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1:
[发明]
改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法
申请号:
201810756611.7
公开号:CN109148280A 主分类号:H01L21/28(2006.01)I
申请人:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2018.07.11 公开日:2019.01.04
发明人:
张辉
;
陈正嵘
;
周颖
;
王鹏飞
;
肖泽龙
摘要:本发明公开了一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法包括如下步骤:步骤一、形成多晶硅层并形成光刻胶图形定义出多晶硅结构的形成区域。步骤二、对多晶硅层进行刻蚀形成具有垂直侧面台阶的多晶硅结构。步骤三、沉积厚度大于等于侧面台阶的高度的第一氧化层。步骤四、对第一氧化层进行全面刻蚀在多晶硅结构的侧面处形成侧墙。步骤五、沉积由常压氧化硅和硼磷硅玻璃叠加而成的厚度小于多晶硅层的厚度的层间膜。步骤六、对硼磷硅玻璃进行退火回流并在多晶硅结构的台阶处形成第三倾斜结构。步骤七、形成接触孔的开口。步骤八、形成金属层并进行金属层的刻蚀。本发明能消除在多晶硅结构的侧面台阶处的金属残留。
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2:
[发明]
温度循环测试时阻止产生裂纹的器件和工艺方法
申请号:
201810756638.6
公开号:CN109148389A 主分类号:H01L23/31(2006.01)I
申请人:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2018.07.11 公开日:2019.01.04
发明人:
蔡莹
;
遇寒
摘要:本发明公开了一种温度循环可靠性测试时阻止钝化层产生裂纹的器件,将顶层金属和钝化层窗口制作成圆弧形,增加钝化层的厚度,使钝化层厚度大于顶层金属的厚度。本发明还公开了一种温度循环可靠性测试时阻止钝化层产生裂纹的工艺方法。本发明能够有效解决钝化层以及顶层金属的裂纹问题。
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3:
[发明]
SNLDMOS器件及其制造方法
申请号:
201810757105.X
公开号:CN109148583A 主分类号:H01L29/78(2006.01)I
申请人:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2018.07.11 公开日:2019.01.04
发明人:
杨新杰
摘要:本发明公开了一种SNLDMOS器件,在漂移区中形成有第一浅沟槽场氧;栅极结构包括栅极沟槽,栅极沟槽的第二侧面和第一浅沟槽场氧的第一侧面相邻;栅介质层形成于栅极沟槽的内部表面且延伸到栅极沟槽外,多晶硅栅形成于栅介质层表面;源区形成于多晶硅栅的第一侧面外的P阱中;漏区形成于漂移区。被多晶硅栅所覆盖的P阱的表面用于形成沟道,栅极沟槽使沟道呈横向、纵向和横向连接结构;栅极沟槽还使沟道进入漂移区后直接从靠近第一浅沟槽场氧的底部流入。本发明还公开了一种SNLDMOS器件的制造方法。本发明能在保持沟道长度不变的条件下减少器件的步进尺寸,还能减少沟道到漏区之间的漂移区电流路径的长度,从而能减少器件的导通电阻。
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4:
[发明]
MEMS电极微桥形成方法
申请号:
201810757203.3
公开号:CN109132994A 主分类号:B81C1/00(2006.01)I
申请人:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2018.07.11 公开日:2019.01.04
发明人:
刘善善
;
朱黎敏
;
朱兴旺
摘要:本发明公开了一种MEMS电极微桥形成方法,包括如下步骤:步骤1、准备一硅基板,该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜,在该非晶硅薄膜上覆盖SiO2;步骤2、在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜;步骤3、在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层TiN及表面SiO2,并图形化;步骤4、刻蚀步骤3形成的表面SiO2,露出电极层TiN;步骤5、湿法刻蚀电极层TiN,形成图形。本发明能够完整的形成MEMS电极微桥结构。
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5:
[发明]
屏蔽栅功率MOSFET器件及制作工艺方法
申请号:
201810757211.8
公开号:CN109148584A 主分类号:H01L29/78(2006.01)I
申请人:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2018.07.11 公开日:2019.01.04
发明人:
颜树范
摘要:本发明公开了一种屏蔽栅功率MOSFET器件。本发明还公开了一种屏蔽栅功率MOSFET器件的制作工艺方法,步骤一、准备一外延基片,该外延基片上端淀积一层第一介电层,对所述外延基片进行沟槽光刻刻蚀,形成沟槽;步骤二、在所述沟槽中形成侧壁介电层;步骤三、在已经形成的侧壁介电层中进行屏蔽栅填充并回刻至外延基片表面以下;步骤四、在所述沟槽内进行第二介电层填充,并回刻至外延基片表面以下;步骤五、在所述沟槽内填充控制栅并回刻至外延基片表面,形成控制栅;步骤六、对控制栅进行光刻,并选择性刻蚀至第二介电层表面。本发明能够节省光刻步骤,降低制作成本。
