摘要：一种顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，涉及晶体生长新工艺，将泡生法、提拉法(CZ)、热交换法(HEM)、温梯法(TGT)和坩埚下降法结合在一起，创造一个可调节温度梯度和温场中心的特殊高温真空晶体炉，通过装炉、抽高真空、升温化料、洗籽晶、实时温场调节、提拉法下种、多次“缩径工艺”、提拉法“放肩工艺”、泡生法“等径工艺”、HEM热交换结合TGT技术等径生长(控径技术为CZ称重)、CZ法收尾&脱坩埚、退火，生产出大尺寸高温氧化物晶体，同样适用于高真空环境和气氛保护环境。有益效果是利用最低的能耗和最低的成本制造出多种高品质高温氧化物晶体材料制品。

摘要：一种炉体温度梯度实时可调机构，涉及晶体生长设备和高温设备，属于晶体生长设备和半导体设备制造技术领域，主要为炉体，由炉壁和炉盖构成，炉盖放置在炉壁上下端面，其特征在于：所述炉壁和上下炉盖在垂直方向上分成一层或多层，在水平方向上分成一块或多块。有益效果是将炉壁分割成若干个独立室、炉盖也分割成若干个独立冷却室的炉膛，在应用中每个腔室的冷却流体、液体或气体的温度和流量都可以分别控制，控制每个小腔室的流量和温度，就可以在炉膛的空间内实现对温度梯度的精确控制。

摘要：一种模块化多用途晶体生长系统，涉及晶体生长，其特征在于：包括提拉机构，生长机构、下拉机构和真空装置，提拉机构安装在生长机构的上端，在生长机构的一侧和真空装置相连通，底端通过下水冷杆和下拉机构相连，在生长机构中通过和提拉机构、下拉机构的连接实现提拉法、温度梯度法(TGT)、热交换法(HEM)、熔盐法、泡生法(Kyropoulos)和坩埚下降法生产晶体，并可以实现顶部籽晶温度梯度法(TSTGT)生产晶体。有益效果是通过调节梯度来调节温场，可以方便的得到不同晶体生长所需要的高温和温度分布，从而提高了研发和生产的效率，使晶体尺寸和质量得到提高，提高设备的利用率。

摘要：一种金属发热体，为晶体生长热场，由金属法兰和金属发热体构成，金属法兰固定在金属发热体的开口处，通过金属法兰将金属发热体固定成一体，其特征在于：所述金属发热体由金属发热丝弯折组合而成，在所述弯折后的金属发热丝之间的间距、密排度呈现不规则状或规则状，构成的金属发热体高度在100-2000mm之间。有益效果是金属发热体内可达到的温度范围在1000~2500℃之间，通过调节金属发热体的间距、密排度、折弯形式和高度可以获得生长不同晶体所需要的温度和温度分布，从而提高了晶体的尺寸和质量，解决大尺寸高温氧化物晶体的生长困难问题。

摘要：一种可以调节固液界面温度梯度的坩埚盖板，涉及晶体生长热场结构，主要用于晶体生长用坩埚上的坩埚盖板，其特征在于：所述坩埚盖板内壁在沿中心点处向外延伸，每个同心圆环的圆环面制有不同的厚度。有益效果是将坩埚盖板内侧面制成非等厚，改变了热辐射、热对流和热传导，使得固液界面的温度分布到达工艺的要求，提高了晶体的尺寸和质量。

摘要：一种籽晶位置实时可调机构，涉及晶体生长设备，包括提拉升降机构，顶端安装升降驱动机构，通过升降驱动装置提供提拉升降机构的驱动动力，还包括旋转机构，和提拉升降机构之间通过连接杆相接，在旋转机构下连接软轴或硬轴晶杆的一端，还包括密封的波纹管机构，其中波纹管机构和软轴或硬轴晶杆另一端相接，其特征在于：所述提拉升降机构的下端连接可旋转连接杆，所述可旋转连接杆和滑块装置相连，在所述可旋转连接杆驱动滑块装置进行360°旋转，滑块装置在水平面上做前后和左右滑动。有益效果是连接杆、旋转机构和滑块装置的配合使用，可以实现晶杆带动籽晶做三维运动，方便的实现了籽晶在水平面上的自由移动。

摘要：一种制造表面刻槽光学面板的方法，涉及材料表面微加工技术，将表面刻槽光学面板用于光学信号反射源或光纤微支架，其特征在于：所述的表面刻槽光学面板为一个一个的单体器件，单体器件通过光学冷加工器件拼接而成，在所述单体器件的表面刻有异性槽。有益效果是每道槽的加工要求落实到每一个单体，不会因为一道槽的质量问题而报废整个光学面板，同时槽的表面加工质量容易保障，降低了加工难度和提高了刻槽光学面板的成品率。

摘要：一种垂直温度梯度泡生法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，涉及晶体生长新工艺，在泡生法的基础上，结合提拉法(CZ)、热交换法(HEM)、温梯法(TGT)和坩埚下降法的优点，包括提拉结构，在所述的提拉结构下与炉盖和炉膛相连，所述的炉膛中设置有法兰座、金属发热体、保温罩和坩埚，在所述的法兰座下固定环状组合保温层，所述的坩埚下设置坩埚托和坩埚托杆用于支撑坩埚，所述坩埚托杆外包裹下保温罩。通过创造一个可调节温度梯度和温场中心的特殊高温真空晶体炉，生产出大尺寸高温氧化物晶体。有益效果是利用最低的能耗和最低的成本制造出多种高品质高温氧化物晶体材料。

摘要：本发明公开了一种补强结构强化蓝宝石基板，包括蓝宝石基板，在蓝宝石基板上开设有工艺孔，在蓝宝石基板的上表面、下表面、四周侧面以及工艺孔的内壁均设有补强结构层，且补强结构层为单晶氧化铝膜层或者玻璃态氧化铝膜层。其制备方法主要包括：蓝宝石基板表面吸附三甲基铝、惰性气体吹淋多余的三甲基铝蒸汽、补强结构层的形成以及惰性气体吹淋多余的氧化性气体步骤，本发明采用原子层气相沉积蓝宝石单晶膜层或玻璃态氧化铝膜层对基板进行强化，制备出能够极大提高并稳定蓝宝石基板薄片的机械强度、尤其是手机触摸屏行业的相关的各类机械抗摔抗压强度

摘要：本发明公开了一种用于高温氧化物晶体生长温场的空心球及其制备方法，它包括以下各组分：70~99.4重量份的Al₂O₃或ZrO₂，0.1~10重量份的SiO₂或TiO₂，CaO、MgO或Cr₂O₃中一种、两种或者两种以上的混合物共计0.5~20重量份。其制备方法包括熔化、吹气、冷却与筛分四步骤。本发明针对晶体生长温场要求引入低熔点与高熔点氧化物混合制得复合组分原料，两者配合引入可使喷吹得到的空心球具有更好的强度与韧性，可完全满足晶体生长温场要求，使用寿命长、成本低；以氩气作为喷吹气流，使空心球内部包裹不会对晶体生长环境造成任何影响的惰性气体，从根本上解决了因空心球破损引入空气至晶体生长环境使熔体造成污染的问题，能有效提高晶体质量。