摘要：本发明公开了一种基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，包括：壳体、传感器芯片，所述传感器芯片包括：硅纳米线巨压阻敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层；所述硅纳米线巨压阻敏感结构包括多根硅纳米线、受力应变薄膜层、多块电极，所述多根硅纳米线包括四对平行设置的两根硅纳米线，所述四对平行设置的两根硅纳米线分别连接在四块电极与受力应变薄膜层之间；所述硅纳米线在绝缘二氧化硅层对应位置处设置有通槽。本发明提供的基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，通过外部环境气压引起传感器芯片形成机械应力改变硅纳米线导电沟道的空穴浓度巨减，甚至夹断来实现巨压阻效应。

摘要：本发明公开了一种纳米线巨压阻特性测量装置，包括：纳米线、铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、电极、基于电容测量的负荷传感器，所述铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、基于电容测量的负荷传感器依次连接，所述电极数量设置为四个，所述四个电极设置在基于电容测量的位移传感器与基于电容测量的负荷传感器之间，两个水平放置的电极之间设置有纳米线，所述纳米线上下两侧均设置有电极。本发明提供的纳米线巨压阻特性测量装置及其制造方法，实现纳米线的机械特性与电气特性的同时测量，从而完成压阻系数的表征，可适用于多种不同测量样本。

摘要：本申请提供一种气溶胶颗粒采集装置，由气溶胶颗粒物粒径切割头和气溶胶颗粒物稀释装置组成，气溶胶颗粒物粒径切割头包括气体入口通道、切割腔和马达传动装置，气溶胶颗粒物稀释装置包括气体质量流量控制装置和稀释空腔；气溶胶颗粒物采集效率高、维护使用成本低、环境适应能力强、便于大量生产，可满足气溶胶颗粒物测量领域的高精度测量需求，商业价值高。

摘要：本发明提供一种基于巨压阻结构的悬臂梁生化传感器及悬臂梁制作方法，该传感器的数据采集器采用具有硅铝异质结形成的巨压阻结构的悬臂梁结构，能够在相同应力条件下产生更大的电阻阻值变化，从根本上提高了生化传感器的灵敏度；采用两个相邻的共模信号补偿结构，能够保证该生化传感器的每个悬臂梁在复杂外界环境下的测量精度，降低了因个别悬臂梁失灵对测量结果产生的影响；另外，该传感器采用四线制测量方法以及信号的放大、滤波调理电路，可得到较为精准的信号，削弱噪声等外界因素对检测结果的影响，可以达到高精度、稳定测量的效果。

摘要：一种基于MEMS的电容式红外气体传感器及其制备方法，该传感器以阵列的形式布置，通过对比分析特定波长下红外光强度的变化来测定CO、CH

摘要：本发明公开了一种基于巨压阻传感器的高灵敏度气体流量测量装置及方法，装置包括若干个环绕在管道外壁上的巨压阻传感器，巨压阻传感器包括自下至上叠放的玻璃基底层、硅底层和绝缘二氧化硅层，绝缘二氧化硅层四周设置有硅铝异质结，硅铝异质结包括自内而外依次嵌套的内层硅、中间层铝和外层硅，硅铝异质结的两端设置有金属边，金属边通过引线连接金属片，金属片通过其上引出的电极连接铝端子；本发明采用硅铝异质结在相同应力下产生更大的阻值变化，使得压阻系数与应变系数成倍的增加，提升了灵敏度，使得测量数据更加准确；巨压阻传感器以120°环绕安装在通过待测气体的管道上，可以测量管道不同位置的数据，得到真实的气体流量值。

摘要：本发明公开了一种用于多地区及多气体测量的非分光式红外气体传感器，包括敏感探头、信号调理电路和控制电路；敏感探头包括检测气室、红外光源、聚光片、M个滤光片阵列、红外探测器阵列和旋转盘；检测气室包括框架和安装在框架内壁面的反射镜，支架的中心设有支柱，支柱的顶端与旋转盘相连接；信号调理电路包括信号放大器、与信号放大器输出端相连接的信号滤波器和信号滤波器输出端相连接的功率放大器，信号放大器的输入端与红外探测器的输出端相连接；控制电路包括与功率放大器输出端相连接的AD转换器、与AD转换器输出端相连接的信号隔离器和单片机。本发明体积小、功耗低、性能好、集成化高，可以用于测量多个地区和多种红外气体。

摘要：本发明公开了一种复合量程气压传感器，包括自下而上依次叠放的玻璃基底层、硅底层、绝缘二氧化硅层和玻璃空腔，硅底层底部向上设置有两级凹槽，凹槽上方设有内膜片和外膜片，外膜片比内膜片的厚度厚，内膜片为内部气压传感器的受力应变薄膜，外膜片为外部气压传感器的受力应变薄膜；绝缘二氧化硅层上表面放置了内外两组套嵌的由4个硅纳米线压敏电阻构成的惠斯通电桥。本发明还公开了一种高精度探空气压测量装置，本发明提高了传感器的可承受最大压力，由于使用了较厚的外膜，因此可以使用更薄的内膜片，从而实现了更高的灵敏度，有效的减小了数据测量误差，满足了高精度气压测量装置的需求。

摘要：本发明公开一种高温微压压力传感器，包括传感器芯片、左侧补偿电路、右侧补偿电路、供电电极对、信号检测引出电极对、底部支撑层及外围封装；传感器芯片包括由下至上依次叠置的硅底层、二氧化硅绝缘层、碳化硅顶层，以及最上层的腔体密封层；底部支撑层位于传感器芯片底部，且中间设有通气孔；外围封装包括不锈钢底部和塑料外壳，二者结合，将传感器芯片罩设起来。此种结构在基于MEMS技术的基础上，显著地提高了高温环境下传感器测量的灵敏度、线性度与准确性，能够在高温微压条件下对0‑1kPa范围内气压实现高精度测量。本发明还公开一种高温微压压力传感器的制作方法及测量系统。

摘要：本发明公开了一种微压探测压力传感器，SOI硅片的衬底硅底部经过刻蚀形成应力薄膜并与玻璃基底键合形成真空腔，在应力薄膜下方刻蚀凹形槽结构和中心质量聚集结构，分别位于一对压力敏感硅铝异质结构的下方和薄膜中心区域。器件层掺杂后刻蚀出一对压力敏感硅铝异质结构，一对温度参考硅铝异质结构以及四个对称的L型凸起结构，温度参考结构的电阻处于应变薄膜区域外不受应力影响，配合本发明的传感器恒温控制系统可以有效地消除温度漂移特性。本发明还公开了一种微压探测传感器测量装置，包括其配套电路及校准标定方法，结合其传感器新型压阻元件及应力薄膜的结构设计，可以平衡高灵敏度及高线性度的测量特性，达到实际微压测量的应用标准。