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发明专利:7实用新型: 12外观设计: 0
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申请号:201811141502.0 公开号:CN109585560A 主分类号:H01L29/78(2006.01)I
申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 申请日:2018.09.28 公开日:2019.04.05
摘要:一种半导体元件的制造方法,包括将第一半导体基板通过一绝缘层结合在第二半导体基板上,及蚀刻第一半导体基板以形成鳍的上部,其中绝缘层的第一部分通过蚀刻第一半导体基板而曝露。保护层通过使用原子层沉积制程而沉积于鳍上部上方及绝缘层的第一部分的顶表面上方。蚀刻位于鳍上部的顶表面上方及绝缘层的第一部分的顶表面上方的保护层的第一部分,其中保护层的第二部分保留在鳍上部的侧壁上。绝缘层的第一部分被蚀刻,绝缘层的第二部分保留在鳍上部下。蚀刻第二半导体基板以在绝缘层的第二部分下形成鳍底部。
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申请号:201811416805.9 公开号:CN109860055A 主分类号:H01L21/336
申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 申请日:2018.11.26 公开日:2019.06.07
摘要:一种半导体元件的制造方法包括以下步骤。第一栅电极及第二栅电极形成于基板上方,第一栅电极与第二栅电极之间具有层间介电层。实施第一蚀刻步骤以蚀刻第一栅电极及第二栅电极。横跨蚀刻后的第一栅电极及第二栅电极及层间介电层而形成牺牲层。实施第二蚀刻步骤以蚀刻牺牲层及蚀刻后的第一栅电极及第二栅电极。
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申请号:201911093292.7 公开号:CN111180384A 主分类号:H01L21/768
摘要:【中文】本文描述的实施例总体上涉及用于形成互连结构的一种或多种方法,诸如包括导线和导电通孔的双镶嵌互连结构,以及由此形成的结构。在一些实施例中,互连开口形成为穿过半导体衬底上方的一个或多个介电层。互连开口具有通孔开口和位于通孔开口上方的沟槽。在通孔开口中形成导电通孔。对沟槽的一个或多个暴露的介电表面实施成核增强处理。在沟槽的一个或多个暴露的介电表面上和导电通孔上的沟槽中形成导线。本发明的实施例还涉及互连结构。 【EN】Embodiments described herein relate generally to one or more methods for forming interconnect structures, such as dual damascene interconnect structures including conductive lines and conductive vias, and structures formed thereby. In some embodiments, interconnect openings are formed through one or more dielectric layers above the semiconductor substrate. The interconnect opening has a via opening and a trench located above the via opening. A conductive via is formed in the via opening. A nucleation enhancement treatment is applied to one or more exposed dielectric surfaces of the trench. Conductive lines are formed in the trenches on the one or more exposed dielectric surfaces of the trenches and on the conductive vias. Embodiments of the present invention also relate to interconnect structures.
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申请号:202010406637.6 公开号:CN112018036A 主分类号:H01L21/8234
申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 申请日:2020.05.14 公开日:2020.12.01
摘要:提供半导体装置的结构及半导体装置结构的制造方法。前述方法包括在半导体基底上方形成虚设栅极堆叠,以及在前述虚设栅极堆叠的侧壁上方形成多个间隔元件。前述方法亦包括移除前述虚设栅极堆叠以在前述间隔元件之间形成凹槽,以及在前述凹槽中形成金属栅极堆叠。前述方法还包括在前述金属栅极堆叠保持在温度介于约20℃至约55℃的范围内时,回蚀刻前述金属栅极堆叠。此外,前述方法包括在回蚀刻前述金属栅极堆叠之后,在前述金属栅极堆叠上方形成保护元件。
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申请号:202110509861.2 公开号:CN113707604A 主分类号:H01L21/8234
申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 申请日:2021.05.11 公开日:2021.11.26
摘要:本发明一些实施例提供一种半导体制造技术。所述技术包含如下操作。接纳具有第一材料及第二材料的半导体结构。所述第一材料对第一蚀刻化学物具有第一孕育时间。所述第二材料对所述第一蚀刻化学物具有第二孕育时间。所述第一孕育时间比所述第二孕育时间短。由所述第一蚀刻化学物对所述半导体结构执行第一主蚀刻达第一持续时间。所述第一持续时间大于所述第一孕育时间且比所述第二孕育时间短。
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申请号:202210041001.5 公开号:CN114506061A 主分类号:B29C49/42
申请人:张容浩 申请日:2022.01.14 公开日:2022.05.17
发明人:张容浩
摘要:本发明公开了一种全自动中空吹塑机,包括吹塑机,所述吹塑机一端设有两个进风机构,且进风机构两侧均设有进风过滤管,所述进风机构下方设有合模,且合模与进风机构之间设有延伸机构和出气头,所述进风过滤管内部设有除尘网,且除尘网一侧均设有两个螺纹杆一,所述螺纹杆一顶部外壁设有驱动机构,且两个螺纹杆一外壁螺纹连接有同一个螺纹滑板,所述螺纹滑板外壁开有四个滑腔,且滑腔一侧均开有安装槽,所述滑腔内壁设有滑板。本发明能间歇性拍打板除尘网,并且在拍打过程中,使除尘网在滑槽内不断往复震动,能够将其表面过滤出的垃圾杂质颗粒充分震下,避免垃圾杂质颗粒堵塞除尘网的过滤孔,导致过滤效果下降。
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申请号:202210354295.7 公开号:CN114801123A 主分类号:B29C49/04
申请人:张容浩 申请日:2022.04.06 公开日:2022.07.29
发明人:张容浩
摘要:本发明属于吹塑机技术领域,尤其是一种全自动挤出中空吹塑机,包括料筒,料筒的内壁设置有对物料进行传输的传输加热部件,料筒的一端固定连通有用于对传输加热部件加热的物料进行吹塑的吹塑部件,料筒的上端内壁固定连通有下料斗,下料斗的正上方设置有用于对下料斗内物料进行疏通的疏通装置。该全自动挤出中空吹塑机,达到了以两个驱动电机带动第一铰接杆进行旋转,进而带动两个第一铰接杆交错运动,第二铰接杆随着第一铰接杆的旋转而摆动,并通过疏通杆与导向筒的配合带动疏通装置在下料斗内上下升降对下料斗内的物料进行松动以及疏通,通过机械疏通代替人工操作,进而降低人工成本,增加吹塑机的生产效率。
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