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发明专利:225实用新型: 127外观设计: 2
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申请号:200610089011.7 公开号:CN101113531 主分类号:C30B15/00(2006.01)I
申请人:中国科学院理化技术研究所 申请日:2006.07.28 公开日:2008.01.30
摘要:一种氟硼酸钙非线性光学晶体的制法:将氟硼酸钙与助熔剂混合,以20-100℃/小时速率加热至900-1170℃,恒温5-50小时,再冷却至饱和温度之上2-10℃,得到含氟硼酸钙与助熔剂的混合熔体;所述氟硼酸钙与助熔剂的质量份配比=1∶0.1-1,助熔剂为LiF-CaO-B2O3体系,其中LiF∶CaO∶B2O3的摩尔比为1-0.5∶0-0.37∶0-0.2;把装在籽晶杆上的籽晶放入上述步骤制备的混合熔体中,降温到饱和温度,同时以5-50转/分的旋转速率旋转籽晶杆,然后以0.2-3℃/天的速率缓慢降温,将得到的晶体提离液面,以5-100℃/小时的速率降至室温,得到氟硼酸钙非线性光学晶体。该方法操作简单,生长速度快,晶体易长大,成本低。
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申请号:200810104670.2 公开号:CN101565856 主分类号:C30B33/00(2006.01)I
申请人:中国科学院理化技术研究所 申请日:2008.04.23 公开日:2009.10.28
摘要:一种在硼酸盐晶体表面制备有机硅防潮保护膜的方法,步骤如下:将硅烷偶联剂、乙酸、去离子水和低沸点有机溶剂混合,硅烷偶联剂发生水解反应得到镀膜溶胶液;硅烷偶联剂R-Si(OCH3)3,R为n-十二烷基、辛基或γ-环氧丙氧丙基;低沸点有机溶剂为乙醇、甲醇或丙酮;将镀膜溶胶液均匀涂抹在硼酸盐晶体表面,经阴干,硼酸盐晶体表面制得预聚合有机硅疏水膜;再于80~140℃下进行热处理,晶体表面上形成致密的有机硅防潮保护膜;其优点:带-Si(OCH3)3官能团的硅烷偶联剂在晶体表面形成有机硅聚合物,与晶体表面共价键相连接,硅烷偶联剂的有机官能团具疏水性,可阻隔空气中水分子与晶体表面接触,提高晶体抗潮解能力。
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申请号:201110252660.5 公开号:CN102953116A 主分类号:C30B9/12(2006.01)I
申请人:中国科学院理化技术研究所 申请日:2011.08.30 公开日:2013.03.06
摘要:一种厘米级纯相BiFeO3单晶的制备方法:a)将Fe2O3与Bi2O3两种原料混匀后放入晶体生长炉中;b)晶体生长炉升温至825℃以上并保温;c)缓慢降温,至熔体表面出现晶核时再缓慢升温,至晶核减少至一个时再缓慢降温,至晶核数目增多时再缓慢升温,当晶核数目再次减少至一个时再缓慢降温维持BFO单晶的稳定生长,直至其生长停止;d)晶体生长完全且凝固后将晶体生长炉冷却至室温;e)取出晶体清洗后即得到纯相BiFeO3单晶。本发明使用高温溶液震荡选晶法控制其形核及生长过程,经过多轮升降温,促使尺寸较小的晶核熔化而保留尺寸较大的晶核以最终获得BiFeO3单晶。
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申请号:201210125126.2 公开号:CN103378141A 主分类号:H01L29/739(2006.01)I
申请人:上海北车永电电子科技有限公司 申请日:2012.04.25 公开日:2013.10.30
摘要:本发明涉及电子器件领域,公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。本发明中,在绝缘栅双极型晶体管IGBT中,第一掺杂区作为超结,沟道区与第二掺杂区形成内置的快速恢复二极管,结合了超结MOS和逆导IGBT的优点,可以有效减小IGBT的饱和压降,获得更高的功率密度,同时在模块封装中省去了快速恢复二极管,可以有效降低生产成本。缓冲区层的存在,降低了对衬底厚度的需求,利用缓冲区层来加快载流子的复合过程,可以有效降低IGBT产品的拖尾时间,降低产品的关断损耗,提高产品的截止频率。
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申请号:201711027222.2 公开号:CN107829137A 主分类号:C30B29/10(2006.01)I
申请人:中国科学院理化技术研究所 申请日:2017.10.27 公开日:2018.03.23
摘要:本发明提供了一种硼酸锌单晶作为半导体薄膜衬底的新用途,所述硼酸锌单晶属于立方晶系、I‑43m空间群结构,单胞参数化学式为Zn4B6O13,所述硼酸锌单晶用作制备半导体薄膜的衬底。采用所述硼酸锌单晶作为衬底能够得到具有优异性能的半导体薄膜,并且相应成本也会大大减少。