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6:
[发明]
基准电压源电路
申请号:
201810833884.7
公开号:CN109062305A 主分类号:G05F1/56(2006.01)I
申请人:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2018.07.26 公开日:2018.12.21
发明人:
邵博闻
摘要:本发明公开了一种基准电压源电路,其特征在于:由五个PMOS晶体管,十个NMOS晶体管组成,输出参考电压VREF=V
RMOS
+VDS
MN3
+VDS
MN5
+VGS
MN7
,V
RMOS
为NMOS晶体管MN10漏极与源极间的电压,VDS
MN5
为NMOS晶体管MN5漏极与源极间的电压,VGS
MN7
为NMOS晶体管MN7栅极与源极间的电压,VDS
MN3
为NMOS晶体管MN3漏极与源极间的电压。本发明能够减小电路的芯片面积,且功耗小。
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7:
[发明]
存储单元及其形成方法
申请号:
201810882381.9
公开号:CN109065633A 主分类号:H01L29/788(2006.01)I
申请人:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2018.08.06 公开日:2018.12.21
发明人:
刘宪周
摘要:本发明提供了一种存储单元及其形成方法,所述存储单元包括浮栅结构、控制栅结构和字线结构,所述浮栅结构面向所述字线结构的侧具有尖端。在本发明提供的存储单元及其形成方法中,在浮栅结构面向字线结构的一侧具有尖端,通过尖端的尖端效应,在擦除器件时浮栅结构中的电子会通过尖端向字线结构转移,有效的提高擦除操作时的擦除效率,从而提高存储单元的性能。
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8:
[发明]
一种PIP电容的形成方法
申请号:
201810882431.3
公开号:CN109065717A 主分类号:H01L49/02(2006.01)I
申请人:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2018.08.06 公开日:2018.12.21
发明人:
曹子贵
摘要:本发明提供了一种PIP电容的形成方法,包括:提供一衬底,所述衬底上具有器件区域和电容区域;在所述衬底上依次形成第一多晶硅层、层间介质层和第二多晶硅层;在所述器件区域上进行刻蚀使所述第一多晶硅层形成浮栅及使所述第二多晶硅层形成控制栅,同时在所述电容区域上进行刻蚀使所述第一多晶硅层形成第一电极以及所述第二多晶硅层形成第二电极;形成金属连接线连接所述第一电极以及所述第二电极。在本发明提供的PIP电容的形成方法中,通过对第一多晶硅层、层间介质层和第二多晶硅层的同步刻蚀,可同时形成浮栅和控制栅的器件结构以及第一电极和第二电极的PIP电容结构,不需要增加额外的工艺及步骤即可以形成PIP电容,提高芯片对于设计面积的利用率。
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9:
[发明]
阈值基准电流产生电路
申请号:
201810984613.1
公开号:CN109062306A 主分类号:G05F1/56(2006.01)I
申请人:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2018.08.28 公开日:2018.12.21
发明人:
袁志勇
摘要:本发明公开了一种阈值基准电流产生电路,第一~第三镜像电流源的一端和第一PMOS晶体管的衬底与电源电压端VPWR相连接,第一镜像电流源的另一端与第一PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的栅极相连接,其连接的节点记为VIN;第一NMOS晶体管的漏极与第二镜像电流源的另一端相连接,其源极与第一电阻的一端和第二NMOS晶体管的栅极相连接,其连接的节点记为VRES;第三镜像电流源的另一端与第二NMOS晶体管的漏极和第一PMOS晶体管的栅极相连接;第一PMOS晶体管的漏极、第一电阻的另一端和第一NMOS晶体管的衬底、以及第二NMOS晶体管的源极和衬底接地。本发明能够降低反相放大器转换特性,随电源电压变化。
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10:
[发明]
电压调整电路
申请号:
201811144040.8
公开号:CN109062308A 主分类号:G05F1/56(2006.01)I
申请人:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2018.09.29 公开日:2018.12.21
发明人:
邵博闻
摘要:本发明公开了一种电压调整电路,包括:七个PMOS晶体管,八个NMOS晶体管、两个电阻和两个电容;正常工作时,输出OUT>节点NGATE电压,则节点DET为低电平,第七PMOS晶体管打开;当输出端OUT的电压向下跳变时,OUT
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