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发明专利:320实用新型: 248外观设计: 18
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申请号:201310041216.8 公开号:CN103969961A 主分类号:
申请人:上海微电子装备有限公司 申请日:2013.02.04 公开日:2014.08.06
发明人:齐景超;陈飞彪
摘要:本发明提出一种调焦调平系统,包括光源、投影狭缝、投影单元、成像单元、扫描反射镜、探测狭缝和探测单元,所述光源发出的光经过所述投影狭缝后形成投影光斑,所述投影光斑经过所述投影单元并经硅片面反射后形成测量光斑,所述测量光斑投影在所述扫描反射镜上,再经过所述扫描反射镜反射进入所述探测单元,从而得到所述硅片的高度信息,其特征在于,还包括一用于在扫描方向上放大所述测量光斑的微透镜阵列,所述微透镜阵列位于光路中所述成像单元之后、所述扫描反射镜之前,所述微透镜的数量与所述投影光斑的数量相同,所述微透镜的排列与所述投影光斑的位置相互对应。
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申请号:201310130634.4 公开号:CN104111596A 主分类号:
申请人:上海微电子装备有限公司 申请日:2013.04.16 公开日:2014.10.22
发明人:齐景超;陈飞彪
摘要:本发明公开一种用于光刻设备的全局调平的装置,包括:一支撑台,用于调整一硅片至少三个自由度的移动;一调焦调平装置,用于测量所述硅片的垂向位置和/或倾斜角度; 该调焦调平装置包括n个传感器,所述硅片边缘均匀设有N个调平点,所述传感器位于所述调平点的上方,所述传感器用于测量所述调平点位置信息,所述传感器数量n与调平点N满足3≤n≤N。本发明还公开了一种采用上述用于光刻设备的全局调平装置的全局调平的方法。
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申请号:201410140997.0 公开号:CN104977821A 主分类号:
申请人:上海微电子装备有限公司 申请日:2014.04.09 公开日:2015.10.14
发明人:齐景超;陈飞彪
摘要:一种基于预扫描的轨迹校正调焦调平装置,其特征在于,包括一传感器阵列和一水平运动台,在预扫描过程中,所述传感器阵列可对多个采样点进行采样,所述装置可根据传感器的采样结果对被测表面进行拟合,根据采样结果和拟合得到的拟合面之间的差值,所述水平运动台可运动,控制所述传感器阵列整体在x方向上进行位置微调,或传感器阵列中超出阈值的测量值所对应的的传感器,在x方向上进行位置微调。
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申请号:201410199498.9 公开号:CN105892241A 主分类号:G03F7/207(2006.01)I
申请人:上海微电子装备有限公司 申请日:2014.05.12 公开日:2016.08.24
发明人:齐景超;陈飞彪
摘要:本发明提出一种高效光刻机大面积静态调焦调平装置,包括:投影物镜、硅片、工件台和调焦调平装置,所述投影物镜将掩膜图形曝光到硅片上;所述调焦调平装置包括光源、照明镜组、投影狭缝、投影镜组、探测镜组和探测器,所述光源经过所述照明镜组和所述投影镜组将所述投影狭缝成像在被测物上,经被测物反射后通过所述探测镜组将投影狭缝的像成像在所述探测器上;其特征在于,所述投影狭缝的测量光斑可以覆盖多个曝光场,每个曝光场包括多个测量光斑。本发明提出的一种高效大面积静态调焦调平装置和方法,可同时对多个曝光场进行测量。场切换时直接到达最佳焦面,减少了测量及逐场调平时间,提高整机效率。
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申请号:201410851525.6 公开号:CN105807570A 主分类号:G03F7/20(2006.01)I
申请人:上海微电子装备有限公司 申请日:2014.12.31 公开日:2016.07.27
发明人:齐景超;陈飞彪
摘要:本发明公开了一种自适应沟槽的调焦调平装置,用于测量被测物体的高度和倾斜度,该装置依次包括照明单元、投影单元、被测物体、探测单元及探测器,所述投影单元包括投影狭缝,用于在被测物体上形成若干个测量点,每个测量点包括若干个测量子光斑,若干个所述测量子光斑以不等间距排列的方式设置,使得当有测量子光斑落入沟槽时,根据探测器探测到的测量子光斑的光斑间距来识别有效的测量子光斑,从而测量被测物体的高度和倾斜度。
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申请号:202211500199.5 公开号:CN115729057A 主分类号:G03F7/20
