摘要：一种氟硼酸钙非线性光学晶体的制法：将氟硼酸钙与助熔剂混合，以20-100℃/小时速率加热至900-1170℃，恒温5-50小时，再冷却至饱和温度之上2-10℃，得到含氟硼酸钙与助熔剂的混合熔体；所述氟硼酸钙与助熔剂的质量份配比＝1∶0.1-1，助熔剂为LiF-CaO-B₂O₃体系，其中LiF∶CaO∶B₂O₃的摩尔比为1-0.5∶0-0.37∶0-0.2；把装在籽晶杆上的籽晶放入上述步骤制备的混合熔体中，降温到饱和温度，同时以5-50转/分的旋转速率旋转籽晶杆，然后以0.2-3℃/天的速率缓慢降温，将得到的晶体提离液面，以5-100℃/小时的速率降至室温，得到氟硼酸钙非线性光学晶体。该方法操作简单，生长速度快，晶体易长大，成本低。

摘要：一种在硼酸盐晶体表面制备有机硅防潮保护膜的方法，步骤如下：将硅烷偶联剂、乙酸、去离子水和低沸点有机溶剂混合，硅烷偶联剂发生水解反应得到镀膜溶胶液；硅烷偶联剂R-Si(OCH₃)₃，R为n-十二烷基、辛基或γ-环氧丙氧丙基；低沸点有机溶剂为乙醇、甲醇或丙酮；将镀膜溶胶液均匀涂抹在硼酸盐晶体表面，经阴干，硼酸盐晶体表面制得预聚合有机硅疏水膜；再于80～140℃下进行热处理，晶体表面上形成致密的有机硅防潮保护膜；其优点：带-Si(OCH₃)₃官能团的硅烷偶联剂在晶体表面形成有机硅聚合物，与晶体表面共价键相连接，硅烷偶联剂的有机官能团具疏水性，可阻隔空气中水分子与晶体表面接触，提高晶体抗潮解能力。

摘要：一种厘米级纯相BiFeO3单晶的制备方法：a)将Fe2O3与Bi2O3两种原料混匀后放入晶体生长炉中；b)晶体生长炉升温至825℃以上并保温；c)缓慢降温，至熔体表面出现晶核时再缓慢升温，至晶核减少至一个时再缓慢降温，至晶核数目增多时再缓慢升温，当晶核数目再次减少至一个时再缓慢降温维持BFO单晶的稳定生长，直至其生长停止；d)晶体生长完全且凝固后将晶体生长炉冷却至室温；e)取出晶体清洗后即得到纯相BiFeO3单晶。本发明使用高温溶液震荡选晶法控制其形核及生长过程，经过多轮升降温，促使尺寸较小的晶核熔化而保留尺寸较大的晶核以最终获得BiFeO3单晶。

摘要：本发明提供了一种硼酸锌单晶作为半导体薄膜衬底的新用途，所述硼酸锌单晶属于立方晶系、I‑43m空间群结构，单胞参数化学式为Zn₄B₆O₁₃，所述硼酸锌单晶用作制备半导体薄膜的衬底。采用所述硼酸锌单晶作为衬底能够得到具有优异性能的半导体薄膜，并且相应成本也会大大减少。

摘要：本发明提供一种硼酸锌单晶用于制备电子设备显示屏的新用途，所述硼酸锌单晶属于立方晶系、I‑43m空间群结构，单胞参数化学式为Zn₄B₆O₁₃，所述硼酸锌单晶用于制备电子设备显示屏。所述显示屏不仅具有优异的硬度和耐磨性，且具有良好的透光性能。

摘要：本发明公开了一种基于LiB₃O₅晶体的深紫外二极管器件。所述基于LiB₃O₅晶体的深紫外二极管器件包括：衬底、N型半导体薄膜、P型半导体薄膜、第一电极以及第二电极；所述P型半导体薄膜或所述N型半导体薄膜位于所述衬底上；所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜相对设置；所述第一电极与所述N型半导体薄膜电连接；所述第二电极与所述P型半导体薄膜电连接；所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜的主体材料为LiB₃O₅；其中，所述第一电极和所述第二电极分别电连接电源的负极和正极。本发明实施例提供的技术方案，使得利用LiB₃O₅作为主体材料制备的二极管器件能够高效地产生或探测深紫外波段的光，实现深紫外波段应用的二极管光电器件的构建。

摘要：本发明公开了一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件。所述基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件中所述P型半导体薄膜或所述N型半导体薄膜位于所述衬底上；所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜相对设置；所述第一电极与所述N型半导体薄膜电连接；所述第二电极与所述P型半导体薄膜电连接；所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜的主体材料为KBe₂BO₃F₂、RbBe₂BO₃F₂或CsBe₂BO₃F₂；其中，所述第一电极和所述第二电极分别电连接电源的负极和正极。本发明实施例提供的技术方案，使得利用KBe₂BO₃F₂、RbBe₂BO₃F₂或CsBe₂BO₃F₂作为主体材料制备的二极管器件能够高效地产生或探测深紫外波段的光，实现深紫外波段应用的二极管光电器件的构建。

摘要： 本发明涉及一种具有高转换效率、对光束发散度要求低的大功率非线性光学器件。该光学器件中的非线性光学晶体为LiB₃O₅单晶体。本发明的非线性光学器件（包括波导元件）对晶体加工精度的要求低，并能产生波长短于２０００Ａ°的相干光输出。

摘要： 本发明涉及一种从含Ｃｓ_２Ｏ和Ｂ_２Ｏ_３熔体中采用提拉技术生长ＣｓB_３Ｏ_５单晶的方法，以及以ＣｓＢ_３Ｏ_５单晶体制作的非线性光学器件。以本方法生长的ＣｓＢ_３Ｏ_５单晶体，可用于制作非线性光学器件。该非线性光学器件具有高转换效率，抗光损伤性能优越，并能产生波长短至１７００Ａ的紫外光输出。

摘要： 本发明涉及一种从含Ｃｓ_２Ｏ和Ｂ_２Ｏ_３熔体中采用提拉技术生长ＣｓＢ_３Ｏ_５单晶的方法，以及以ＣｓＢ_３Ｏ_５单晶体制作的非线性光学器件。以本方法生长的ＣｓＢ_３Ｏ_５单晶体，可用于制作非线性光学器件；该非线性光学器件具有高转换效率，抗光损伤性能优越，并能产生波长短至１７００Ａ的紫外光输出。