摘要：本申请涉及用于绝缘体型衬底上的半导体的基础衬底的制造方法。本发明涉及一种用于在绝缘型衬底上制造半导体的基础衬底的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供电阻率为500Ohm.cm以上的硅衬底(1)，b)清洁所述衬底(1)的表面，以去除存在于所述衬底(1)的表面上的自然氧化物和/或掺杂物，c)在所述衬底(1)上形成介电材料层(2)，d)在所述介电材料层(2)上形成多晶硅层(3)，所述方法的特征在于，步骤b)、c)和d)在同一个外壳(10)中依次实现。

摘要：本发明涉及制造衬底的方法，包括下述步骤：提供具有至少一个自由表面(7)的供体衬底(1)、执行在供体衬底(1)的预定深度(d)的离子注入以在供体衬底(1)中形成深入预定分开区域(2)，并且其特征在于提供粘合剂层(4)(特别是粘合膏)，覆盖该供体衬底(1)的至少一个自由表面(7)。本发明进一步涉及半导体结构(91、91’、92、93、93’)，包括半导体层(1，1’)以及被设置于该半导体层(1，1’)的一个主侧(7)上的陶瓷基和/或石墨基和/或金属基的粘合剂层(4)。

摘要：本发明涉及用于分解在结构(50)中的二氧化硅层(90)的方法，所述结构从其背面(60)至其正面(70)包括支撑衬底、二氧化硅层(90)和半导体层(100)，所述分解方法在炉中实施，在所述炉中，支架上承载结构(50)，所述分解方法使包含在二氧化硅层(90)中的氧原子扩散经过半导体层(100)并且产生挥发性产物，炉包括陷阱(110)，所述陷阱适于与挥发性产物反应，以便降低平行于至少一个结构(50)的正面(70)的挥发性产物的浓度梯度。

摘要：本发明涉及用于射频应用的结构(1)，其包括：·高电阻率硅的支撑衬底(2)，其包括下部和上部(3)，对上部进行p型掺杂至深度D；·硅的介孔俘获层(4)，其形成在支撑衬底(2)的经掺杂的上部(3)中。根据本发明，该结构(1)的特征在于，深度D小于1微米，且俘获层(4)的孔隙率在20％与60％之间。

摘要：本发明涉及一种用于射频应用的结构(1)，其包括：半导体支撑衬底(2)；捕获层(3)，其布置在支撑衬底(2)上；捕获层(3)的特点在于其包括比预定缺陷密度更高的缺陷密度；所述预定缺陷密度为这样的缺陷密度：超过该缺陷密度，捕获层(3)的电阻率在[‑20℃；+120℃]的温度范围内不低于10Kohm.cm。

摘要：本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构体(10)，其包括与载体衬底(5)连接的压电材料的有用层(1)，所述载体衬底(5)的热膨胀系数低于所述有用层(1)的热膨胀系数；所述混合结构体(10)包括位于所述有用层(1)和所述载体衬底(5)之间的中间层(4)，所述中间层(4)是在所述中间层(4)的平面内具有多个周期性图案(6,7)的由至少两种不同材料形成的结构化层。

摘要：本发明涉及一种用于在RF应用中使用的绝缘体上半导体衬底(1)，特别是一种绝缘体上硅衬底，包括位于硅支撑衬底(3)上方的半导体顶层(11)、掩埋氧化物层(9)和钝化层(7)，并且涉及一种对应的方法。本发明还涉及一种RF器件(17)。另外在钝化层(7)与硅支撑衬底(3)之间引入穿透层(5)以确保底层RF部件的足够高的电阻率，同时可以在支撑衬底(3)中保持低位错移动。

摘要：本发明涉及用于制造由III‑V族材料(6)制成的至少一个有源层的结构(10)，该结构(10)包括衬底，该衬底由具有主面的载体(2)、位于所述载体的所述主面上的介电层(3)以及直接位于所述介电层(3)上的多个单晶半导体岛(4)构成，岛(4)具有上表面，所述上表面用作用于有源层生长的晶种。根据本发明，所述结构包括结合层(5)，该结合层(5)位于所述单晶半导体岛(4)之间，直接位于介电层(3)的不被所述岛(4)覆盖的部分上而不掩蔽所述岛(4)的所述上表面，从而所述介电层(3)不再暴露于其环境中。

摘要：本发明涉及竖炉，该竖炉包括：腔室，该腔室旨在容纳装料柱(3)；新鲜气体入口通道，该新鲜气体入口通道被定位在腔室的上端处，装料柱(3)，该装料柱包括上部(3b)和用于支承多个基板的中部(3a)，该竖炉特征在于该竖炉还包括俘获装置(100)，该俘获装置由能够俘获存在于新鲜气体中的全部或一些污染物的至少一种材料形成；俘获装置(100)包括圆形部件(101)，该圆形部件被定位在装料柱(3)的上部(3b)上，圆形部件(101)包括规则分布在圆形部件(101)的上表面上的叶片(102)，以增大俘获装置(100)与新鲜气体的接触面积。

摘要：本发明涉及一种制备具有电荷捕获层的支撑衬底(1)的方法。该方法包括将单晶硅基底衬底(2)引入沉积设备的腔室中，并且在不将基底衬底(1)从腔室中取出的情况下，并且在使用载气清扫腔室的同时，进行以下连续步骤：‑通过在第一时间段内将反应气体引入腔室中来在基底衬底(2)上形成介电层(3)；‑通过在第一时间段之后的第二时间段内将含硅前驱气体引入所述腔室中来在所述介电层(3)上直接形成多晶硅电荷捕获层(4)。在第一时间段与第二时间段之间，介电层(3)仅暴露于载气的持续时间小于30秒，并且电荷捕获层(4)在严格介于1010℃至1200℃之间的温度下形成。