摘要：本发明提供一种应用于地震应急的操作方法、装置、单晶炉及系统，属于自动化控制技术领域，包括：获取目标单晶炉所在区域的地震相关信息，地震相关信息包括地震等级信息和所在区域与震源之间的距离信息；基于地震相关信息，确定并执行对目标单晶炉进行控制的应急操作策略。本发明提供的应用于地震应急的操作方法、装置、单晶炉及系统，能自动根据单晶炉所在区域的地震相关信息，判断出地震灾害对单晶炉正常运行的影响，进而根据影响的大小调用相应的应急操作策略，避免掉棒、漏硅等安全事故的发生，能够最大程度降低地震灾害带来的损失。

摘要：本发明涉及数据处理技术领域，提供一种控制方法、系统、外置加料机及电子设备，其中方法包括：获取第一连接信号后，获取单晶炉的状态，并在确定单晶炉的状态为待加料状态时，控制外置加料机的波纹管与单晶炉的水冷插板阀对接为单晶炉加料；在确认加料完成后，控制波纹管与水冷插板阀分离，并向AGV小车发送第一运输指令；获取第二连接信号，控制外置加料机装料，并在确认装料完成后，向AGV小车发送第二运输指令。本发明用以解决现有技术中因利用外置加料机为单晶炉加料时自动化程度较低，所造成的成本过高，车间物流效率低的缺陷，实现外置加料机的装料、运输、与单晶炉对接的自动化，避免了人工参与，降低了成本，并提高了车间物流效率。

摘要：本发明涉及拉晶炉技术领域，提供一种拉晶炉的副室装置、拉晶炉及其控制方法，包括第一副室，第一副室内部设有用于提拉硅棒的第一提拉机构；第二副室内部设有吸料机构以及用于提拉吸料机构的第二提拉机构；旋转机构用于与拉晶炉的炉体转动连接，旋转机构分别与第一副室和第二副室相连接；驱动机构的驱动端与旋转机构相连接，驱动机构能够驱动旋转机构相对于炉体旋转，以使得第一副室或第二副室能够与炉体的炉口对接。本发明利用旋转机构带动第一副室和第二副室分别与炉体的炉口对接切换，实现了拉制硅棒与吸料除杂两种工作模式的快速切换，既能够提高成品硅棒的质量，又能够保证硅棒生产效率。

摘要：本发明涉及单晶炉制备用复合材料的技术领域，提供一种网胎及预制体及碳纤维复合材料及埚帮，网胎包括沥青基碳纤维和聚丙烯腈基碳纤维；沥青基碳纤维与聚丙烯腈基碳纤维的重量比为2‑8:10。通过将沥青基碳纤维引入网胎，并使用网胎为原料制备碳纤维复合材料，可以进一步提升碳纤维复合材料的导热性能，从而提升埚帮的导热性，缩短硅料化料时间，降低能耗；此外，相较于高性能的聚丙烯腈基碳纤维，沥青基碳纤维具有更低的成本，因此，通过引入沥青基碳纤维能够降低碳纤维复合材料对于高性能、高成本碳纤维的依赖。

摘要：本发明涉及光伏组件制造技术领域，提供一种腔体冷却系统及气相沉积真空设备，包括腔体、抽吸泵、充气装置、送气通道和控制阀组件，抽吸泵与腔体连接，用于将腔体内的气体抽出；充气装置的出气口与腔体连接，用于向腔体充入惰性气体；送气通道的一端与抽吸泵的出气口连接，送气通道的另一端与充气装置的进气口连接，冷却通道内有冷却介质，冷却通道与送气通道连接或相接触，用于通过换热对送气通道内的惰性气体冷却，控制阀组件包括分别用于控制抽吸泵与腔体连通的第一控制阀，用于控制充气装置与腔体连通的第二控制阀，以及，用于控制送气通道与抽吸泵出气口连通的第三控制阀。本发明实现对惰性气体的循环利用，提高了对腔体的冷却效率。

摘要：本发明涉及硅片加工技术领域，公开了主辊开槽机及主辊开槽方法。主辊开槽机用于对主辊进行开槽，主辊开槽机包括：机台；第一辊体，可旋转地设置在机台上，第一辊体的外周面具有若干平行设置的第一环槽；第二辊体，可旋转地设置在机台上且与第一辊体间隔设置，第二辊体的外周面具有若干平行设置的第二环槽；若干切割线，平行设置且卡在对应的第一环槽和第二环槽中；安装驱动机构，设置在机台上，安装驱动机构适于驱动主辊绕其轴线旋转和沿上下方向直线运动，以在主辊上同时开设若干凹槽。本发明的若干切割线形成线网，当主辊与线网相接触时，进行开槽，整个线网同时对主辊进行磨削切割，加工时间大大减小，开槽效率高。

摘要：本发明涉及光伏技术领域，公开了一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池，包括半导体衬底层和位于半导体衬底层的一侧表面的隧穿氧化层，还包括：至少两层掺杂半导体层，位于隧穿氧化层背离半导体衬底层的一侧；阻挡层；位于相邻的掺杂半导体层之间。本发明所述的太阳能电池中的阻挡层能够减弱栅线电极中金属颗粒进一步朝向半导体衬底层的一侧生长的趋势，避免了金属颗粒穿透最靠近隧穿氧化层的一层掺杂半导体层，提高隧穿氧化层的钝化效果，进而提升太阳能电池的光电转换效率；其次，无需更厚的掺杂半导体层来抵挡金属颗粒的生长，降低了掺杂半导体层的总厚度。

摘要：本发明涉及光伏技术领域，公开了一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池包括：半导体衬底层，位于半导体衬底层的一侧表面的第一隧穿氧化层以及位于第一隧穿氧化层远离半导体衬底层的一侧的第一掺杂半导体层，第一掺杂半导体层远离半导体衬底层的一侧表面具有栅线位置区和包围栅线位置区的非栅线位置区；还包括：第二隧穿氧化层，位于部分第一掺杂半导体层远离半导体衬底层的一侧；第二隧穿氧化层在第一掺杂半导体层的投影面积大于或等于栅线位置区的面积；第二掺杂半导体层，位于第二隧穿氧化层远离半导体衬底层的一侧；栅线电极，位于第二掺杂半导体层远离半导体衬底层的一侧。本发明提供的太阳能电池的开路电压高且良品率高。

摘要：本发明提供了一种导电浆料和包括该导电浆料的电池，本发明的导电浆料包括导电粉末、玻璃粉以及有机载体，所述有机载体包括表面活性剂、高分子粘结剂、触变剂、多元溶剂以及其它任选的助剂。通过对有机载体成分和含量的特殊设计，一方面保证了导电浆料对薄膜凹槽的浸润性，使导电浆料填充饱满，从而保证经过激光转移后的细栅线无断点，断线等缺陷，线型饱满，能够获得优异的栅线高宽比，从而提升电池的转化效率；另一方面使导电浆料获得较好的屈服应力，保证导电浆料落在硅片上时的边缘溅落较少，减小遮光面积，提高导电浆料的利用率，降低导电浆料的使用成本。

摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种硅片的处理工艺及其应用。所述的硅片的处理工艺包括：将所述硅片依次进行SE激光掺杂、清洗和后氧化；其中，所述清洗包括：将SE激光掺杂后的硅片进行碱洗，而后将碱洗后的硅片进行酸洗；碱洗液包括双氧水、无机碱和水，酸洗液为由水和盐酸组成的混合溶液。本发明通过优化处理工序，能够减少硅片麻点的占比，减少缺陷复合中心，对于晶硅电池效率、良率具有稳步提升效果。