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发明专利:
2405
实用新型:
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1:
[发明]
使用非易失性存储器来实施非易失性计数器的方法和系统
申请号:
201810472758.3
公开号:CN108962322A 主分类号:G11C16/24(2006.01)I
申请人:
恩智浦有限公司
申请日:2018.05.17 公开日:2018.12.07
发明人:
亚当·杰里姆·怀特
摘要:公开了一种使用非易失性存储器来实施非易失性计数器的方法。在实施例中,所述方法涉及分配以下操作:将计数器的低位字跨越所述非易失性存储器中的存储器阵列中的存储器单元存储在非易失性存储器中;和将所述计数器的另外位在所述非易失性存储器中存储在所述存储器阵列外部的存储器单元中,其中基于所述计数器的较高位来针对每一计数确定所述存储器阵列中存储所述低位字的部位。
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2:
[发明]
制造半导体开关装置的方法
申请号:
201810476777.3
公开号:CN108962755A 主分类号:H01L21/336(2006.01)I
申请人:
恩智浦有限公司
申请日:2018.05.17 公开日:2018.12.07
发明人:
马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂
;
彼得鲁斯·许贝特斯·科内利斯·马涅
摘要:一种半导体开关装置及其制造方法。所述方法包括提供具有主表面的半导体基板以及具有第一导电类型的第一半导体区域。所述方法进一步包括通过定位在所述第一半导体区域上的掩模中的开口将离子注入所述第一半导体区域中,由此形成定位在所述第一半导体区域中的阱区域,所述阱区域具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型。所述方法还包括将栅电极材料沉积在栅极电介质上并对其进行图案化以形成直接定位在所述阱区域上方的栅电极。所述方法进一步包括执行离子注入以形成定位在栅极的第一侧上的所述阱区域中的源极区域,并且以形成定位在所述栅极的第二侧上的所述阱区域外部的漏极区域。
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3:
[发明]
高频系统、通信链路
申请号:
201810476780.5
公开号:CN108966480A 主分类号:H05K1/02(2006.01)I
申请人:
恩智浦有限公司
申请日:2018.05.17 公开日:2018.12.07
发明人:
拉尔夫·罗伊特
;
仝自强
摘要:公开了一种装置。所述装置包括:接线板,其包括金属布线;以及第一微芯片,其连接到所述金属布线。所述第一微芯片包括被配置成以第一频率操作的第一辐射元件。所述装置进一步包括第二微芯片,其连接到所述金属布线。所述第二微芯片包括被配置成以所述第一频率操作的第二辐射元件。还包括主要辐射元件。所述主要辐射元件被配置成以第二射频操作。所述第一微芯片和所述第二微芯片被物理上放置成使得所述第一辐射元件面对所述第二辐射元件。
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4:
[发明]
电力转换器系统和用于操作电力转换器系统的方法
申请号:
201810485382.X
公开号:CN108964466A 主分类号:H02M3/335(2006.01)I
申请人:
恩智浦有限公司
申请日:2018.05.18 公开日:2018.12.07
发明人:
汉斯·哈尔贝施塔特
摘要:公开了用于操作包括LLC谐振转换器和位于所述LLC谐振转换器之前的非反相升降压转换器的电力转换器系统的技术。在一个实施例中,响应于LLC谐振转换器的输入电压和输出电压来调节非反相升降压转换器的输出电压,以便保持LLC谐振转换器的输入电压和输出之间的期望比率。例如,LLC谐振转换器的输入电压和输出电压之间的比率被控制为与LLC谐振转换器的变压器的匝数比相匹配并且也可以与Lr/Lm比相匹配(作为二阶效应)的期望比率。
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5:
[发明]
高电压直流充电2:1切换电容器转换器的实施方案
申请号:
201810486297.5
公开号:CN108964447A 主分类号:H02M3/07(2006.01)I
申请人:
恩智浦有限公司
申请日:2018.05.18 公开日:2018.12.07
发明人:
彼得·克里斯蒂亚安斯
;
罗伯特·克兰II·科斯比
摘要:一种电力转换器,其包括:电力调节电路,用以接收输入电力且设定所述电力转换器的工作电压;电流感测电路,用以确定所述电力转换器的输入电流;电压调节电路,用以降低所述输入电力的电压电平;电荷泵电路,用以存储由电压调节电路递送的电荷且将大于所述输入电流的电流输出到负载;以及电力路径制器,用以在所述电力转换器内控制切换且提供反馈。
