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1:
[发明]
由官能化颗粒增强的纤维增强塑料
申请号:
201911162269.9
公开号:CN111349313A 主分类号:C08L63/00
申请人:
帕洛阿尔托研究中心公司
申请日:2019.11.25 公开日:2020.06.30
发明人:
魏俊桦
;
G·伊芙泰姆
;
J·L·B·李维斯特
;
S·R·加纳
摘要:本发明题为“由官能化颗粒增强的纤维增强塑料”。本发明公开了一种物质组合物,所述物质组合物具有浸渍有聚合物的纤维结构,所述聚合物具有化学键合到所述聚合物的分散的官能化颗粒,其中所述官能化颗粒包含与所述聚合物的前体相同的基团或与前体反应的基团中的一种。本发明公开了一种物质组合物,所述物质组合物具有浸渍有固化的环氧树脂的纤维结构,所述固化的环氧树脂具有化学键合到所述固化的环氧树脂的分散的官能化颗粒,其中所述官能化颗粒包含与所述环氧树脂相同的基团或与所述环氧树脂反应的基团中的一种。
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2:
[发明]
经取代的甲苯基杀真菌剂及其混合物
申请号:
202180033170.8
公开号:CN115551353A 主分类号:A01N43/56
申请人:
FMC公司
申请日:2021.05.05 公开日:2022.12.30
发明人:
J·F·拜雷兹纳克
;
S·P·博尔古纳斯
;
A·E·塔吉
;
B·维加-希门尼斯
;
S·R·乌帕拉帕蒂
摘要:披露了一种杀真菌组合物,该杀真菌组合物包含:(a)至少一种化合物,其选自具有式1的化合物(包括所有几何和立体异构体)、其N‑氧化物和盐,其中A、Q、R1、R2、R3、R4、W和Y是如本披露中所定义的;和(b)至少一种额外的杀真菌化合物。还披露了一种用于控制由真菌植物病原体引起的植物病害的方法,该方法包括向植物或其部分、或植物种子施用杀真菌有效量的具有式1的化合物、其N‑氧化物或盐(例如,作为上述组合物中的组分)。还披露了一种组合物,该组合物包含:(a)至少一种选自上述的具有式1的化合物、其N‑氧化物和盐的化合物;和至少一种无脊椎有害生物控制化合物或药剂。
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3:
[发明]
运输拖车和机械联接对准系统
申请号:
202111479661.3
公开号:CN114622957A 主分类号:F01D15/10
申请人:
索拉透平公司
申请日:2021.12.06 公开日:2022.06.14
发明人:
J·L·加拉米罗
;
G·H·格兰达
;
R·T·迪特里希
;
D·R·邦纳
;
P·沃希诺维斯基
;
S·R·加内桑
;
J·科瓦鲁比亚斯
;
C·亚罗尼斯
摘要:一种涡轮机械发电站对于运输来说可能太大且太重。因此,公开了用于将完整的发电站分离成可上路的涡轮机和发电机拖车以及重新对准和重新联接拖车以在期望目的地操作发电站的实施例。
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4:
[发明]
两侧感应充电线圈
申请号:
202080057547.9
公开号:CN114270659A 主分类号:H02J50/40
申请人:
微软技术许可有限责任公司
申请日:2020.06.19 公开日:2022.04.01
发明人:
C·S·卡兰
;
S·J·克里斯蒂安松
;
D·T·内维斯蒂克
;
G·卡拉瓦耶夫
;
M·F·戴利
;
D·W·沃斯
;
S·R·纳加佩特
摘要:一种用于对电子配件进行感应充电的设备包括第一部分、第二部分和间隔件。第一部分包括第一平面中的第一发射线圈,其中第一发射线圈被配置成生成第一磁场,并且第二部分包括第二平面中的第一发射线圈,其中第二发射线圈被配置成生成第二磁场。该间隔件位于第一发射线圈和第二发射线圈之间并且位于第一平面和第二平面之间。间隔件材料使得第二发射线圈与第一磁场磁绝缘。
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5:
[发明]
杀真菌噁二唑及其混合物
申请号:
202180085672.5
公开号:CN116634874A 主分类号:A01N43/84
申请人:
FMC公司
申请日:2021.12.16 公开日:2023.08.22
发明人:
R·J·帕斯特里斯
;
S·吉塔博伊纳
;
T·C·麦克马洪
;
B·卡米雷迪
;
R·P·雷迪
;
B·维加-希门尼斯
;
S·R·乌帕拉帕蒂
摘要:披露了一种杀真菌组合物,该杀真菌组合物包含:(a)至少一种化合物,该至少一种化合物选自具有式1的化合物(包括其所有几何和立体异构体、互变异构体、N‑氧化物和盐),其中R1、L和J如本披露中所定义,和(b)至少一种额外的杀真菌化合物。还披露了一种用于控制由真菌植物病原体引起的植物病害的方法,该方法包括向植物或其部分、或植物种子施用杀真菌有效量的具有式1的化合物、其N‑氧化物或盐(例如,作为上述组合物中的组分)。还披露了一种组合物,该组合物包含:(a)至少一种选自上述的具有式1的化合物、其N‑氧化物和盐的化合物;和至少一种无脊椎有害生物控制化合物或药剂。
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6:
[发明]
siRNA递送载体
申请号:
202280036975.2
公开号:CN117396227A 主分类号:A61K47/54
申请人:
科学与工业研究委员会
