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[发明]
具有光学活性的2,3-双膦基吡嗪衍生物的制造方法、以及具有光学活性的膦过渡金属配位化合物的制造方法
申请号:
201880036780.1
公开号:CN110709407A 主分类号:C07F9/6509
申请人:
日本化学工业株式会社
申请日:2018.06.15 公开日:2020.01.17
发明人:
间山大辅
;
竹下智史
;
田村健
摘要:在本发明的具有光学活性的2,3-双膦基吡嗪衍生物的制造方法中,得到含有下述通式(1)所示的2,3-二卤代吡嗪和羧酸酰胺配位性溶剂的A液,并且将下述通式(2)所示的氢-膦硼烷化合物的R体或S体的光学活性体锂化,得到经过锂化的膦硼烷化合物,在上述A液中添加包含上述经过锂化的膦硼烷化合物的B液,进行芳香族亲核取代反应,接着进行脱硼烷化反应,通过如上的工序,制造下述通式(3)所示的具有光学活性的2,3-双膦基吡嗪衍生物。(式中的注释参见说明书)
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12:
[发明]
钙钛矿型钛酸钡粉末的制造方法
申请号:
201880078761.5
公开号:CN111465580A 主分类号:C01G23/00
申请人:
日本化学工业株式会社
申请日:2018.10.29 公开日:2020.07.28
发明人:
国枝武久
;
松下晃
摘要:一种钙钛矿型钛酸钡粉末的制造方法,其特征在于,包括:烧制工序,一边向烧制炉内导入露点为45℃以上且低于100℃的加湿空气,一边在该烧制炉内对含有Ba原子和Ti原子的复合有机酸盐进行烧制,得到烧制物;和粉碎工序,将该烧制物粉碎,得到钙钛矿型钛酸钡粉末。根据本发明,能够提供使用复合有机酸盐并利用工业上有利的方法制造细微并且四方晶性高的钙钛矿型钛酸钡粉末的制造方法。
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13:
[发明]
改性钙钛矿型复合氧化物及其制造方法以及复合电介质材料
申请号:
201880082164.X
公开号:CN111511686A 主分类号:C01G23/00
申请人:
日本化学工业株式会社
申请日:2018.11.15 公开日:2020.08.07
发明人:
高崎淳史
;
田边信司
摘要:一种利用下述通式(1)所示的硅烷偶联剂包覆钙钛矿型复合氧化物颗粒的表面而成的改性钙钛矿型复合氧化物。(XY)aSi(OZ)4‑a(1)(通式(1)中,X为氢原子、环氧基、氨基、乙烯基、(甲基)丙烯酸基、异氰酸酯基或巯基,Y为碳原子数5以上的直链状亚烷基,Z为氢原子、碳原子数1~3的烷基、乙酰基或碳原子数2~4的烷氧基烷基,a为1或2。)。
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14:
[发明]
硅烷基膦化合物、硅烷基膦化合物的制造方法以及InP量子点的制造方法
申请号:
201980019458.2
公开号:CN111868066A 主分类号:C07F19/00
申请人:
日本化学工业株式会社
申请日:2019.03.20 公开日:2020.10.30
发明人:
田久保洋介
;
田村健
;
中对一博
摘要:本发明的硅烷基膦化合物由式(1)表示,砷含量为1ppm以下。本发明的硅烷基膦化合物的制造方法中,将碱性化合物、硅烷基化剂和膦混合得到含有硅烷基膦化合物的溶液,从该溶液中除去溶剂得到硅烷基膦化合物的浓缩液,在对该浓缩液进行蒸馏,其中,将膦的砷含量制成以体积基准的胂换算为1ppm以下。另外,本发明的InP量子点的制造方法中,使用砷的含量以质量基准计为1ppm以下的式(1)所示的硅烷基膦化合物作为磷源。(R的定义参照说明书)
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15:
[发明]
包覆颗粒
申请号:
201980040541.8
公开号:CN112384994A 主分类号:H01B5/00
申请人:
日本化学工业株式会社
申请日:2019.06.26 公开日:2021.02.19
发明人:
成桥智真
;
稻叶裕之
摘要:本发明的课题在于提供一种绝缘层包覆导电性颗粒表面的包覆颗粒,该包覆颗粒的导电性颗粒表面与绝缘层的密合性优异。本发明的包覆颗粒具有导电性颗粒和包覆该导电性颗粒的绝缘层,该导电性颗粒在芯材的表面形成有金属被膜,在该金属被膜的与该芯材相反一侧的外表面配设有三唑系化合物,上述绝缘层包含具有鏻基的化合物。上述绝缘层优选为多个微粒以层状配置而成的绝缘层、或者为连续被膜。也优选三唑系化合物为苯并三唑系化合物。另外,优选上述金属被膜为选自镍、金、镍合金和金合金中的至少1种金属的被膜。也优选上述绝缘层由选自苯乙烯类、酯类和腈类中的至少1种的聚合物构成。
