摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：在去除部分第一阻挡材料层，形成露出覆盖在栅极，以及部分导电层的第一阻挡层，并在第一阻挡层露出的栅极以及导电层上形成金属硅化物层后，在所述半导体衬底上形成填充层。所述填充层填充在去除部分第一阻挡材料层过程中，因为去除了部分侧墙致使在侧墙和栅极之间形成的缺口。从而提高后续形成的半导体器件的导电层和栅极之间的绝缘性，以避免后续使用过程中，出现因为侧墙和栅极之间的缺口从而造成导电层和栅极被击穿的缺陷的现象，从而进一步降低栅极和导电层之间被击穿的概率，提高后续形成的半导体器件的性能。

摘要：一种嵌入式芯片测试方法及系统，所述系统包括：测试仪、测试平台以及锁存器，其中：所述测试仪，适于生成测试信号并通过测试信号输出端输出；所述测试平台，包括：测试信号输入端、锁存控制端以及测试结果输出端，其中：所述测试信号输入端分别与所述测试仪的测试信号输出端及所述嵌入式芯片的测试信号输入端耦接，所述锁存控制端与所述锁存器耦接；所述测试结果输出端与所述测试仪的测试结果输入端耦接；所述锁存器，包括：响应信号输入端，与所述嵌入式芯片的数据输出端耦接；锁存数据输出端，与所述测试结果输出端耦接。采用所述方法及系统，可以减少嵌入式芯片的测试时延，提升测试速度。

摘要：一种SRAM单元，其中第一传输晶体管具有第一源极和第一栅极，第一下拉晶体管具有第二源极；第二传输晶体管具有第三源极和第二栅极，第二下拉晶体管具有第四源极；第一上拉晶体管具有第五源极，第二上拉晶体管具有第六源极；在第一、二互连线层中，其中一个互连线层包括字线和电源接线，另一个互连线层包括第一、二位线和接地线，或其中一个互连线层包括字线和接地线，另一个互连线层包括第一、二位线和电源接线；字线与第一、二栅极电连接，第一位线和第一源极电连接，第二位线和第三源极电连接；电源接线与第五、六源极电连接，接地线与第二、四源极电连接。本案中，两个互连线层所安排的外围控制电路数量相同，所承受的引线任务基本均衡。

摘要：一种SRAM单元的形成方法，该SRAM单元的形成方法包括：在第一区域形成第一、二、三鳍部，第二、三鳍部在第一鳍部长度方向上并列排布；在第二区域形成第四、五、六鳍部，第五、六鳍部在第四鳍部的长度方向上并列排布；第一、四鳍部的长度方向为晶向族<110>，第二、三、五、六鳍部的长度方向为晶向族<100>；形成横跨第一鳍部的第一栅极、横跨第二、三鳍部的第二栅极、横跨第四鳍部的第三栅极、横跨第五、六鳍部的第四栅极。本案中第一、四鳍部垂直于第二、三、五、六鳍部，栅极的形成工艺，例如图形化过程是比较容易实现的，形成的所有栅极宽度符合预期。例如在光刻过程，光刻设备对转动90度后的栅极图形的解析度和分辨率高。

摘要：一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源极材料层和漏极材料层；在所述半导体衬底、栅极结构、源极材料层和漏极材料层上形成第一介质层；在所述第一介质层内形成底部露出源极材料层的第一源极通孔和底部露出漏极材料层的第一漏极通孔；刻蚀去除第一源极通孔底部的部分源极材料层和第一漏极通孔底部的部分漏极材料层；在剩余的源极材料层和剩余的漏极材料层上形成金属硅化物层。采用本发明的方法可以进一步降低源漏接触电阻和寄生串联电阻，以提高后续形成的晶体管的性能。

摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供具有鳍部的半导体衬底；形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的鳍部表面形成源极材料层和漏极材料层；在半导体衬底、栅极结构、源极材料层和漏极材料层上形成第一介质层；在第一介质层内形成底部露出源极材料层的第一源极通孔和底部露出漏极材料层的第一漏极通孔；在第一源极通孔底部的源极材料层上形成第一金属层；在第一漏极通孔底部的漏极材料层上形成第二金属层；对第一金属层下的源极材料层和第二金属层下的漏极材料层进行势垒降低离子注入；对第一金属层和第二金属层进行第一退火处理，分别形成源极金属硅化物层和漏极金属硅化物层。采用本发明的形成晶体管的方法能够提高晶体管的性能。

摘要：一种存储器结构的形成方法，包括：提供包括器件区和外围区的衬底；在衬底表面形成自器件区延伸至外围区表面的若干栅极结构，栅极结构横跨于若干有源区表面，栅极结构两侧分别具有源区沟槽和漏区沟槽；在衬底表面形成第一介质层；在器件区的源区沟槽内形成源区互连线；在源区互连线、第一介质层和栅极结构表面形成第二介质层；在第二介质层内形成若干第一通孔；在第一通孔的侧壁表面形成第三阻挡层；去除外围区的第一通孔底部的第一阻挡层和第一介质层，形成控制栅通孔和漏区通孔；在漏区通孔内形成漏区插塞，在控制栅通孔内形成控制栅插塞。所形成的存储器结构形貌良好、性能稳定、可靠性提高。

摘要：一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部；在所述鳍部的侧壁和顶部表面形成第一氧化硅层；在部分所述第一氧化层的表面上形成多晶硅栅极；去除所述多晶硅栅极两侧的鳍部表面上的第一氧化硅层；采用含臭氧的溶液清洗所述多晶硅栅极的侧壁，在所述多晶硅栅极的侧壁表面上形成第二氧化硅层；在所述第二氧化硅层侧壁表面上形成偏移侧墙；以所述多晶硅栅极和偏移侧墙为掩膜，刻蚀多晶硅栅极和偏移侧墙两侧的鳍部，形成凹槽；在凹槽中形成应力源/漏区。本发明的方法提高了形成的源/漏区的性能。

摘要：本申请公开了一种环形振荡电路和环形振荡器。其中，该环形振荡电路包括：用于输出偏置电流的参考电压产生电路、偏置电路和环形振荡结构，偏置电路包括：第一NMOS晶体管，漏极和栅极连接到参考电压产生电路的偏置电流输出端；第二NMOS晶体管，栅极和漏极均与第一NMOS晶体管的源极相连接，第二NMOS晶体管的源极接地；第三NMOS晶体管，栅极与第一NMOS晶体管的栅极相连接，漏极与第一PMOS晶体管的漏极相连接；以及电阻R，一端与第三NMOS晶体管的源极相连接，电阻R包括串联的具有正温度系数的第一电阻和具有负温度系数的第二电阻。通过本申请，解决了现有技术无法在降低温度系数对环形振荡器输出振荡频率的影响的同时减低功耗和面积的技术问题。

摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制作方法和电子装置，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低K介质材料层，所述低K介质材料层中还形成有金属层；在所述低K介质材料层中形成第一接触孔和第二接触孔，以露出所述金属层；在所述第一接触孔和所述第二接触孔中依次沉积形成第一阻挡层和第二阻挡层；采用惰性气体轰击所述第一接触孔和所述第二接触孔的底部；在所述第一接触孔和所述第二接触孔中沉积形成第三阻挡层。该方法降低了与下层金属接触面积较小的接触孔和接触面积较大的接触孔的电阻，同时对器件电子迁移率的性能没有影响，最终降低了半导体器件的功耗。