摘要：本发明提供一种压环装置及反应腔室，包括压环以及用于带动压环上下移动的支撑件，支撑件包括台阶面，在台阶面上设置有销柱，且在压环上与销柱相对应的位置处设置有第一通孔，销柱穿过与其对应的第一通孔并且高于压环的上表面，销柱上高出压环上表面的位置设置有阻挡件，当支撑件将压环顶起时，压环的上表面与阻挡件的下表面之间具有预设距离H。本发明提供的压环装置，其可以避免压环倾斜或者脱离支撑件，从而可以保证压环能够准确地压住晶片边沿，进而可以避免损坏晶片，确保取放片操作的正常进行。

摘要：本发明提供一种进气机构和等离子刻蚀机，属于半导体制造技术领域。本发明的进气机构包括喷嘴和用于将所述喷嘴固定在腔室盖板上的固定组件，在所述喷嘴与所述腔室盖板之间设置有密封圈，所述固定组件包括喷嘴压环、连接保护套和喷嘴挂钩，其中，所述喷嘴压环设置在所述喷嘴的顶部，所述连接保护套套设在所述喷嘴外部，所述喷嘴压环与所述连接保护套、所述喷嘴挂钩连接为一体；所述喷嘴挂钩的一端采用钩挂的方式与所述腔室盖板连接，另一端夹持在所述连接保护套与所述喷嘴之间，用以将所述喷嘴压紧在所述腔室盖板上。该进气机构在高温环境的工作状况下，与腔室盖板之间能够保持长久良好的密封效果，具有长久的使用寿命。

摘要：本发明提供一种半导体加工设备及等离子体产生方法，其包括反应腔室、内线圈机构、外线圈、第一射频电源、第一匹配器、第二射频电源和第二匹配器，其中，在反应腔室的顶部设置有平板状的介质窗；内线圈机构设置在该介质窗上方的中心区域；外线圈为平面线圈，其设置在介质窗上方，且环绕在内线圈机构的周围；第一射频电源用于通过第一匹配器向内线圈机构加载连续波射频功率；第二射频电源用于通过第二匹配器向外线圈加载脉冲波或者连续波射频功率。本发明提供的半导体加工设备，其不仅可以扩大工艺窗口，而且可以使等离子体在启辉时更稳定，从而可以提

摘要：本发明提供一种反应腔室，包括基座和工件检测装置，其中，基座包括用于承载托盘的承载面，该托盘用于承载至少一个被加工工件。工件检测装置用于检测基座上是否放置有托盘，并发出有关是或者否的数字信号。本发明提供的反应腔室，其可以通过直接读取该数字信号就可以判断出基座上是否放置有托盘，从而即使软件系统突发故障或异常等情况，仍然可以准确并及时地判断反应腔室内是否有托盘，进而可以提高设备的可靠性。

摘要：本发明提供一种阀门机构及半导体加工设备，其用于开启或封闭腔室的阀口，包括阀板以及用于驱动该阀板上升或下降的驱动装置，其中，阀板设置在腔室的内部，且阀板与阀口分别具有倾斜的对接面，阀板的对接面与阀口的对接面相互平行。阀板通过上升或下降使其对接面与阀口的对接面相接触或相分离，以实现阀口的开启或封闭。本发明提供的阀门机构，其可以在腔室体积不变的前提下，减小半导体加工设备的整体体积，同时使腔室布局更为紧凑。

摘要：本发明提供一种装卸手，其包括承托件、压紧件和手柄，其中，承托件包括用于承载托盘的承载面；压紧件包括用于压住托盘的压紧面；手柄包括第一握持部和第二握持部，二者通过转动副连接，第一握持部与承托件连接，第二握持部与压紧件连接，并且承托件和压紧件位于转动副的一侧，而第一握持部和第二握持部位于转动副的另一侧；通过开合第一握持部和第二握持部，使压紧件与承托件相互分离，或者使压紧件与承托件夹持托盘；在压紧件上设置有弹性组件，用于在压紧件与承托件夹持托盘时，向托盘施加将其压紧在承托件上的弹力。本发明提供的装卸手，其可以夹

摘要：本发明提供一种上电极组件及半导体加工设备，其包括设置在腔室盖板上的介质桶、环绕在该介质桶周围的线圈、用于加热介质桶的加热机构、上加热带和下加热带，其中，上加热带和下加热带分别套设在介质桶的外周壁的顶部和底部，且分别位于线圈的上方和下方。本发明提供的上电极组件，其不仅可以提高介质桶的温控准确性和温度均匀性，而且还可以提高热传递效率，从而可以提高工艺质量。

摘要：本发明提供了一种助于光谱信号收集的装置、光谱信号系统及半导体设备。该助于光谱信号收集的装置包括透镜、筒体和可调通光件；其中，筒体，不透明且可长度可调；透镜，安装在筒体的一端；可调通光件，其上设置有开口且开口的大小可调，安装在筒体的另一端。本发明提供的助于光谱信号收集的装置，可以有效地抑制本地噪声且避免收集到的光谱信号强度过饱和，有助于收集到所需高信噪比的光谱信号，因此，光谱信号系统能够监测工艺过程中的微小变化，也就能够精确地控制工艺过程，从而可以提高半导体设备的控制精度。

摘要：本发明提供一种深硅刻蚀工艺，包括：S1，预刻蚀步骤，通入刻蚀气体、溴化氢和氧气进行刻蚀至预设深度，以在刻蚀槽的侧壁上形成含氧、溴和硅的聚合物；S2，刻蚀步骤，直至刻蚀深度满足要求。本发明提供的深硅刻蚀工艺，解决刻蚀槽侧壁上形成Bowing形貌的问题，保证了刻蚀槽的侧壁平滑。

摘要：本发明公开了一种反应腔室的清洗方法，涉及半导体技术领域，能够有效清除反应腔室中的副产物。该反应腔室的清洗方法采用清洗气体在射频电源作用下起辉以实现清除沉积在反应腔室内壁上的副产物，该反应腔室的清洗方法包括对所述反应腔室内壁的不同区域进行清洗的至少两个主清洗步骤。