于或大于圆圈的半径时，根据控制键被拖动时移向的区域来确定接听或者挂断来电。本发明还提供一种来电接听挂断管理系统。利用本发明可使用户更加方便地接听和挂断来电，增加了操作的易用性。

摘要：本发明提供一种源极驱动器与其控制方法与显示装置。源极驱动器包括多个第一通道、多个第二通道、第一导线、第二导线、多个第一开关以及多个第二开关。在驱动期间，第一通道的输出均属于第一极性，而第二通道的输出均属于不同于第一极性的第二极性。第一开关的第一端均耦接至第一导线。第一开关的第二端耦接至第一通道的输出端。第二开关的第一端均耦接至第二导线。第二开关的第二端耦接至第二通道的输出端。

摘要： 一种由同步发电机、晶闸管变流器、电阻器、无触点开关构成的同步发电机励磁装置,有两套完全相同的电路,与发电机的两组转子绕组相串联.发电机正常远行时,只投入一台晶闸管变流装置提供励磁电流;当需要强励时,两套电路中的晶闸管变流器同时投入运行.本发明提出的发电机励磁装置,可避免晶闸管变流装置的过渡深控,降低电机转子励磁回路对地绝缘水平,缩短灭磁时间,实现快速灭磁.

摘要：本发明公开了一种制备纳米尺度间隙金属电极对的方法、属于纳米加工技术领域。该方法包括：首先制备一对微米尺度的金属电极对；在上述金属电极对上，引出两根金属丝，其中至少一根金属丝的材料应该采用金属活动顺序表中位于金属电极材料之前的金属；将电解液覆盖在上述电极对上，且同时覆盖在金属丝与电极对相连部分上，通过上述金属丝与电解液之间的化学反应，在单根或两根金属电极的表面析出金属，使相对金属电极之间的间距逐渐减小，从而获得纳米尺度间隙的电极对。本发明操作简单，工艺可靠、成本低。

摘要：本发明公开了一种用碳纳米管实现上下两层导电材料垂直互连的方法，属于集成电路中的互连技术。该方法包括在基底上制备一包括上、下两水平面的垂直结构；在上述垂直结构上淀积导电材料，形成上、下两个导电层；制备碳纳米管溶液，将该碳纳米管溶液滴至上述垂直结构上，并在上、下导电层之间施加直流电或交流电，碳纳米管的两端分别搭接在两层导电材料上；淀积绝缘介质材料，形成碳纳米管通孔结构，从而实现上、下两层导电材料之间的垂直互连。本发明中碳纳米管制备与组装过程分别单独进行，且后者在室温下进行，因此该互连技术可避免碳纳米管制备过程对电路芯片所致的污染，可与现有的CMOS工艺兼容。

摘要：本发明涉及CMOS超大集成电路，是一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管。本发明在场效应晶体管的源/漏区与衬底之间，插入形变介质层，利用直接与衬底接触的形变介质层，诱使沟道发生应变，用于提升沟道载流子迁移率和器件性能。具体效果为，利用具有张应变的形变介质层可以诱使沟道发生张应变，可用于提升沟道电子迁移率；利用具有压应变的形变介质层可以诱使沟道发生压应变，可用于提升沟道空穴迁移率。本发明既可以保证沟道应力引入的有效性，同时又从根本上改善了场效应晶体管的器件结构，提升了器件短沟效应抑制能力。

摘要：本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法，该方法在有源区和场区定义之后，在场区注入硅离子，去除注入掩膜之后，利用热氧化在场区生成隔离所需要的氧化硅，最后利用选择腐蚀去除有源区表面热氧化生成的氧化物。本发明既可以获得用于集成电路制造工艺的场区隔离结构，同时工艺制备流程采用常用工艺，制备方法简单。

摘要：本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法，该方法在有源区和场区定义之后，在场区注入硅离子及配对离子，去除注入掩膜之后，利用热退火在场区生成氧化硅隔离层。本发明既可以获得用于集成电路制造工艺的场区隔离结构，同时工艺制备流程采用常用工艺，制备方法简单。

摘要：本发明公开了一种电容放电方法和电容放电电路，应用于开关电源中，其通过检测电路检测所述开关电源中X电容一端电压以产生一第一电压信号，然后监测所述第一电压信号，如所述第一电压信号在预设时间内保持低电平无效状态时，则检测电路输出的检测信号变为高电平有效状态，表征所述开关电源的输入端断电；这时，所述放电电路接收所述检测信号，以在所述开关电源的输入端发生断电后给所述X电容放电。本发明的电容放电电路无需放电电阻等器件，降低了系统的功率损耗，也减小了空载功耗和待机功耗，满足新标准的电源能耗要求。