申请日:2022.06.03 公开日:2024.01.12
发明人:
S·科塔姆拉朱
;
S·R·巴图拉
;
A·谢赫
;
P·K·尼利
;
P·斯拉维亚
;
R·班纳吉
;
R·森纳缇
;
S·加贾拉克什米
摘要:提供了6,7‑二羟基香豆素鏻两亲物与带负电荷的剂的复合物。所述复合物自组装成纳米颗粒或非病毒载体,以促进所述带负电荷的剂的递送。所述带负电荷的剂可以是治疗剂或诊断剂。因此,本发明提供了一种将这种带负电荷的剂递送至靶细胞的方法,并且特别是促进了治疗剂或诊断剂穿过质膜的递送,以及一种通过递送治疗剂或诊断剂进行治疗或诊断的方法。所述6,7‑二羟基香豆素鏻两亲物可以是Mito‑Esc,并且带负电荷的剂可以是核酸,诸如siRNA。此外,所述6,7‑二羟基香豆素鏻两亲物被认为在治疗癌症中是有效的。
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7:
[发明]
具有贯穿其延伸的中空圆柱形管的烟丝条的生产方法
申请号:
200780048361.1
公开号:CN101573053 主分类号:A24C5/18(2006.01)I
申请人:
菲利普莫里斯生产公司
申请日:2007.12.24 公开日:2009.11.04
发明人:
S·F·施皮尔斯
;
S·R·莱因哈特
;
L·杜维科特
;
M·布劳恩施泰因
;
M·T·加特哈夫纳
;
G·A·莱科
摘要:一种用于制造香烟的方法,包括:从料斗(151)中将供应管提供给烟丝条制造机,通过上升气流室(143、145)将烟草供给制造机,以使烟草积聚在管的周围。在成型枪(117)中,用纸(123)包卷烟草以形成中空的卷制烟丝条,该中空卷制烟丝条具有延伸穿过烟丝条的管。
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8:
[发明]
SI沟槽中的Ⅲ-N器件
申请号:
201480070503.4
公开号:CN105874587A 主分类号:H01L21/8238(2006.01)I
申请人:
英特尔公司
申请日:2014.12.12 公开日:2016.08.17
发明人:
S·达斯古普塔
;
H·W·田
;
S·K·加德纳
;
S·H·宋
;
M·拉多萨夫列维奇
;
B·舒-金
;
S·R·塔夫脱
;
R·皮拉里塞泰
;
R·S·周
摘要:形成了包括衬底的部分的沟槽。成核层沉积在衬底的位于沟槽内的部分上。Ⅲ‑N材料层沉积在成核层上。Ⅲ‑N材料层横向生长在沟槽之上。器件层沉积在横向生长的Ⅲ‑N材料层上。在横向生长的材料上获得低缺陷密度区域,并且所述低缺陷密度区域用于在Si衬底上的对Ⅲ‑N材料的电子器件制作。
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9:
[发明]
在异质衬底上制造半导体结构的方法
申请号:
201380081120.2
公开号:CN105745769A 主分类号:H01L33/00(2006.01)I
申请人:
英特尔公司
申请日:2013.12.23 公开日:2016.07.06
发明人:
B·舒-金
;
S·R·塔夫脱
;
V·H·勒
;
S·达斯古普塔
;
S·H·H·宋
;
S·K·加德纳
;
M·V·梅茨
;
M·拉多萨夫列维奇
;
H·W·田
摘要:公开了一种用于在具有多深宽比掩模的异质衬底上形成无缺陷半导体结构的技术。多深宽比掩模包括形成在衬底上的第一层、第二层和第三层。第二层具有比分别在第一层中的第一开口和第三层中的第三开口要宽的第二开口。全部三个开口以公共中心轴为中心。从衬底的顶部表面生长半导体材料,并且横向地生长到第二开口内的第一层的顶部表面上。通过将第三层用作为蚀刻掩模,来蚀刻被布置在第三开口内并且位于第三开口的垂直下方的半导体材料,以使得横向地溢出到第一层的顶部表面上的保留材料形成保留结构。
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10:
[发明]
C-芳基糖苷衍生物的制造方法
申请号:
202280082756.8
公开号:CN118382613A 主分类号:C07C327/06
申请人:
株式会社德山
;
国立大学法人大阪大学
申请日:2022.11.07 公开日:2024.07.23
发明人:
关雅彦
;
真岛和志
;
S·K·穆拉尼
;
S·R·塔普基尔
;
M·R·纳迪维迪
;
剑隼人
;
加藤大树
;
村濑智哉
;
A·斯希里
摘要:本发明的一个目的在于提供新型硫酯衍生物及其制造方法、新型酮衍生物及其制造方法、C‑芳基‑羟基糖苷衍生物的新型制造方法、以及C‑芳基糖苷衍生物的新型制造方法,提供下述式(I)表示的硫酯衍生物(I)。[式中,W1表示可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基等,R各自独立地表示可具有取代基的烷基,或者各自独立地表示可具有取代基的芳基,在R各自独立地表示可具有取代基的烷基的情况下,R’表示可具有取代基的烷基甲硅烷基、可具有取代基的四氢吡喃基、式:‑CO‑L1‑L2表示的基团、式:‑C(‑L3)(‑L4)‑O‑L5表示的基团、或式:‑CO‑O‑C(‑L6)(‑L7)(‑L8)表示的基团,在R各自独立地表示可具有取代基的芳基的情况下,R’表示:可具有取代基的烷基羰基、可具有取代基的烷基甲硅烷基、醛基、式:‑CO‑L1‑L2表示的基团、或式:‑CO‑C(‑L9)(‑L10)(‑L11)表示的基团,n表示1或2。]#imgabs0#
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