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申请号:201711181024.1 公开号:CN107955968A 主分类号:C30B29/22(2006.01)I
申请人:中国科学院理化技术研究所 申请日:2017.11.23 公开日:2018.04.24
摘要:本发明提供一种硼酸锌单晶用于制备电子设备显示屏的新用途,所述硼酸锌单晶属于立方晶系、I‑43m空间群结构,单胞参数化学式为Zn4B6O13,所述硼酸锌单晶用于制备电子设备显示屏。所述显示屏不仅具有优异的硬度和耐磨性,且具有良好的透光性能。
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申请号:201811138682.7 公开号:CN109285912A 主分类号:H01L31/103(2006.01)I
申请人:中国科学院理化技术研究所 申请日:2018.09.28 公开日:2019.01.29
摘要:本发明公开了一种基于LiB3O5晶体的深紫外二极管器件。所述基于LiB3O5晶体的深紫外二极管器件包括:衬底、N型半导体薄膜、P型半导体薄膜、第一电极以及第二电极;所述P型半导体薄膜或所述N型半导体薄膜位于所述衬底上;所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜相对设置;所述第一电极与所述N型半导体薄膜电连接;所述第二电极与所述P型半导体薄膜电连接;所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜的主体材料为LiB3O5;其中,所述第一电极和所述第二电极分别电连接电源的负极和正极。本发明实施例提供的技术方案,使得利用LiB3O5作为主体材料制备的二极管器件能够高效地产生或探测深紫外波段的光,实现深紫外波段应用的二极管光电器件的构建。
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申请号:201811143398.9 公开号:CN109273570A 主分类号:H01L33/20(2010.01)I
申请人:中国科学院理化技术研究所 申请日:2018.09.28 公开日:2019.01.25
摘要:本发明公开了一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件。所述基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件中所述P型半导体薄膜或所述N型半导体薄膜位于所述衬底上;所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜相对设置;所述第一电极与所述N型半导体薄膜电连接;所述第二电极与所述P型半导体薄膜电连接;所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜的主体材料为KBe2BO3F2、RbBe2BO3F2或CsBe2BO3F2;其中,所述第一电极和所述第二电极分别电连接电源的负极和正极。本发明实施例提供的技术方案,使得利用KBe2BO3F2、RbBe2BO3F2或CsBe2BO3F2作为主体材料制备的二极管器件能够高效地产生或探测深紫外波段的光,实现深紫外波段应用的二极管光电器件的构建。
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申请号:92102773.7 公开号:CN1073729 主分类号:C30B29/22
申请人:中国科学技术大学; 佐佐木孝友 申请日:1992.04.23 公开日:1993.06.30
摘要: 本发明涉及一种从含CsO和B熔体中采用提拉技术生长CsB单晶的方法,以及以CsB单晶体制作的非线性光学器件。以本方法生长的CsB单晶体,可用于制作非线性光学器件。该非线性光学器件具有高转换效率,抗光损伤性能优越,并能产生波长短至1700A的紫外光输出。
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申请号:92112293.4 公开号:CN1085612 主分类号:C30B29/10
申请人:中国科学技术大学; 佐佐木孝友 申请日:1992.10.10 公开日:1994.04.20
摘要: 本发明涉及一种从含CsO和B熔体中采用提拉技术生长CsB单晶的方法,以及以CsB单晶体制作的非线性光学器件。以本方法生长的CsB单晶体,可用于制作非线性光学器件;该非线性光学器件具有高转换效率,抗光损伤性能优越,并能产生波长短至1700A的紫外光输出。
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