摘要：本发明提出了一种厚膜图形化SOI材料的制备方法，先采用SIMOX技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化SOI材料，其特征在于然后利用CVD气相外延方法在衬底表层外延形成单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种，或在锗硅薄膜上继续外延单晶硅形成应变硅的结构。具体工艺步骤包括4步：(1)在硅衬底上光刻阻挡离子注入的掩模；(2)离子注入；(3)高温退火；(4)CVD外延生长单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种。外延层厚度通过沉积速率调节，其厚度为0.7～50μm。本发明所制备的厚膜图形化SOI材料为MEMS和MOEMS集成提供了衬底材料。

摘要：本发明提出了一种降低硅光波导，或基于绝缘体上的硅材料光波导损耗的方法，其特征在于：首先通过氢气气氛中的高温烘烤，改善硅光波导或SOI光波导的波导表面状况，显著抑止光在波导结构中传输时的散射损耗，实现光波导传输损耗的降低；然后再利用离子束辅助沉积技术，在波导的输入、输出端面沉积氧化铪增透膜，降低光耦合出入光波导的菲涅耳反射损耗；关键的技术途径为：(1)将制备的硅光波导或SOI光波导置于氢气气氛中，在800～1300℃的温度范围内烘烤10分钟～20小时；(2)利用离子束辅助沉积技术，在硅光波导或SOI光波导的输入和输出端面均匀沉积一层厚度为150～210nm的氧化铪增透膜，沉积速率0.1～0.8nm/s，材料折射率控制在1.82～1.95。

摘要：一种键合减薄制备SOI晶片的制作方法，外延时利用掺杂气体源在外延炉内中原位生成背蚀层，然后再背蚀层上外延单晶作为SOI层以形成器件片。然后将该器件片和支撑片键合，键合前所用的器件片和支撑片中必须至少有一片做绝缘化处理，键合后再退火加固，采用研磨加腐蚀的方法腐蚀至器件片原位背蚀层，再腐蚀去除背蚀层，并对顶层硅进行精细研磨，形成最终的SOI圆片。最终埋层和顶层硅的厚度分别由氧化层厚度和器件片上外延层厚度决定。该工艺制造的SOI圆片埋层和SOI层厚度可以依据需要在大范围内调节。由于背蚀层的使用也保证了顶层硅的厚度均匀性。

摘要：本发明涉及一种利用桶式外延炉进行埋层外延用于制作BICMOS电路的制备方法，属于微电子技术领域。具体地说是一种利用桶式外延炉来制备BICMOS原材料的新工艺，新制备方法。这种新型制备方法相比于通常单片炉制备方法不但能满足BICMOS电路制作的高要求，而且具有高产量、低成本等优点。

摘要：一种对衬底的多层膜表面的颗粒尺寸进行无损检测的方法，提供表面具有多层膜结构的待测衬底，检测附着于衬底的多层膜表面的颗粒的几何尺寸。采用标准测试颗粒对应分布于与待测衬底具有相同多层膜结构的测试衬底的多层膜表面，建立标准颗粒的散射光强的高斯峰宽度与相应的实际几何尺寸之间的转换关系，作为测定表面颗粒尺寸的依据。本发明的优点在于，由于高斯峰宽度与几何尺寸之间的转换关系是基于多层膜表面建立的，再用于测定先通的多层膜表面颗粒尺寸，因此可以排除多层膜表面由于多次反射对散射光造成的干扰，提高测试的可靠性。

摘要：一种绝缘体上的硅衬底的制备方，包括如下步骤：(a)提供单晶硅衬底；(b)在单晶硅衬底表面生长掺杂单晶硅层；(c)提供支撑衬底；(d)将支撑衬底和单晶硅衬底键合在一起，形成键合后的衬底；(e)对键合后的衬底进行第一次退火；(f)腐蚀单晶硅衬底至露出掺杂单晶硅层；(g)对键合后的衬底进行第二次退火；(h)抛光腐蚀后露出的掺杂单晶硅层的表面。本发明的优点在于，利用旋转腐蚀工艺加速掺杂离子脱离表面的速度，保持腐蚀溶液的活性，从而提高腐蚀溶液对不同掺杂浓度单晶硅的腐蚀选择比，从而提高SOI衬底顶层硅厚度的均匀性。并且采用两次退火的方法，同时保证了旋转腐蚀的界面质量和键合界面的牢固程度。

摘要：一种多层外延层的生长设备，包括反应室、掺杂元素进口，还包括多个进气通路以及切换阀。本发明还提供了一种采用上述的设备进行多层外延层的生长方法。本发明的优点在于，采用多个气体通路，克服了稀释气体流量不可调节的问题，只需要操作切换阀既可以获得具有不同的掺杂元素浓度的气体，而不需要更换掺杂源，因此简化了工艺过程，降低对衬底和外延层的污染，并且实现了生长过程中的在位切换，易于控制每一次外延生长的厚度以及掺杂浓度的分布状态。

摘要：本发明提供了一种在键合前清洗键合表面的方法，包括如下步骤：提供两个用于键合的第一表面和第二表面，所述第一表面为非晶表面，第二表面为晶体表面；在键合前采用氨水分别清洗所述第一表面和第二表面，清洗所述第一表面所采用的氨水浓度和清洗温度两个参数中的至少一个参数高于清洗所述第二表面所采用的参数。

摘要：一种用于氮化物外延生长的叠层基板及其形成方法，所述叠层基板包括：至少一组堆叠结构，所述堆叠结构包括氮化铪层和氮化铝层，所述氮化铪层和氮化铝层相互堆叠；所述叠层基板具有六方晶体结构。所述叠层基板适于作为高温生长氮化物外延层的基底，形成高质量的氮化物外延层。

摘要：一种高击穿电压氮化镓功率材料的外延方法，所述外延方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；对所述缓冲层进行离子注入，使所述缓冲层与衬底之间的界面态绝缘化；在所述缓冲层表面形成氮化镓层。上述外延方法能够降低形成的氮化镓基功率器件缓冲层和衬底之间的界面缺陷态，减小漏电流，提高器件击穿电压特性。