摘要：一种用于风冷式冷凝器的翅片管装置。该翅片管装置包括非圆形的芯管以及直接焊接至该芯管的至少一组翅片。该芯管由缝焊在一起的多个纵向的横部组成。在另一个实施例中，本发明是具有外表面的翅片管装置，通过表面转化处理(例如铁素碳氮共渗)将外表面制成耐腐蚀的。

摘要：一种致动器控制布置，所述致动器控制布置包括：液压致动器(100)，所述液压致动器具有壳体(200)和活塞杆(300)，所述活塞杆可响应于向所述活塞杆施加压力而在所述壳体内相对于所述壳体在中性位置、缩回位置与延伸位置之间轴向地移动；止动件(900)，所述止动件设置在所述壳体内以限制所述活塞杆移动到所述壳体中的程度，所述止动件可在中性位置与缩回位置之间移动；以及电磁阀(140)，所述电磁阀布置在压力源与所述致动器之间，所述电磁阀可响应于电控制信号而在第一模式与第二模式之间切换，其中在所述第一模式下，所述电磁阀形成从所述压力源到所述致动器的流体流动路径，以便将所述止动件定位在其中性位置，并且在所述第二模式下，所述电磁阀形成流体流动路径以从所述致动器释放压力来准许所述止动件移动到其缩回位置。在电故障的情况下，所述止动件将所述致动器设定到其中性位置并且因此防止干扰襟翼面板。

摘要：本文中描述了一种用于检测和控制飞机机翼的扰流器(80)的位置的系统，包括：液压致动器(40)，所述液压致动器(40)具有可操作地连接至所述扰流器(80)的活塞杆(43)，所述活塞杆(43)可在缩回位置、中立位置和延伸位置之间移动；和构件，所述构件用于向所述液压致动器(40)提供动力；和机械装置(50)，所述机械装置(50)用于检测所述活塞杆(43)是处于所述缩回位置、所述中立位置还是所述延伸位置中；和构件(60)，所述构件(60)可操作地连接至所述机械装置(50)，所述装置(60)被配置成提供施加至所述液压致动器(43)的负载的改变，其中所述装置(60)被配置成基于检测到所述活塞杆(43)正处于所述缩回位置还是所述延伸位置中而改变所述负载。

摘要：一种用于执行光线追踪处理的系统，该系统包括：层次包围盒标识单元，其可操作以标识用于生成虚拟环境的图像的层次包围盒结构，所述层次包围盒结构包括关于所述虚拟环境内的一个或多个表面的信息，层次包围盒选择单元，其可操作以根据入射光线的方向丢弃所述层次包围盒结构的一个或多个元素，以及光线追踪单元，其可操作以使用剩余的层次包围盒元素执行光线追踪处理。

摘要：一种用于提取生精小管的装置，包括中空圆柱体（1），其一端具有能够连接到抽吸装置的底座（2）；位于底座（2）相对端的尖端（3）；其中所述尖端（3）具有卵形形状，其内部包含一凹陷区域（6），该凹陷区域具有一曲率半径，其被包含在圆柱体（1）轴线所属的平面内，从而形成勺状或杯状结构，其能够容纳生精小管并且当所述提取装置借助于连接到底座（2）的抽吸装置处于负压下时，能将至少一条生精小管保留在所述凹陷区域（6）内。

摘要：提供了一种图像处理方法。该方法包括接收图像，接收指示用户对图像的注视位置的注视数据，对接收到的图像中的至少一部分执行放大过程以增加接收到的图像的该至少一部分的质量，以及将经放大图像输出到显示设备。执行放大过程包括：使用第一内核尺寸来放大接收到的图像中的与用户对图像的注视位置相对应的的第一区域，并且使用第二内核尺寸来放大接收到的图像中的第二区域，其中第一内核尺寸大于第二内核尺寸。

摘要：一种涂布头，尤其是用于在中间构件上涂布热塑性材料的涂布头，它包括用于向一阀(4)进给粘合剂的第一管道(2)，该阀(4)设置有与杯状体(8)相互作用的阀针(6)，杯状体连接于用于涂布粘结剂的一第二管道(9)。该阀包括适合于驱动较佳地在打开状态下阀针的选择定位和/或使其可视化的装置(11)。

摘要：具有铰链销(2)的铰链装置和/或轴承装置(1)，它的头部区域(3)在安装状态时被支承在容纳的铰链壳层(4)中，并且和与这个铰链壳层(4)对置的，并且起壳体(5)作用的容纳腔室一起作轴向运动。这个铰链装置和/或轴承装置是如此设计的，即它在壳体(5)中的相对于铰链壳层(4)的轴向运动起气体压力弹簧和/或气体压力阻尼器的作用。

摘要：一种操作使用别名地址空间来实施在传统处理器上的可变长度指令编码的数字处理器和方法。该方法包括在所述存储器中保存代码序列的指令；产生代码序列的指令地址；响应于在第一地址空间和第二地址空间之间的指令地址的转变，自动地在第一操作模式和第二操作模式之间切换，其中第一和第二地址空间中的地址访问公共存储空间；在第一操作模式中，访问第一地址空间中的指令；在第二操作模式中，访问第二地址空间中的指令；执行所述代码序列中被访问的指令。在第一和第二操作模式中可以使用不同指令长度的指令。

摘要：一种在半导体衬底上的绝缘层上方形成耗尽屏蔽埋层的方法，其中所述耗尽屏蔽埋层形成于第一半导体层中，所述第一半导体层形成于绝缘层上，所述绝缘层形成于半导体衬底上，包括：在所述绝缘层上形成具有第一导电类型的阱区域；及注入第二导电类型的掺杂剂形成具有第二导电类型的埋层，所述埋层位于所述阱区域和所述绝缘层之间。