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发明专利:393实用新型: 61外观设计: 0
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申请号:201610044160.5 公开号:CN105826218A 主分类号:H01L21/67(2006.01)I
申请人:应用材料公司 申请日:2016.01.22 公开日:2016.08.03
摘要:一种半导体工艺设备。提供了一种用于处理基板的系统,所述系统包括第一平面电动机、基板载件、第一处理腔室以及第一升降器。第一平面电动机包括沿第一水平方向设置的第一线圈布置、平行于第一水平方向的顶表面、第一侧和第二侧。基板载件具有平行于第一水平方向的基板支撑表面。第一处理腔室具有用于接收设置在基板载件上的基板的开口。第一升降器包括第二平面电动机,所述第二平面电动机具有沿第一水平方向设置的第二线圈布置。第二平面电动机的顶表面平行于第一水平方向。第一升降器配置成用于在第一竖直位置与第二竖直位置之间移动第二平面电动机
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申请号:201780045571.9 公开号:CN109496348A 主分类号:H01L21/67(2006.01)I
申请人:应用材料公司 申请日:2017.09.06 公开日:2019.03.19
摘要:公开一种基板运输系统,并且所述基板运输系统包括:腔室,所述腔室具有内壁;平面电机,所述平面电机安置在所述内壁上;和基板载体,所述基板载体磁性地耦接到所述平面电机。所述基板载体包括:基部;和基板支撑表面,所述基板支撑表面耦接到以悬臂定向从所述基部延伸的支撑构件。
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申请号:202010251403.9 公开号:CN111455349A 主分类号:C23C16/455
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2020.04.01 公开日:2020.07.28
发明人:董金卫
摘要:本发明提供了一种半导体工艺设备,其中,包括:反应腔室、第一输气管路、第二输气管路和预加热装置;所述第一输气管路将气源与所述预加热装置的进气端连通,所述反应腔室通过所述第二输气管路与所述预加热装置的出气端连通;所述预加热装置用于将所述气源输出的工艺气体预加热至预设温度后,输出至所述反应腔室。本发明可以使工艺气体在进入反应腔室前被充分加热。
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申请号:202010462057.9 公开号:CN111725096A 主分类号:H01L21/67
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2020.05.27 公开日:2020.09.29
发明人:陈波
摘要:本发明公开一种半导体工艺设备,包括一外石英轴和石英轴固定装置,用于固定外石英轴,该石英轴固定装置包括:轴筒,轴筒用于容纳外石英轴,轴筒的筒壁包括一可变形段,可变形段能够通过变形调节其径向尺寸;环形夹紧结构,环形夹紧结构沿可变形段的周向设置,能够在轴向和径向上夹紧外石英轴;底座,轴筒设置在底座上;轴筒上的可变形段能够调节其径向尺寸,便于外石英轴插入轴筒,通过可变形段的环形夹紧结构,使外石英轴在径向和轴向被夹紧于轴筒内,避免外石英轴上下运动时与轴套产生轴向和径向的相对窜动,保证外石英轴上下运动的位置精度。
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申请号:202010535344.8 公开号:CN111696897A 主分类号:H01L21/67
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2020.06.12 公开日:2020.09.22
发明人:陈佳伟
摘要:本发明提供一种半导体工艺设备,包括工艺腔室,工艺腔室中设置有用于承载衬底的基座、用于加热基座的第一热源组件,工艺腔室中还设置有第二热源组件,第一热源组件环绕第二热源组件设置,第二热源组件包括驱动机构和第二热源,其中,第二热源用于加热基座;驱动机构与第二热源连接,用于驱动第二热源移动,以调节第二热源加热的基座的区域。本发明提供的半导体工艺设备能够提高对基座温度控制的灵活性,从而提高基座的温度均匀性,进而提高衬底沉积层的电阻率值及电阻率均匀性,还可以提高热源组件的使用寿命,降低使用成本。
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申请号:202010542937.7 公开号:CN111725099A 主分类号:H01L21/67
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2020.06.15 公开日:2020.09.29