申请人:合肥御微半导体技术有限公司 申请日:2022.11.28 公开日:2023.03.03
发明人:杨朝兴;齐景超
摘要:本发明公开了一种套刻测量方法。该方法包括:获取第一层图形以及与第一层图形相邻的第一层中间层图形形成的第一图像;依次获取第i+1层中间层图形以及与第i+1层中间层图形相邻的第i+2层中间层图形形成的第i+2图像;获取第i+2层中间层图形以及与第i+2层中间层图形相邻的第二层图形形成的第i+3图像,其中,各层中间层图形依次叠放在第一层图形之上;第二层图形叠放在第i+2层中间层图形之上;根据第一图像至第i+3图像获得第一套刻误差至第i+3套刻误差,进而将第一套刻误差至第i+3套刻误差累加获得第一图像相对于第二图像的套刻误差。本发明实施例通过在套刻标记内外圈图形之间增加中间层,简化了套刻量测工艺复杂性,提高了套刻量测精度和量测产率。
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申请号:202311619724.X 公开号:CN117607163A 主分类号:G01N21/95
申请人:上海御微半导体技术有限公司 申请日:2023.11.29 公开日:2024.02.27
发明人:齐景超;郑教增
摘要:本发明公开了一种基于点扫描探测器的晶圆检测方法、装置和设备,晶圆检测方法包括:控制转台带动晶圆旋转,同时控制点扫描探测器对晶圆进行扫描;根据转台的旋转角度、点扫描探测器与转台的旋转中心的位置关系、以及点扫描探测器的扫描结果,获取墨卡托视角采样图;获取墨卡托视角采样图中的晶圆的边缘点的墨卡托视角坐标;将边缘点的墨卡托视角坐标转换为以旋转中心为原点的物理坐标;根据各边缘点的物理坐标,确定晶圆的圆心位置和边缘位置。采用上述技术方案,可以简易、精确地检测出晶圆的圆心位置和边缘位置。
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申请号:201710889798.3 公开号:CN107620608A 主分类号:E21F15/00
申请人:首钢集团有限公司 申请日:2017.09.27 公开日:2018.01.23
摘要:本发明公开了一种地下充填矿山采区布置装置及方法,属于采矿技术领域。所述地下充填矿山采区布置装置包括:若干间隔机构设置在矿山采区内;溜放机构设置在容置空间中间;第一巷道设置在容置空间内;绕道设置在容置空间内,绕道第一端与第一巷道连通,绕道设置在溜放机构处;第二巷道设置在容置空间内,第二巷道与绕道的第二端连通。本发明地下充填矿山采区布置装置及方法在保证溜井安全稳定的前提下,最大限度提高矿石回采率。
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申请号:201711420109.0 公开号:CN108163138A 主分类号:B63B9/00(2006.01)I
申请人:沪东中华造船(集团)有限公司 申请日:2017.12.25 公开日:2018.06.15
摘要:本发明公开了一种舰船主机大修的出舱方法,属于船舶建造技术领域。该方法包括以下步骤:步骤一、在船体上开设第一组吊装孔、第二组吊装孔和第三组吊装孔;步骤二、通过第一吊车将主机从主机舱内起吊至直升机机库甲板上;步骤三、通过第一吊车和浮吊交替起吊,将主机移至直升机机库内;步骤四、通过卷扬机、槽钢轨道和运载小车,将主机移动至飞行甲板上。该方法易于掌握,省时省力,减少了主机出舱作业的工作量,能避免出舱过程中使用其他方法时易对主机造成损坏的缺点,具有操作简单,安全可靠的特点,可应用于3000T舰船主机大修出舱,民用船舶
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申请号:202211500157.1 公开号:CN115729056A 主分类号:G03F7/20
申请人:合肥御微半导体技术有限公司 申请日:2022.11.28 公开日:2023.03.03
摘要:本发明实施例公开了一种三维套刻标记和套刻误差测量设备测校方法。三维套刻标记包括基板以及位于基板上的多个套刻标记;多个套刻标记中,任意两个套刻标记在第一平面上的垂直投影的高度不同;第一平面垂直于基板所在平面。由于套刻标记在第一平面延伸方向的高度不同,不同高度的套刻标记与拍摄点的距离不同,即不同高度的套刻标记形成的图像可表示的离焦程度不同。由此,完成一次图像拍摄即可获得不同离焦范围下套刻标记的图像,无需移动套刻标记的位置进行反复遍历测量,极大程度提升了套刻误差测量设备的测校效率,避免长时间测校过程中环境因素对测校造成干扰;同时也能避免套刻标记在水平向上位置发生偏移,影响测校精度。
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