摘要：本发明提供了一种以苯并咪唑为母体的具有结构式(I)所示结构的化合物、以及包含该化合物的有机电致铱磷光材料和有机电致发光器件：其中，R₁、R₂、R₃分别独立地选自H、取代或未取代C1-C20的烷基、环烷基、芳香基；Ar选自苯基、萘基、菲基、蒽基、氮杂苯基、氮杂萘基、氮杂菲基、氮杂蒽基。这类材料具有高的三重态能级、高的玻璃化转变

摘要：本发明提供了一种化合物用于OLED材料的电子传输层、发光层、空穴传输层，所述化合物具有结构式(I)所示结构：(I)；其中，X₁、X₂、Y分别独立地为至少一个取代或未取代的苯环，R₁、R₂分别独立地为供电子基团。本发明提供了一种以芴为母体的咔唑衍生化合物以及以该化合物作为OLED主体材料，使小分子主体材料不易于结晶，并提高了宽能带主体材料的玻璃化温度，制作的显示屏器件反应速度快、耗电少、视角广。

摘要：本发明公开了一种用于OLED蓝色发光材料的芘衍生物，其结构为通式(Ⅰ)所示：其中，R1～R10中有2个位置被2个吲唑基取代，其他8个位置各自独立地为氢或被非吲唑基的取代基所取代；其中，A1～A5各自独立地为氢或被取代基X所取代。本发明设计的一系列芘衍生物可用于制作OLED器件，尤其是可作为OLED蓝色发光材料，可作为电子传输材料，亦可用于空穴传输层；该类发光材料具有良好的电子传输性、溶解性和热稳定性，具有应用于AMOLED产业的良好前景。

摘要：本发明提供了一种可用于电致蓝色发光材料的苯并芘衍生物，其特征在于，其结构为通式(Ⅰ)所示的化合物：其中，R1～R8中任意2个为胺基，另外6个各自独立地为非胺基的基团；A1～A4各自独立地为非胺基的基团。优选地，所述非胺基的基团为：氢、卤素、氰基、C1～C10烷基、取代或不取代的C3～C10环烷基、C1～C10烷氧基、C2～C10链烯基、取代或不取代的C6～C30芳香烃基、取代或不取代的C10～C30稠环芳烃和C3～C30杂环芳烃、取代或不取代的C7～C30芳烷基、C3～C30丙烯氧基。本发明还分别提供了一种含有通式(Ⅰ)所示的化合物的OLED电子传输层材料、发光层材料、空穴传输层材料、OLED器件及其制备方法。含有通式(Ⅰ)所示的化合物的OLED材料，提高了其空穴传输性、溶解性及热稳定性。

摘要：本发明提供了一种可用于电致蓝色发光材料的环戊烯并芘衍生物，其特征在于，其结构为通式(Ⅰ)-(Ⅳ)之一所示的化合物；其中，R1～R8中任意2个为胺基，另外6个各自独立地为非胺基的基团；R9也为非胺基的基团，R10为O；A1～A4各自独立地为非胺基的基团；当所述环戊烯并芘衍生物为式(Ⅰ)所示的化合物时，X为O或S；当所述环戊烯并芘衍生物为式(Ⅱ)所示的化合物时，X为N或P；当所述环戊烯并芘衍生物为式(Ⅲ)或(Ⅳ)所示的化合物时，Y为S。含有通式(Ⅰ)-(Ⅳ)之一所示的化合物的OLED材料，具有较高的空穴传输性、溶解性及热稳定性。

摘要：本发明提供了一种可用于电致发光材料的1，3，4-三氮杂芘衍生物，其特征在于，其结构为通式(Ⅰ)所示的化合物：

摘要：本发明提供了一种用于有机电致发光材料的苯并苝衍生物，其结构为通式1所示：(1)，R1-R12中有两个位置被氨基取代，其它位置分别独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或不取代的烷基、取代或不取代的环烷基、取代或不取代的烷氧基、取代或不取代的链烯基、取代或不取代的芳香烃基、取代或不取代的芳香族稠环基、取代或不取代的芳烷基、取代或不取代的丙烯氧基。所述苯并苝衍生物用于有机电致发光器件中，尤其作为一种有机电致发光材料，用于OLED发光层、OLED电子传输层或OLED空穴阻隔层中，具有很好的性能，主要表现在溶解性和热稳定性等方面。

摘要：本发明提供了一种用于有机电致发光材料的苯并菲罗啉衍生物，其结构为：其中，R1-R8中有两个位置被氨基取代，其它位置分别独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或不取代的链烷基、取代或不取代的环烷基、取代或不取代的烷氧基、取代或不取代的链烯基、取代或不取代的芳香烃基、取代或不取代的芳香族复环基、取代或不取代的芳烷基、取代或不取代的丙烯氧基。所述苯并菲罗啉衍生物用于有机电致发光器件中，尤其作为一种有机电致发光材料，用于OLED发光层、OLED电子传输层、OLED空穴传输层或OLED空穴阻隔层中，不仅具有玻璃转化温度高、迁移率好、利于蒸镀等优点，而且具有良好的空穴传输性、溶解性和热稳定性。

摘要：本发明涉及一种磷光主体材料及其制备方法，以及采用该磷光主体材料的有机发光器件，以及采用该有机发光器件的显示装置；该磷光主体材料具有如下式(1)的结构式：其中，R₁、R₂、R₃或R₄各自独立地为H、取代或未取代的苯基或C₁～C₁₀的烷基。本发明的磷光主体材料，具有宽能隙、高玻璃化温度、以及浓度淬灭效应小等优点。

摘要：本发明涉及成像系统和图像识别技术领域，具体涉及一种扫描电镜芯片图像的缺陷检测方法。该方法包括以下步骤：MobileNetV3模型作为缺陷有无模型；ResNet50模型作为缺陷分类模型；改进后的YOLOv8模型作为缺陷定位模型；用扫描电子显微镜扫描芯片，获取增强后的训练数据集；得到训练好的缺陷有无模型、缺陷分类模型、缺陷定位模型。用扫描电子显微镜扫描待检测芯片，获取增强后的图像数据；通过训练好的缺陷有无模型将增强后的图像数据进行缺陷有无检测；无缺陷的图像数据作为输出结果；有缺陷的图像数据输入缺陷分类模型中进行分类，将分类后的图像数据按类别输入至缺陷定位模型中，在图形用户界面中输出。通过本发明，实现了快速精准的芯片缺陷识别、分类与检测。