摘要：本发明提供一种检测装置及检测方法，检测装置包括测试主机、探头载体和多个磁性探头，多个磁性探头与待检测LED芯片上的电极一一对应，探头载体内设有电路板，测试主机与电路板通信连接，多个磁性探头均设置在探头载体上，且多个磁性探头均与电路板通信连接，磁性探头在与电路板导通的状态下能够产生磁性吸附力，当磁性探头与待测试LED芯片上的电极距离较近时，磁性探头上产生的吸附力将瞬间吸附住电极，从而防止磁性探头与电极之间产生对位偏差，实现了磁性探头与LED芯片的精准对位，从而有利于后续检测的进行。本发明可以同时对多个LED芯片进行检测，提高了检测效率，降低了检测成本。

摘要：本发明涉及半导体领域，公开了一种芯片结构及芯片检测方法。本发明中，一种芯片结构，包括：衬底，设置在所述衬底上的目标二极管，以及设置在所述衬底上的测试二极管；所述测试二极管的电极的探针检测面积大于所述目标二极管的电极的探针检测面积。本发明实施方式所提供的芯片结构及芯片检测方法具有使得可以直接通过探针对芯片结构进行电性异常的检测，从而有效的减少巨量转移后由于电性异常导致的坏点，提升Micro‑LED显示面板的制备效率的优点。

摘要：本发明提供一种量子点检测装置和方法，量子点检测装置包括：光源、滤色片、待测品台、前置透镜、透射光采集光路和光谱采集光路；所述光源发出的光线依次经过所述滤色片、待测品台、前置透镜之后分别经过透射光采集光路和光谱采集光路；所述透射光采集光路用于获取光线的亮度信息，所述光谱采集光路用于获取光线的光谱信息；还包括输出单元，用于根据所述亮度信息和所述光谱信息计算并输出所述光线的光子数信息。本发明能够解决透射光外量子效率难以直接测量的技术问题，实现了对量子点膜激发的透射光外量子效率的检测，检测精度高。

摘要：本申请提供一种发光器件测试装置、系统及测试方法，发光器件测试装置中包括驱动基板和多个用于与待测发光器件的电极端电性接触的测试电极；驱动基板中设置有与所述测试电极对应的驱动开关，所述测试电极与所述驱动开关电性连接；所述驱动基板还设置有与所述测试电极对应的柔性凸垫，所述测试电极设置于所述柔性凸垫上，利用该发光器件测试装置对待测发光器件进行测试时，柔性凸垫使测试电极与待测发光器件的电极端电性接触，远离驱动基板表面且对相互接触作用进行缓冲，提高了电性接触的可靠性，进而提高了测试可靠性。

摘要：本申请公开了一种生长基板及微元件的转移方法，所述生长基板包括：透明衬底；多个微元件，形成于所述透明衬底一侧，且多个所述微元件间隔设置；多个透明间隔件，相邻所述微元件之间的间隔内设置有所述透明间隔件，其中，在激光照射作用下，所述微元件与所述透明衬底脱离，而所述透明间隔件与所述透明衬底不脱离。通过上述方式，本申请能够在激光剥离后使微元件不全部陷入键合胶层中。

摘要：本发明提供一种LED芯片及显示面板，本发明提供的LED芯片，通过将N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层依次叠层设置在基板上，并将与N型半导体层电性连接的N电极和与P型半导体层电性连接的P电极分别设置在多量子阱层的外周的不同位置上，以使P电极和N电极均能够偏离多量子阱层的正面出光路径，也即是说，上述设置使得P电极和N电极偏离LED芯片的出光面，从而有效地提高了LED芯片的正面出光效率，进而提高了该LED芯片制成的显示面板的显示亮度。

摘要：本发明实施例涉及半导体显示领域，公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，所述显示面板包括：衬底；设置在所述衬底上的隔离层，所述隔离层具有多个孔洞；设置在所述孔洞内的发光单元；设置在所述孔洞内的颜色转换层，所述颜色转换层包围所述发光单元；设置在所述颜色转换层上的微透镜阵列。本发明提供的显示面板、显示装置及显示面板的制备方法能够有效减少不同像素之间的颜色串扰。

摘要：本发明提供一种微发光二极管芯片及显示面板，其中，本发明提供的微发光二极管芯片包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、第一类型电极层、第二类型电极层和绝缘钝化层，第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层依次层叠设置；第一类型电极层形成在第一类型半导体层一侧的侧壁上；绝缘钝化层覆盖第一类型半导体层的部分侧壁、第一类型电极层的侧壁和底面、发光层的侧壁、第二类型半导体层的侧壁和部分底面；第二类型电极层覆盖绝缘钝化层，第二类型电极层与第二类型半导体层露出绝缘钝化层的部分底面欧姆接触。本发明提供的微发光二极管芯片解决了现有的微发光二极管芯片转移难度大、显示效果差的问题。

摘要：本发明提供一种微发光二极管芯片及显示面板，其中，微发光二极管芯片包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、第一类型电极层、第二类型电极层、绝缘钝化层和填充层，第一类型电极层形成在第一类型半导体层的部分侧壁上，并沿水平方向延伸形成第一伸出部；绝缘钝化层覆盖第二类型半导体层的侧壁和部分底面、发光层、第一类型半导体层以及第一类型电极层；第二类型电极层覆盖至少部分绝缘钝化层，第二类型电极层与第二类型半导体层露出绝缘钝化层的部分底面欧姆接触；填充层覆盖第二类型电极层。本发明提供的微发光二极管芯片解决了光串扰等导致的显示效果差的问题。

摘要：本发明提供一种微发光二极管芯片及其制作方法，其中，本发明提供的微发光二极管芯片包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、第一类型电极、第二类型电极、绝缘钝化层和封装层，发光层和第二类型半导体层层叠设置在第一类型半导体层的部分顶面上构成一个凸台；绝缘钝化层覆盖第一类型半导体层的侧壁和部分顶面、发光层和第二类型半导体层；第一类型电极设置在凸台的一侧，第一类型电极与第一类型半导体层露出绝缘钝化层的部分欧姆接触；封装层至少部分填充在第一类型电极与凸台之间以增加微发光二极管芯片的厚度，本发明提供的微发光二极管芯片避免或减小了微发光二极管芯片产生断裂的可能性，提高了产品良率。