摘要：在平面光路基片(30)上的光开关(20)包括悬臂(40)，其具有可选择性延伸至基片的波导斜槽(12)中的控制元件，可用于切换波导(24)所传输的光信号。臂(40)可以由热和压电驱动器来驱动，用于在允许信号继续沿波导传输的静止位置和采用在斜槽(12)中的控制元件(32)来堵塞或改变信号方向的第二位置之间偏转。第二臂可具有侧向移动并可根据悬臂的驱动以覆盖和锁定在第二位置上的悬臂(40)，从而使得开关能在没有控制信号进一步作用下维持在驱动状态。MEMS开关阵列由单晶片采用腐蚀方法制成且与波导阵列键合在一起，以提供多个开关模块。

摘要：提供一种绝缘体上覆半导体(SOI)结构(包括大面积SOI结构)，它包括一个或多个含有基本上为单晶的半导体材料(例如掺杂硅)层(15)组成的区域，所述区域附着在由氧化物玻璃或氧化物玻璃陶瓷组成的支承基片(20)上。所述氧化物玻璃或氧化物玻璃陶瓷是较好透明的，更好其应变点小于1000℃、250℃的电阻率小于或等于1016Ω·cm，并含有正离子(例如碱金属或碱土金属离子)。在升温(例如300-1000℃)和电场作用下，该离子可在所述玻璃或玻璃陶瓷内移动。所述半导体层(15)和支承基片(20)之间的粘结强度较好至少为8焦耳/平方米。半导体层(15)可包括一个杂交区(16)，在该杂交区所述半导体材料与来自所述玻璃或玻璃陶瓷的氧离子发生反应。所述支承基片(20)较好包括耗尽区(23)，它具有低的可移动正离子的浓度。

摘要：包括衬底的显示器件，在所述衬底上设置有晶体或多晶半导体材料层，其中所述衬底具有低于所述层的形成温度的应变点。所述晶体或多晶材料是通过以下方法构建，所述方法包括在衬底上提供自组装单层(SAM)、在SAM上沉积材料层和使所述层基本结晶。

摘要：本发明涉及一种OLED结构，该结构包含：基本柔性的基片；和至少一层放置在该基片和OLED结构之间的阻挡层。所述阻挡层基本上防止了污染物渗透有机材料层或OLED结构。阻挡层包含加入了特定组分或除去了特定组分以改善其挠性的玻璃层。OLED结构还可以包含基本柔性的基片和至少一层放置在该基片和OLED结构之间的阻挡层。阻挡层中包含应变消除材料。所述的应变消除材料较好具有至少一个特定取向轴。光子或电子元件或这两种元件构成OLED。

摘要：一种形成结晶层或多晶层的方法包括提供一基片以及在该基片上形成图形。该方法还包括提供成核材料以及在该成核材料上形成结晶层。位于基片上的结晶材料可以是单晶的或多晶的。

摘要：提供了用于绝缘体上的硅结构的方法和装置，包括：玻璃衬底；一层半导体材料；设置在玻璃衬底和半导体材料之间约60nm至约600nm之间的沉积阻挡层，其中玻璃衬底和半导体材料经由电解接合在一起。

摘要：用于绝缘体上半导体(SOI)结构的系统和方法及其产品，包括对至少一个未整饰的表面进行激光退火工艺。制造SOI结构还可包括对施主半导体晶片的注入表面进行离子注入工艺以在施主半导体晶片中产生脱落层；将该脱落层的注入表面与绝缘体衬底接合；将脱落层从施主半导体晶片分离，从而使至少一个裂开表面露出；以及对至少一个裂开表面进行激光退火工艺。

摘要：形成玻璃上半导体结构(SOG)的方法和装置包括：使玻璃基底的第一表面与半导体晶片直接或间接地接触；加热玻璃基底和半导体晶片中的至少一个，使得玻璃基底的与玻璃基底第一表面相对的第二表面处于比第一表面低的温度；横贯玻璃基底和半导体晶片施加电势；以及保持接触、加热和电压，以通过电解在半导体晶片和玻璃基底之间引起阳极连接。

摘要：本公开的原理和实施方式一般涉及复杂弯曲的玻璃制品以及冷成形复杂弯曲的玻璃制品的方法，所述复杂弯曲的玻璃制品例如具有第一弯曲区域和第二弯曲区域的复杂弯曲的玻璃制品，所述第一弯曲区域具有第一弯曲线段组，所述第二弯曲区域具有第二弯曲线段组，其中，所述第一弯曲线段和所述第二弯曲线段是独立的、不平行的、并且不相交。

摘要：提供了一种用于层压玻璃制品的设备和相关方法，所述层压玻璃制品包括：第一材料的第一层，第一片材具有小于2毫米的厚度和在0至300℃测量的第一热膨胀系数(CTE)；第二材料的第二层，第二片材具有大于2毫米的厚度和大于第一CTE的第二CTE；以及在第一层和第二层之间的聚合物中间层，其中，第一玻璃片材的表面压缩应力大于4MPa。