摘要：本发明公开了一种高稳定性能透明导电膜用AZO溅射靶材及制造方法。该IZGO溅射靶材所用的原料粉体中，Al2O3的含量为2～3wt％，和B2O3含量0.1-3wt％，余量为ZnO粉体；粉体平均粒径为0.05-50微米，原料粉体的纯度大于或等于4N。本发明的材料用于磁控溅射生产透明导电膜的生产过程更易控制，不存在类似ITO的严重毒化现象，溅射过程不需要加热，这在塑料等柔性导电膜的生产中更有优势，薄膜的稳定性及耐候性大大优于ITO及传统的氧化锌铝导电膜。生产的透明导电膜电阻率小于5×10-4Ω·cm，400-700nm可见光透过率大于85％，可以满足各种透明导电膜要求。

摘要：本发明公开了一种透明导电膜用IZGO溅射靶材及制造方法。该IZGO溅射靶材所用的原料粉体中，ZnO的含量为80-99wt％，In2O3为0.1-10wt％，Ga2O3含量为0.1-10wt％，粉体平均粒径为0.05-50微米，原料粉体的纯度大于或等于4N。本发明还公开了该种透明导电膜用IZGO溅射靶材的制造方法。本发明的所得材料，用于磁控溅射生产透明导电膜的生产过程更易控制，不存在类似ITO的严重毒化现象。溅射过程不需要加热，这在塑料等柔性导电膜的生产中更有优势，生产的透明导电膜电阻率小于7×10-4Ω·cm，400-700nm可见光透过率大于85％，可以满足各种透明导电膜要求。

摘要：本发明公开了一种用于磁控溅射镀膜的导电Nb2O5-x靶材。该导电Nb2O5-x靶材所用的原料粉体中，ZnO的含量为80-99wt％，In2O3为0.1-10wt％，Ga2O3含量为0.1-10wt％，粉体平均粒径为0.05-50微米，原料粉体的纯度大于或等于4N。本发明还公开了该导电Nb2O5-x靶材的生产方法。本发明的所得材料是一种导电性能良好的Nb2O5-x靶材，使得用磁控溅射生产氧化铌系列光学功能膜成为可能，可以保证制造大面积氧化铌系列光学功能膜时的膜层均匀度，生产过程更易控制，生产效率比以前用常规不良导电体Nb2O5为靶源采用交流射频溅射或真空蒸发镀膜工艺提高30-50％。

摘要：本发明公开了一种透明导电膜用ZD(H)O材料。该透明导电膜用ZD(H)O材料以ZnO粉体为主料，搀杂Dy2O3粉体和/或Ho2O3粉体，组成原料粉体。ZnO粉体为75-98wt％，Dy2O3粉体与Ho2O3粉体的含量之和为2.0-25wt％。本发明的ZD(H)O材料的特点是磁控溅射制造的透明导电薄膜的电阻率可达到1×10-4Ω·cm，在750nm以下所有厚度的透明导电膜可见光透过率均可大于90％，性能稳定性良好。

摘要：本发明公开了一种高密度低成本氧化锌铝溅射靶材的生产方法，以ZnO粉体和Al2O3粉体组成主原料；将纯水、甲基丙烯酰胺单体、N-N’亚甲基双丙烯酰胺充分溶解组成预混液，加入四甲基氢氧化氨等分散剂，加入粉体原料搅拌制浆，调pH值，球磨6小时以上得到浆料；浆料加入有机脱气剂和过硫酸氨引发剂经抽真空搅拌脱气后浇注入模具；将模具升温至50-70℃，引发凝胶单体交联固化反应；固化后的湿坯脱模干燥得到靶材素坯；将素坯在流通空气炉中脱粘、高温烧结、机械加工，制造出相对密度大于98％和化学组成及微观结构均匀的氧化锌铝溅射靶材。

摘要：本发明公开了一种柔性透明导电膜用金属氧化物材料及其制备方法，制备所述金属氧化物半导体材料的原料为纯度大于99.99％、平均粒径为0.01-100微米的ZnO、In2O3和Ga2O3的高纯粉体粉，其重量份配比为ZnO?0.5-15份；In2O3?1-10份；Ga2O3?0.5-9份。本发明是以氧化锌和三氧化二铟及三氧化二镓为主体成份生产的柔性透明导电膜用IGZO材料，用于磁控溅射生产透明导电膜的生产过程更易控制，溅射过程不需要加热就能制造出透明非结晶导电薄膜，可以方便的制造在聚氨酯等柔性基材上，而且制造的导电膜具有优良的可卷绕性能，在柔性显示器的生产中将更具有优势。

摘要：本发明公开了一种非结晶AlGaZnO透明电极材料的制备方法，以ZnO,Al₂O₃和Ga₂O₃为主成分，与去离子纯水混和，加入有机助磨剂、有机粘接剂，球磨混合，喷雾干燥造粒，成型，脱除有机添加剂，烧结致密，加工磨削,制造出AlGaZnO氧化物半导体材料，用于磁控溅射制造AlGaZnO透明非结晶导电薄膜，溅射过程不需要加热，可以方便的制造在聚酯等柔性基材上，与玻璃和聚酯等柔性基材附着力良好，本身的非晶结构导致了具有优良的可卷绕性能，透明导电膜电阻率小于3×10^-3Ω.cm，膜厚在650纳米以内，可见光透过率大于88%。

摘要：本发明公开了一种用于薄膜太阳能电池透明电极的IWO材料的制备方法，In₂O₃粉体和WO₃粉体，加水及有机助剂，有机粘接剂，球磨，喷雾干燥造粒，脱除有机添加剂；烧结致密，得到IWO陶瓷半导体材料，导电性能良好，体电阻率小于7×10^-3Ω.cm。磁控溅射生产透明导电膜，电阻率小于5×10-4Ω.cm，在可见光区域透过率大于83%,电子迁移率达到51cm²/VS，载流子浓度2.6×10²⁰/厘米³，获得了比现有薄膜太阳能电池技术中AZO、ITO薄膜更高的电子迁移率，可以有效提高转化率，耐候性优良，降低了在薄膜电池在使用过程中由于膜层性能恶化导致转化效率下降的风险。

摘要：本发明公开了一种高透节能玻璃用TZO半导体材料及其制备方法，以ZnO和SnO2粉体为要原料；混合均匀，制造素坯，干燥、烧结、加工得到相对密度95%以上氧化锌锡半导体材料；体电阻率≦6×10^-2Ω.cm，用做磁控溅射靶材制造透过率≥85%Low-E玻璃，取代目前大量使用的锌锡合金镀膜材料，其用于磁控溅射生产氧化锌锡膜的生产过程更加稳定，生产工艺更为简单，溅射速率高，生产效率提高5%以上,大面积镀膜膜层成分均匀组织细密，同时降低了制造双银三银Low-E玻璃对于溅射设备的要求，尤其在制造大尺寸高透Low-E玻璃方面极具优势。

摘要：本发明提供了一种氧化锡锑陶瓷溅射靶材的制备方法，本发明所提供的制备方法工艺步骤简便，并采用凝胶注模成型的方法，在常压条件下即可静置成型，适于工业化规模的制备氧化锡锑陶瓷溅射靶材。同时，由本发明方法制得的氧化锡锑陶瓷溅射靶材经磁控溅射镀膜工艺制备的氧化锡锑膜层具有可见光透过率高、膜层电阻高，适于作为光电器件基材应用等优点。