摘要：电压转换器包括形成在单个管芯(“功率管芯”)上的具有高压器件和的压器件的输出电路。高压器件包括横向扩散金属氧化半导体(LDMOS)，低压器件包括槽栅垂直扩散金属氧化半导体(VDMOS)。电压转换器还包括在不同管芯上的控制电路，其可以电耦合到输出电路且和输出电路一起封装。

摘要：电压转换器，包括输出电路，其中输出电路具有可以形成在单个芯片(“PowerDie”)上的高侧器件和低侧器件。该高侧器件包括横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，低侧器件包括平面垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS)。该电压转换器可以进一步包括位于其他芯片上的控制电路，该控制电路可以通过功率芯片电连接至功率芯片、并可以与功率芯片共装(co-packaged)。

摘要：电压转换器可包括输出电路，其具有可形成在单个管芯(即“功率管芯”)上的垂直高端器件和垂直低端器件。高端器件可以是PMOS晶体管，而低端器件可以是NMOS晶体管。PMOS晶体管的源极和NMOS晶体管的源极可由相同金属结构形成，并且高端器件的源极电连接VIN和低端器件的源极电连接地面。高端PMOS晶体管的漏极可以在器件运行的过程中使用夹置在晶体管和半导体衬底之间的金属层使低端NMOS晶体管的漏极电短路。

摘要：用于包括硅器件层和氮化镓(GaN)器件层的半导体器件的结构和方法。在实施方案中，硅器件层和GaN器件层具有彼此共平面的上表面。在另一实施方案中，GaN器件层并不直接位于硅器件层下面，和硅器件层并不直接位于GaN器件层下面。半导体器件还可包括在硅器件层上和/或内形成的硅基半导体器件，和在GaN器件层上和/或内形成的氮化物基半导体器件。GaN器件层可包括多个层，所述多个层可形成为共形遮盖层和然后平坦化，或者可选择性地形成然后平坦化。

摘要：本发明实施例提供带有集成箝位结构的功率器件的结构和方法。箝位结构的集成可以保护功率器件，例如免于电过应力(EOS)。在一个实施例中，有源器件可以形成在基板之上，而箝位结构可以集成在功率器件的有源区之外，例如在有源区的下方和/或基板内。将箝位结构集成在功率器件的有源区之外可以使给定芯片尺寸的有源面积最大化并提高箝位器件的稳定性，因为电流会通过这种集成而分布于基板中。

摘要：本发明实施例提供带有集成箝位结构的功率器件的结构和方法。箝位结构的集成可以保护功率器件，例如免于电过应力(EOS)。在一个实施例中，有源器件可以形成在基板之上，而箝位结构可以集成在功率器件的有源区之外，例如在有源区的下方和/或基板内。将箝位结构集成在功率器件的有源区之外可以使给定芯片尺寸的有源面积最大化并提高箝位器件的稳定性，因为电流会通过这种集成而分布于基板中。

摘要：本公开的各种实施方式包括增强型(e-型)栅极注入高电子迁移率晶体管(HEMT)的形成。实施方式可包括GaN、AlGaN和InAlN基HEMT。实施方式还可包括自对准的P型栅极和场板结构。栅极可与源极和漏极自对准，这可允许对栅极-源极和栅极-漏极间距的精确控制。另外的实施方式包括添加GaN盖结构、AlGaN缓冲层、AlN、凹槽蚀刻和/或使用薄氧化AlN层。在根据本教导制造HEMT时，选择性的外延生长(SEG)和外延横向过生长(ELO)都可被使用以形成栅极。

摘要：提供了一种肖特基二极管，包括限定了肖特基接触区域的合并的保护环和场板。肖特基金属至少部分地形成在肖特基接触区域之上以及至少部分地形成在合并的保护环和场板之上。

摘要：本发明涉及一种芯片层叠和3-D电路的热传导。一种半导体器件组件和方法可包括单个半导体层或层叠半导体层，例如半导体晶片或晶片部分(半导体管芯)。在每个半导体层上，穿过其中形成的金刚石层可有助于热的传送和消散。金刚石层可包括半导体层的后部上的第一部分和垂直延伸到半导体层内——例如，完全穿过半导体层——的一个或多个第二部分。然后可形成至金刚石层的热触点以使热传导而离开一个或多个半导体层。可穿过金刚石层形成导电通孔，以提供信号传送和散热能力。

摘要：本发明涉及一种芯片层叠和3-D电路的热传导。一种半导体器件组件和方法可包括单个半导体层或层叠半导体层，例如半导体晶片或晶片部分(半导体管芯)。在每个半导体层上，穿过其中形成的金刚石层可有助于热的传送和消散。金刚石层可包括半导体层的后部上的第一部分和垂直延伸到半导体层内——例如，完全穿过半导体层——的一个或多个第二部分。然后可形成至金刚石层的热触点以使热传导而离开一个或多个半导体层。可穿过金刚石层形成导电通孔，以提供信号传送和散热能力。