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6:
[发明]
用于电子装置的高效电池充电器的实施方案
申请号:
201810486366.2
公开号:CN108964457A 主分类号:H02M3/158(2006.01)I
申请人:
恩智浦有限公司
申请日:2018.05.18 公开日:2018.12.07
发明人:
罗伯特·克兰II·科斯比
;
彼得·克里斯蒂亚安斯
摘要:一种电力转换器,其包括:降压转换器,用以接收输入电力且设定所述电力转换器的工作电压;电流感测电路,用以确定所述电力转换器的输入电流;电荷泵电路,用以存储由电压调节电路递送的电荷且将大于所述输入电流的电流输出到负载及电池组;以及电池组控制器,用以在所述电力转换器内控制切换且提供反馈。
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7:
[发明]
充电系统和方法
申请号:
201810620125.2
公开号:CN109149681A 主分类号:H02J7/00(2006.01)I
申请人:
恩智浦有限公司
申请日:2018.06.15 公开日:2019.01.04
发明人:
曼塞阿斯·约翰内斯·杰拉尔德斯·拉莫尔斯
;
威廉颂·约翰内斯·威廉敏娜·基茨恩
;
克拉斯·布林克
;
帕特里克·内森
摘要:一个例子公开一种充电系统,包括:充电装置,该充电装置被配置成连接到待充电的装置;其中该充电装置包括一组硬件定义的充电属性;其中该充电装置被配置成基于从该待充电的装置接收到的特定充电协议而重新配置该硬件定义的充电属性;并且其中该充电装置被配置成将充电电力输出到如由该特定充电协议限定的该待充电装置。
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8:
[发明]
信号处理器
申请号:
201810626638.4
公开号:CN109151663A 主分类号:H04R3/00(2006.01)I
申请人:
恩智浦有限公司
申请日:2018.06.15 公开日:2019.01.04
发明人:
安·埃尔维雷·F·斯普里耶
;
沃特·约斯·蒂瑞
摘要:一种信号处理器,包括:输入端,被配置成接收输入信号;发声端,被配置成接收表示所述输入信号的有声语音分量的发声信号;输出端;延迟块,被配置成接收所述输入信号并提供滤波器输入信号作为所述输入信号的延迟表示;滤波器块,被配置成:接收所述滤波器输入信号;并且通过过滤所述滤波器输入信号来提供噪声估计信号;组合器块,被配置成:接收表示所述输入信号的组合器输入信号;接收所述噪声估计信号;并且组合所述组合器输入信号与所述噪声估计信号以提供输出信号到所述输出端;以及滤波器控制块,被配置成:接收所述发声信号;接收表示所述输入信号的信令;并且根据所述发声信号和所述输入信号来设置所述滤波器块的滤波器系数。
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9:
[发明]
商家对基于运载工具的个人销售点(pPOS)装置的验证
申请号:
201810629473.6
公开号:CN109147235A 主分类号:G07G1/12(2006.01)I
申请人:
恩智浦有限公司
申请日:2018.06.19 公开日:2019.01.04
发明人:
托德·雷蒙德·纽祖姆
;
迈克尔·道
;
科蒂斯·希赖尔
摘要:在EMV支付规范内,允许使用无人值守的终端机来接受支付。创造具有与虚拟商家组合的EMV 1级(L1)和2级(L2)支付组件的装置为在线或电子商务商家创建“出示卡片”交易。此装置可被称作个人销售点(pPOS)。本说明书公开来自在客户的运载工具中或其上具有pPOS装置的该运载工具的“出示卡片”支付。这允许来自客户的运载工具的“出示卡片”支付由支付驱动或驱动通过支付。本说明书另外公开用于验证该商家或商家的无人值守的终端机到该客户的运载工具中的pPOS的系统和方法。
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10:
[发明]
具有直埋P型区的延伸漏极NMOS晶体管
申请号:
201810632850.1
公开号:CN109148301A 主分类号:H01L21/336(2006.01)I
申请人:
恩智浦有限公司
申请日:2018.06.19 公开日:2019.01.04
发明人:
迪米塔尔·米尔科夫·多切夫
;
阿诺德·贝内迪克特斯·范德瓦尔
;
马尔腾·雅各布斯·斯万内堡
摘要:本文中描述一种由绝缘体上半导体(SOI)晶片形成的N型延伸漏极晶体管。所述晶体管具有直埋P型区,所述直埋P型区通过在所述晶体管的漂移区正下方的位置处将P型掺杂剂选择性注入于所述晶片的半导体层中来形成。所述晶体管还包括位于P阱区中的源极以及漏极。所述直埋P型区与所述P阱区电气接触。所述N型漂移区、所述源极以及所述漏极同样位于由介电隔离包围的所述半导体层的一部分中。位于所述半导体层的所述部分下方的直埋介电层将所述半导体层的所述部分与位于所述直埋介电层下方的半导体衬底电隔离。
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