摘要：本发明公开了一种可增强长距离探测的分布式光纤振动传感器及方法，属于光纤振动传感技术领域。该系统包括：光源，电光调制器、脉冲驱动器、有源光放大器、环形器、偏振分束器、采集器、信号分析处理系统，其特征在于：该系统还包括远端光纤中继。远端光纤中继嵌入多级传感光纤之间，远端光纤中继利用其增益克服了光纤损耗，增强了光纤中自发瑞利散射光的强度，提高了分布式光纤振动传感系统的信噪比，增大了分布式光纤振动传感系统的传输距离，提高了目标区域内的振动事件的测量精度；同时，避免了由于高光功率泵浦光带来的安全隐患。

摘要：本发明技术方案公开了一种水容量不超过30L的蒸汽发生器，包括承压盘管、燃烧器、汽水分离器、注水泵，所述的承压盘管为上部为多层蚊香状盘管与下部为螺旋状盘管组合体，所述的承压盘管由若干根钢管同步绕制而成，所述的若干钢管具有一体的共同入口与共同出口；所述的注水泵与共同人口联通；所述的共同出口与汽水分离器联通；所述的燃烧器设置在承压盘管的下部的螺旋状盘管的下方。本发明的有益效果为：水容量不超过30L，管程过短，节能环保，设备整体轻巧，产气快，热效率高蒸汽出力可达1000kg/h，且安全性好使用寿命长，很好地解决了蒸汽出力在1000kg/h及以下的最大运行水容量不大于30L的关键问题。

摘要：本发明提供了一种液晶面板分层检测设备及方法，该设备包括：底座、移动载台、自然光源相机组件、第一紫外光源相机组件、第二紫外光源相机组件、上光源组件和背光源组件，移动载台选用气浮平台，移动载台设置于底座上方，自然光源相机组件、上光源组件和第一紫外光源相机组件均位于移动载台的一侧，第一紫外光源相机组件与第二紫外光源相机组件以液晶面板为轴线对称设置，第二紫外光源相机组件与背光源组件均位于液晶面板的另一侧；其中，上光源组件包括第一自然光源组件、第一紫外光源组件，背光源组件包括第二自然光源组件、第二紫外光源组件。本发明能够自动化区分液晶面板表面的缺陷和液晶面板内部的缺陷，提高检测效率。

摘要：本发明提供了一种检测相机的自动调焦系统，其包括：微调升降旋转机构；相机支架，其顶部与微调升降旋转机构相连，其底部与检测相机相连；调焦轴座，其与升降支座的底部相连，调焦轴座内设有轴承，轴承内设有调节转轴，调节转轴内设有容纳相机的空间，且调节转轴的内表面与相机不接触；圆弧齿同步轮，其顶部与调焦转轴的底部相连，圆弧齿同步轮通过传送带与驱动机构相连；调焦环，其通过浮动传动机构与圆弧齿同步轮相连；调焦卡环，其设置于调焦环的内侧，调焦卡环卡入调焦环与镜头的焦圈之间的空隙以适于调焦卡环锁紧焦圈。本发明自动调节检测相机的焦距和物距，能够调节至最合适匹配焦距和物距，大大提高光学检测的效率和正确率。

摘要：本申请公开了一种用于车辆的防抱死控制方法，包括在车辆运行时，检测车辆的行驶工况；在工况为预设工况时，开始计时，并且降低车辆低附着力轮胎的制动压力；在计时达到第一阈值时，对车辆高附着力侧的轮胎的制动压力实行第一次降低，且在第一次降低达到预设条件时暂停；在计时达到第二阈值时，对车辆高附着力侧的轮胎的制动压力实行第二次降低。还提供相应的防抱死控制系统和用于其的控制器。

摘要：本申请涉及模压硫化技术领域，具体涉及一种橡胶产品模压硫化方法及系统，该方法包括：获取橡胶产品模压硫化过程中硫化温度；分析各采集时刻的近邻采集时刻的硫化温度的变化程度得到各采集时刻的硫化增益值；将所有所述硫化增益值划分为多个分段子序列，分析各分段子序列内的硫化增益值差异，结合各分段子序列内硫化增益值的累积程度，得到各分段子序列的硫化增益持久度；根据模压硫化过程中硫化增益持久度的变化趋势特征，对模压硫化过程中的硫化时长进行调节，以获取硫化调节时长；基于硫化调节时长对模压硫化时间进行控制，以得到模压硫化后的橡胶产品。本申请可保证硫化橡胶产品质量，降低橡胶产品生产成本。

摘要：本申请公开了一种车辆的抗扰动控制方法、控制系统以及车辆，涉及车辆控制技术领域。包括：根据本车路径估计和环境车辆路径估计，在位于本车当前车道的相邻车道上确定目标车辆；根据目标车辆的速度和尺寸，确定目标车辆的压力场的模式和强度；在本车进入目标车辆的压力场时，根据压力场的模式和强度向本车施加抗扰动控制。通过上述技术方案，当有大型车辆从本车侧面高速掠过时，本发明能够利用现有的传感器系统提前识别可能发生的横向气流对本车的影响，主动提供相应措施来稳定自身车辆，以削弱甚至消除本车在这种场景下可能发生的行驶偏移，车身晃动等问题。从而维持车辆安全、稳定的行驶状态，提升驾驶员主观感受。

摘要：本发明公开了一种淀积SONOS存储器隧穿氧化层的方法，其中，具体步骤包括：步骤a、于一硅衬底上以原位水气生成工艺淀积形成一层氧化硅层；步骤b、对所述氧化硅层进行氮化，形成氮化层；步骤c、于所述氮化层表面形成一层氮化硅存储介质层；步骤d、于所述氮化硅存储介质层表面形成一层第二氧化硅层；步骤e、于所述第二氧化硅层上形成多晶硅栅。本发明的有益效果是：氧化物薄膜体内缺陷少，界面态密度较小，氧化物薄膜的质量提高，降低隧穿氧化层的厚度，增加了氮化膜存储介质层的厚度，提升擦写速度。

摘要：本发明公开了一种晶体管及其沟道长度的形成方法。其包括：衬底、形成在所述衬底上的耐高压半导体层、利用高压条件形成在所述耐高压半导体层中的非对称漂移区，非对称漂移区之间的距离为有效的沟道长度。非对称漂移区之间的距离为有效的沟道长度，使得比如在源端和漏端均形成漂移区，从而提高了器件的电学稳定性。另外，在形成非对称漂移区时已经定义好了器件的沟道长度，从而省去了额外对源端的外延栅氧部分进行刻蚀的光罩，从而简化了器件的制程，降低了生产成本。

摘要：本发明提供一种高压晶体管制备工艺，其特征在于，包括：步骤一：在有源区定义之前，进行高压阱注入以及轻掺杂的源漏注入形成漂移区；步骤二：完成有源区的定义，生长高压栅氧和覆盖于所述高压栅氧上表面的多晶硅，形成多晶硅栅极；步骤三：制备二氧化硅层覆盖所述栅极和所述有源区的表面；步骤四：刻蚀所述二氧化硅层，在栅极边缘形成厚侧壁隔离介质，所述厚侧墙隔离介质的宽度与所述多晶硅的厚度相同；步骤五：进行源漏重掺杂注入。使用本发明一种高压晶体管制备工艺，通过利用轻掺杂漂移区及宽侧墙工艺隔离的方法以达到提高高压器件击穿电压，同时，本发明的器件结构则摒去额外的STI隔离工艺，有效地减小器件面积。