摘要： 一种计时器机构，其包括用塑料材料制成的支架（４）形成的第一组件（２），它承载形成该机构的元件的第一部分，和用金属制成的中凹板（５）形成的第二组件（３），它承载该组成元件的第二部分。第一组件（２）借助于将支架（４）固定到中凹板（５）上的支柱（６、７、８和９）固定到第二组件（３）上。

摘要：本发明涉及一种用于插接连接装置，特别是用于印制电路板（3）的接触表面（2）的直接接触的电触头（1），具有触头壳体（4），所述触头壳体具有与插入方向（5）相反地超出触头壳体（4）向外伸出的，向内可偏转的，且用于留住插入到对应插头的接触腔室中的触头（1）的杆（6）。根据本发明，主杆（6）具有相对于它的向外伸出的杆段（7）向内恢复原状，且与插入方向（5）相反地延伸的杆自由端部（8），所以自由杆端部在外部被触头壳体（4）的壳体挡块（9）搭接。

摘要：说明了一种用于制造具有基于材料系统AlInGaP的半导体层堆叠（1）的光电子半导体芯片（10）的方法，其中提供生长衬底（2），所述生长衬底具有硅表面。将压缩松弛的缓冲层堆叠（3）施加在所述生长衬底（2）上。将半导体层堆叠（1）变质地外延生长在缓冲层堆叠（3）上。半导体层堆叠（1）具有被设置为生成辐射的活性层。还说明了一种借助于这样的方法制造的半导体芯片（10）。

摘要：本发明为具有隔离沟道的FINFET器件。尽管有FinFET和应变硅器件的改进，晶体管仍然继续随着器件尺度缩减而遭受性能下降。这些性能下降具体包括在半传导沟道与衬底之间的电荷泄漏。隔离沟道FinFET器件通过在沟道(鳍)与衬底之间插入绝缘层来防止沟道到衬底泄漏。绝缘层物理和电隔离鳍与衬底。为了形成隔离FinFET器件，可以在氮化物柱之间从硅表面外延生长双层鳍阵列，这些氮化物柱提供在相邻鳍之间的局部化绝缘。然后可以去除下鳍层而留下上鳍层，因此产生在硅表面上方悬置的氮化物柱和半传导鳍的交错阵列。然后可以用氧化物填充在上鳍层下面的所得间隙以隔离鳍沟道阵列与衬底。

摘要：通过在半传导沟道(鳍)与衬底之间插入绝缘层来防止FinFET器件中的沟道到衬底泄漏。类似地，通过在源极／漏极区域与衬底之间插入绝缘层隔离源极／漏极区域与衬底来防止FinFET器件中的源极／漏极到衬底泄漏。绝缘层物理和电隔离传导路径与衬底，因此防止电流泄漏。如果半传导鳍阵列由多层堆叠组成，则可以去除底部材料，因此产生在硅表面上方悬置的鳍阵列。然后可以向在剩余顶部鳍材料下面的所得间隙填充氧化物以更好地支撑鳍并且隔离鳍阵列与衬底。所得FinFET器件在栅极区域和源极／漏极区域二者中为全衬底隔离。

摘要：本发明涉及一种用于天生股骨头(2)的表面置换假体(1)，该表面置换假体带有外部的球形的表面和内部的容纳腔(3)，该容纳腔带有内部的周面和在内部的周面上从容纳腔(3)中伸出的导向销(4)。以此排除微移动的风险和由此产生的粘合剂外壳的毁坏。根据本发明建议，将导向销(4)至少在其长度的部分区域中在横截面中构造成不圆的。

摘要：尽管有FinFET和应变硅器件的改进，晶体管仍然继续随着器件尺度缩减而遭受性能下降。这些性能下降具体包括在半传导沟道与衬底之间的电荷泄漏。隔离沟道FinFET器件通过在沟道(鳍)与衬底之间插入绝缘层来防止沟道到衬底泄漏。绝缘层物理和电隔离鳍与衬底。为了形成隔离FinFET器件，可以在氮化物柱之间从硅表面外延生长双层鳍阵列，这些氮化物柱提供在相邻鳍之间的局部化绝缘。然后可以去除下鳍层而留下上鳍层，因此产生在硅表面上方悬置的氮化物柱和半传导鳍的交错阵列。然后可以用氧化物填充在上鳍层下面的所得间隙以隔离鳍沟道阵列与衬底。

摘要：通过在半传导沟道(鳍)与衬底之间插入绝缘层来防止FinFET器件中的沟道到衬底泄漏。类似地，通过在源极/漏极区域与衬底之间插入绝缘层隔离源极/漏极区域与衬底来防止FinFET器件中的源极/漏极到衬底泄漏。绝缘层物理和电隔离传导路径与衬底，因此防止电流泄漏。如果半传导鳍阵列由多层堆叠组成，则可以去除底部材料，因此产生在硅表面上方悬置的鳍阵列。然后可以向在剩余顶部鳍材料下面的所得间隙填充氧化物以更好地支撑鳍并且隔离鳍阵列与衬底。所得FinFET器件在栅极区域和源极/漏极区域二者中为全衬底隔离。

摘要： 为了分离在输送装置７上高速被输送的罐体８，９，１０流，另一输送带５靠近第一输送带７并具有可控装置２０—６０，通过它们将各罐体１１，１３转移到第二输送装置上，用此方法可分离顺序排列的罐体以简化操作。

摘要： 公开了一种高分辨率摄像机（１０），在该摄像机中用诸如ＭＰＥＧ４压缩标准的子波压缩算法将所接收的图象数据压缩和编码，并且还与ＡＴＭ网络进行接口连接，以在该网络上传输图象数据。