摘要：本发明公开了一种用于检查管子(P)的管鞋设备(10；100)，所述管鞋设备包括：主体(12；112)；位于所述主体(12；112)上的薄膜(22；50；51；113)，所述薄膜包括压电材料；和位于所述薄膜上的多个超声传感器(20；110)。

摘要：硫族化物选择器件(24，120)和硫族化物存储元件(40，130)都在电介质(18，22)内的通路内形成。结果，硫族化物有效地陷入在通路内并且不需要胶合层或粘合层。而且，避免了脱层问题。在与存储元件(40，130)相同的通路(31)内形成喷枪材料(30)。在一个实施例中，喷枪材料由于存在侧壁隔离物(28)而做得更薄；在另一个实施例中，不使用侧壁隔离物。用于形成存储元件(130)的硫族化物(40)和喷枪材料(30)之间相对小的接触面积是通过在电介质(34)中提供针孔开口来实现的，电介质(34)分开了硫族化物和喷枪材料。

摘要：本公开内容涉及用于非易失性微电子存储器设备的自旋转移力矩存储器元件的制造。所述自旋转移力矩存储器元件可以包括与具体限定了大小和/或形状的固定磁层连接的磁性隧道结，所述固定磁层可以安置在邻接自由磁层的具体的位置处，所述限定了形状的固定磁层可以使自由磁层中的电流集中，这可以带来在自旋转移力矩存储器元件中切换位单元所需的临界电流的降低。

摘要：本发明描述了具有基于阳离子的导电氧化物元件的低电压嵌入式存储器。例如，存储器元件的材料层堆叠体包括第一导电电极。基于阳离子的导电氧化物层设置在所述第一导电电极上。所述基于阳离子的导电氧化物层具有位于其中的多个阳离子空位。第二电极设置在所述基于阳离子的导电氧化物层上。

摘要：垂直取向的纳米线晶体管包括半导体层或具有在所述晶体管的长度上变化的组分的栅极电极。在实施例中，晶体管沟道区的组分沿所述沟道的长度组分渐变或分层，以诱导应变，和/或包括高迁移率注入层。在实施例中，沉积包括多个栅极电极材料的栅极电极叠置体，以调制沿所述栅极长度的栅极电极功函数。

摘要：描述了垂直晶体管器件。例如，在一个实施例中，垂直晶体管器件包括设置在衬底上的外延源极半导体区、设置在所述源极半导体区上的外延沟道半导体区、设置在所述沟道半导体区上的外延漏极半导体区、以及包围所述半导体沟道区的侧壁的栅极电极区。所述半导体区中的至少一个半导体区的组分沿着相对于所述衬底的表面垂直的纵向轴而变化。

摘要：描述了一种装置，该装置包括：存储节点；耦合到存储节点的第一器件；耦合到第一基准与存储节点的第二器件，其中，第二器件具有负微分电阻(NDR)；耦合到第二基准与存储节点的第三器件，其中，第三器件具有NDR；以及用于读取数据的电路，所述电路耦合到存储节点以及第一、第二、和第三器件，其中，第一、第二、和第三器件、以及所述电路是在管芯的后端制程(BEOL)中放置的。

摘要：本发明描述了具有用于eDRAM的集成双壁电容器的半导体结构及其形成方法。例如，嵌入式双壁电容器包括设置在第一电介质层中的沟槽，其中所述第一电介质层设置在衬底之上。所述沟槽具有底部和侧壁。U形金属板设置在所述沟槽的底部，与其侧壁间隔开。第二电介质层设置在所述沟槽的侧壁和所述U形金属板上且与它们共形。顶部金属板层设置在所述第二电介质层上且与其共形。

摘要：描述了具有半金属的自旋转移扭矩存储器(STTM)设备以及写入和读取所述设备的方法。例如，磁性隧道结包括自由磁性层、固定磁性层以及布置在自由磁性层和固定磁性层之间的电介质层。自由磁性层和固定磁性层之一或两者在与电介质层的界面处包括半金属材料。

摘要：本公开内容的实施例描述了用于提高磁性隧道结的界面各向异性的配置和技术。在实施例中，磁性隧道结可以包括盖帽层、隧道阻挡部、以及被设置在盖帽层与隧道阻挡部之间的磁性层。在一些实施例中，缓冲层可以被设置在磁性层与盖帽层或隧道阻挡部中所选择的其中之一之间。在这样的实施例中，缓冲层与盖帽层或隧道阻挡部中所选择的其中之一的界面各向异性可以大于磁性层与盖帽层或隧道阻挡部中所选择的其中之一的界面各向异性。可以描述和/或要求保护其它实施例。