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发明专利:32实用新型: 1外观设计: 2
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申请号:200780022560.5 公开号:CN101473424 主分类号:H01L21/60(2006.01)I
申请人:英特尔公司 申请日:2007.06.12 公开日:2009.07.01
发明人:Y·闵;D·苏
摘要:一种发泡块体金属玻璃电连接在集成电路封装的衬底上形成。发泡块体金属玻璃电连接展示了在震动和动态加载期间防止破裂的低模量。发泡块体金属玻璃电连接用作焊料凸块,用于集成电路设备与外部结构之间的通信。形成发泡块体金属玻璃电连接的工艺包括混合块体金属玻璃与发泡剂。
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申请号:201510053757.1 公开号:CN104681521A 主分类号:
申请人:英特尔公司 申请日:2007.06.12 公开日:2015.06.03
发明人:Y.闵;D.苏
摘要:本申请涉及“用于集成电路制造的物品、工艺、系统”。一种发泡块体金属玻璃电连接在集成电路封装的衬底上形成。发泡块体金属玻璃电连接展示了在震动和动态加载期间防止破裂的低模量。发泡块体金属玻璃电连接用作焊料凸块,用于集成电路设备与外部结构之间的通信。形成发泡块体金属玻璃电连接的工艺包括混合块体金属玻璃与发泡剂。
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申请号:200780012180.3 公开号:CN101416259 主分类号:H01G9/00(2006.01)I
申请人:英特尔公司 申请日:2007.03.31 公开日:2009.04.22
发明人:H·西赫;Y·闵
摘要:一种集成薄膜电容器包括设置在第一电极和第二电极之间的电介质。该薄膜电容器包括设置在第一电极上的电介质,并且该电介质沿着由其特征尺寸所限定的线显示实质上均匀的热蚀变形态。也公开了一种包括该薄膜电容器的计算系统。
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申请号:202211507354.6 公开号:CN116203710A 主分类号:G02B21/04
申请人:热电科学仪器有限责任公司 申请日:2022.11.29 公开日:2023.06.02
发明人:Y·闵;F·J·德克
摘要:本文提供了与在光谱学系统中使用的混合反射显微镜物镜和透镜系统有关的系统和方法。所述物镜系统包含:主要非球面镜,其具有第一R值;以及次要非球面镜,其具有小于所述第一R值的第二R值,其中所述物镜系统具有至少20 mm的工作距离以及0.29至0.65的数值孔径,并且其中所述主要和次要非球面镜的表面具有非零六阶非球面参数。
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申请号:200780010702.6 公开号:CN101410914 主分类号:H01G4/33(2006.01)I
申请人:英特尔公司 申请日:2007.03.19 公开日:2009.04.15
发明人:I·萨拉马;Y·闵
摘要:本发明的一些实施例包括在集成电路封装件的封装件衬底上形成的薄膜电容器。薄膜电容器的至少一个包括第一电极层、第二电极层以及第一与第二电极层之间的介质层。第一和第二电极层中的每一层及介质层均各自直接在封装件衬底上形成。并描述了其它实施例并提出了权利要求。
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申请号:201210253353.3 公开号:CN103529976A 主分类号:G06F3/041(2006.01)I
申请人:英特尔公司 申请日:2012.07.02 公开日:2014.01.22
摘要:本公开描述手势识别系统中的干扰消除。一种方法可以包括:至少部分地基于手势类型配置手势识别模块的预处理器,手势识别模块与手势相关;响应第一触摸事件生成第一接触历史向量,第一触摸事件基于对触摸屏的第一接触;将第一触摸事件提供到手势识别模块;以及至少部分地基于手势类型来确定是否要将第二触摸事件提供到手势识别模块。
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7:[发明] 无源器件结构
申请号:200580033160.5 公开号:CN101032192 主分类号:H05K1/16(2006.01)I
申请人:英特尔公司 申请日:2005.10.13 公开日:2007.09.05
摘要:一种方法包括直接在第一导电材料的薄片上形成陶瓷材料;在该陶瓷材料上形成第二导电材料;以及烧结该陶瓷材料。一种方法包括直接在第一导电材料的薄片上形成陶瓷材料;在该陶瓷材料上形成第二导电材料,使得该陶瓷材料设置在第一导电材料和第二导电材料之间;以足够的温度进行热处理以烧结该陶瓷材料并且形成第二导电材料的薄膜;以及使用不同的导电材料涂覆第一导电材料和第二导电材料中的至少一个的暴露表面。一种器件包括第一电极和第二电极;以及该第一电极和该第二电极之间的陶瓷材料,其中该陶瓷材料被直接烧结在第一电极和第二电极中的一个上。
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申请号:200780045954.2 公开号:CN101563963 主分类号:H05K3/42(2006.01)I
申请人:英特尔公司 申请日:2007.12.06 公开日:2009.10.21
摘要:一种微电子器件、制造该器件的方法和包括该器件的系统。该器件包括:包括聚合物内置层的基板以及嵌入该基板中的无源结构。该无源结构包括位于聚合物内置层上的顶部导电层、位于顶部导电层上的电介质层和位于电介质层上的底部导电层。该器件还包括延伸穿过聚合物内置层并与底部导电层电绝缘的导电通孔、使导电通孔与底部导电层绝缘的绝缘材料以及设置于该顶部导电层背对电介质层的一侧上的桥接互连,该桥接互连将导电通孔电连接到顶部导电层。
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申请号:200780012269.X 公开号:CN101416258 主分类号:H01G4/33(2006.01)I
申请人:英特尔公司 申请日:2007.03.31 公开日:2009.04.22
摘要:一种形成薄膜电容器的工艺,包括:在第一电极上对介电薄膜的溶胶-凝胶图案化,剥离去除不需要的介电薄膜,以及给介电薄膜配上第二电极。薄膜电容器沿着其特征尺寸定义的线呈现出基本上均匀的热变形态。还公开了包括该薄膜电容器的计算系统。
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申请号:201310342049.0 公开号:CN103632843A 主分类号:H01G4/33(2006.01)I
申请人:英特尔公司 申请日:2007.03.31 公开日:2014.03.12
摘要:本申请涉及用于薄膜电容器制作的溶胶-凝胶及掩模图案化,由此制作的薄膜电容器,以及含有薄膜电容器的系统,提供了一种形成薄膜电容器的工艺,包括:在第一电极上对介电薄膜的溶胶-凝胶图案化,剥离去除不需要的介电薄膜,以及给介电薄膜配上第二电极。薄膜电容器沿着其特征尺寸定义的线呈现出基本上均匀的热变形态。还公开了包括该薄膜电容器的计算系统。
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