摘要：本发明公开了一种蓝宝石抛光组合物及其用途，所述抛光组合物至少包括以下质量百分比的组分：硅溶胶20％～40％、速率促进剂0.01％～2％、增稠剂0.5％～5％、润湿剂为0.01％‑2％、pH调节剂1％‑5％、余量为水。本发明提供的抛光液通过在硅溶胶中加入增稠剂，使体系的粘度有所增加，体系粘度的增加提高了抛光液与蓝宝石晶片之间的摩擦力，从而在一定程度上提高了蓝宝石晶片的抛光速率，在添加合适量增稠剂后去除速率最高可达5.4μm/h，表面粗糙度为0.302nm。

摘要：本发明公开了一种基于固态电解质的氧离子源、离子注入机及其在制备SOI晶片中的应用，所述固态电解质材料采用三价稀土元素掺杂的氧化锆或者氧化铈粉体通过注塑成型的方式加工而成，基于所述固态电解质的氧离子源在吸出电极处即可获得高纯度的负氧离子束。基于本发明离子源的离子注入机无需磁分析器对引出离子进一步筛选，可以摆脱磁分析器的使用限制，使得整个离子注入机在设计上得到极大地简化，能耗大大地降低。

摘要：本发明公开了一种高去除速率、低划伤化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括一种具有连续径向沟槽和不连续圆周向沟槽形式、所述沟槽底部为非平面形状的抛光层。本发明的化学机械抛光垫各沟槽形式结构相互配合，具有高移除速率、低表面划伤的特点。

摘要：本发明公开了一种化学机械抛光清洗液及其使用方法，该清洗液包含两种C原子数不同的有机碱、分散助剂、余量为水。本发明的化学机械抛光清洗液是一种用于硅晶圆片抛光垫的清洗液，通过对化学机械抛光后抛光垫的清洗，能够改善抛光后硅晶圆片的表面质量，延长抛光垫的使用时间，降低成本。

摘要：本发明公开了一种钨化学机械抛光液及其应用，所述抛光液包括二氧化硅磨料、硝酸铁、氧化剂、有机酸、表面活性剂和水，其中，所述二氧化硅磨料具有较高的表面粗糙度，且被多胺基聚合物包覆。本发明钨抛光液的磨料被多胺基聚合物包覆，通过多胺基聚合物的质子化和去质子化可逆反应，可以达到pH缓冲的目的，避免因pH局部改变而导致表面抛光不均匀，提高抛光的全局平整度。另外，与含未经改性磨料的抛光液相比，本发明抛光液的胶体稳定性明显提高。

摘要：本发明公开了一种钨插塞化学机械抛光液、制备方法及其应用，所述抛光液包含如下质量百分含量的组分：2％‑20％研磨剂、0.5％～5％的氧化剂、0.01％～0.5％的钨催化剂，0.05％‑0.5％的含氮和羟基的脂肪族或芳香族化合物作为络合剂，其余部分为去离子水。本发明的抛光组合物具有抛光速率快、表面质量好、稳定性优异等特点。

摘要：本发明公开了一种适用于硅片粗抛光的化学机械抛光组合物及其应用，所述化学机械抛光组合物包括研磨颗粒、含有重氮基团的化合物、pH值调节剂、络合剂和去离子水。本发明的抛光组合物中含有重氮基团的化合物中的重氮基团，带有一个单位的正电荷，与表面带有电荷的研磨粒子发生协同作用，实现了抛光组合物对硅的高速去除。

摘要：本发明公开了一种提高抛光液循环利用率的方法及硅片抛光方法，通过对待处理的抛光液中添加络合助剂、渗透剂、分散剂、pH值调节剂进行处理，实现抛光液多次循环利用的抛光效果。本发明可延长抛光液循环使用时间，总循环使用次数在30‑40次，且循环过程中硅片表面不易产生划伤，与抛光液未经处理直接循环使用相比，具有显著优势。

摘要：本发明提供了一种硅抛光组合物、制备方法及其应用，所述硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有氨基醇类物质和水溶性维生素作为助剂。本发明的抛光组合物中同时添加氨基醇类物质和水溶性维生素作为助剂，可有效抑制磨料团聚，延长抛光液的使用寿命和储存时间，与现有技术相比，具有明显优势。

摘要：本发明提供一种再生晶圆化学机械抛光液及其制备方法，其质量百分数组成包括5％～50％的研磨颗粒、0.1％～10％的速率促进剂、0.5％～5％的络合剂、0.1％～2％的pH调节剂、0.001％～1％的非离子表面活性剂和0.001％～1％的甜菜碱型两性离子表面活性剂，余量为水。该抛光液可有效修复再生晶圆表面损伤，去除表面残余膜，并保持对硅晶圆的高去除速率。抛光后再生晶圆表面质量优异，增加循环使用次数。