摘要:本发明公开一种半导体工艺设备,包括工艺腔室,所述工艺腔室具有相互连通的进气孔和工艺腔;间隔件,所述间隔件设置于所述工艺腔内,所述间隔件的外缘与所述工艺腔室的侧壁密封配合,所述工艺腔被所述间隔件分隔为发生腔和反应腔,所述进气孔与所述发生腔连通,所述间隔件具有连通孔,所述连通孔沿厚度方向贯穿所述间隔件,所述发生腔和所述反应腔通过所述连通孔连通;线圈,所述线圈设置于所述工艺腔内,且所述线圈环绕所述工艺腔的进气路径设置;线圈驱动机构,设置在所述工艺腔室上,所述线圈驱动机构与所述线圈连接,所述线圈驱动机构驱动所述线圈沿所述进气孔的轴向移动。上述方案可以解决目前调整线圈的位置较为困难,影响生产节奏的问题。
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申请号:202011154921.5 公开号:CN112331546A 主分类号:H01J37/32
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2020.10.26 公开日:2021.02.05
发明人:李兴存
摘要:本发明提供一种半导体工艺设备,包括激发线圈、工艺腔室和射频源组件,射频源组件与激发线圈电连接,用于向激发线圈提供射频功率,激发线圈环绕工艺腔室设置,该半导体工艺设备还包括调节组件,该调节组件的第一端与激发线圈连接射频源组件的一端电连接,该调节组件的第二端接地,该调节组件用于调节射频源组件的负载阻抗。在本发明提供的半导体工艺设备中,激发线圈与调节组件并联设置,该调节组件可以灵活、高效地改变感性耦合并联支路与容性耦合并联支路之间的功率分配关系以及激发线圈输入端的输入电压,实现对等离子体密度和成分的精确控制。
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申请号:202011155612.X 公开号:CN112331547A 主分类号:H01J37/32
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2020.10.26 公开日:2021.02.05
发明人:王伟;马恩泽
摘要:本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括:工艺腔室、负载腔室及传输腔室;工艺腔室内设置有用于承载晶圆的基座,基座上设置有聚焦环;负载腔室内设置有多个子腔室,每个子腔室内均设置有支撑组件,支撑组件用于承载晶圆及聚焦环,至少一个子腔室内的支撑组件还用于承载聚焦环;多个工艺腔室及多个负载腔室环绕设置于传输腔室的外周,与传输腔室选择性连通,传输腔室内设置有机械手结构,机械手结构用于在负载腔室及工艺腔室之间传送晶圆或聚焦环。本申请实施例大幅减少了负载腔室的状态切换时间,从而大幅提高了传输腔室的传输效率以及半导体工艺设备可以挂接工艺腔室的数量,进而大幅提高了半导体工艺设备的生产效率。
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申请号:202011156384.8 公开号:CN112331548A 主分类号:H01J37/32
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2020.10.26 公开日:2021.02.05
发明人:宋瑞智
摘要:本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括:工艺腔室、负载腔室及传输腔室;工艺腔室内设置有基座及聚焦环,聚焦环设置于基座上,基座用于承载待加工件;负载腔室内设置有支撑组件,支撑组件用于承载待加工件及聚焦环;传输腔室与工艺腔室及负载腔室均连通,传输腔室内设置有机械手,机械手用于在负载腔室及工艺腔室之间传送待加工件或聚焦环。本申请实施例实现了无需开启工艺腔室的上盖即可实现对聚焦环进行更换,从而大幅缩短了工艺腔室的维护时间,并且由于无需对工艺腔室进行开盖,还节省了半导体工艺设备的复机时间,从而大幅提高了半导体工艺设备的产能。
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10:[发明] 半导体工艺设备
申请号:202011196032.5 公开号:CN112391597A 主分类号:C23C14/34
申请人:北京七星华创集成电路装备有限公司 申请日:2020.10.30 公开日:2021.02.23
发明人:金晨;李建银
摘要:本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备用于对基片进行稀土沉积工艺,其包括:电极组件及进气机构均设置于工艺腔室的顶壁上,并且均沿第一方向延伸布置;进气机构围绕电极组件设置;移动机构设置于工艺腔室内的底部,并且沿第二方向延伸设置,用于承载并带动基片沿第二方向移动,第二方向与第一方向相交;抽气机构设置于工艺腔室的顶壁且与工艺腔室连通,抽气机构位于电极组件的一侧,抽气机构在工艺腔室内具有抽气口,抽气口沿第一方向延伸且靠近进气机构设置,用于使工艺腔室内的工艺气体能够均匀地通过基片表面。本申请实施例实现了在确保镀膜均匀性同时还能大幅提高靶材溅出率,从而大幅降低生产成本。
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