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16:
[发明]
负热膨胀材料、其制造方法和复合材料
申请号:
201980042606.2
公开号:CN112384471A 主分类号:C01B25/45
申请人:
日本化学工业株式会社
申请日:2019.06.14 公开日:2021.02.19
发明人:
深泽纯也
;
畠透
摘要:本发明的负热膨胀材料的特征在于:由含有Al原子的磷酸钨酸锆构成,热膨胀系数为-2.0×10-6~-3.3×10-6/K。利用本发明,能够提供一种具有各种热膨胀系数的由磷酸钨酸锆构成的负热膨胀材料,以及其在工业上有利的制造方法。
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17:
[发明]
磷酸钴锂的制造方法和磷酸钴锂碳复合体的制造方法
申请号:
201980046006.3
公开号:CN112424116A 主分类号:C01B25/45
申请人:
日本化学工业株式会社
申请日:2019.06.27 公开日:2021.02.26
发明人:
深泽纯也
摘要:一种磷酸钴锂的制造方法,该磷酸钴锂由下述通式(1):LixCo1-yMyPO4(1)(式中,0.8≤x≤1.2、0≤y≤0.5,M源表示选自Mg、Zn、Cu、Fe、Cr、Mn、Ni、Al、B、Na、K、F、Cl、Br、I、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Y、Yb、Si、S、Mo、W、V、Bi、Te、Pb、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Ga、Ge、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy和Ho中的1种或2种以上的金属元素)表示,该制造方法包括:第一工序,在水溶剂中添加有机酸和氢氧化钴,接着添加磷酸和氢氧化锂,制备水性原料浆料(1);第二工序,利用介质磨对该水性原料浆料(1)进行湿式粉碎处理,得到含有原料粉碎处理物的浆料(2);第三工序,对含有该原料粉碎处理物的浆料(2)进行喷雾干燥处理,得到反应前体;和第四工序,对该反应前体进行烧制。根据本发明,提供一种能够利用工业上有利的方法得到在X射线衍射中呈单相的磷酸钴锂的方法。
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18:
[发明]
膦过渡金属配位化合物、其制造方法和抗癌剂
申请号:
201980052967.5
公开号:CN112585149A 主分类号:C07F9/50
申请人:
日本化学工业株式会社
申请日:2019.09.26 公开日:2021.03.30
发明人:
中对一博
;
小野千明
;
大原宣彦
;
今本恒雄
;
小西宏明
;
油谷辉
摘要:本发明的膦过渡金属配位化合物以式(1)表示。优选R1和R6为相同的基团,R2和R7为相同的基团,R3和R8为相同的基团,R4和R9为相同的基团,R5和R10为相同的基团,n和y为相同的数。上述膦过渡金属配位化合物适合通过使下述式(2)所示的膦衍生物和式(3)所示的膦衍生物与金、铜或银的过渡金属盐进行反应而得到。(各式中,符号的含义参照说明书。)
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19:
[发明]
焦磷酸钴锂的制造方法和焦磷酸钴锂碳复合体的制造方法
申请号:
201980053051.1
公开号:CN112566870A 主分类号:C01B25/45
申请人:
日本化学工业株式会社
申请日:2019.07.24 公开日:2021.03.26
发明人:
深泽纯也
;
畠透
摘要:本发明提供一种制造下述通式(1):LixCo1-yMyP2O7(1)所示的焦磷酸钴锂的制造方法(式中,1.7≤x≤2.2,0≤y≤0.5,M表示选自Mg、Zn、Cu、Fe、Cr、Mn、Ni、Al、B、Na、K、F、Cl、Br、I、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Y、Yb、Si、S、Mo、W、V、Bi、Te、Pb、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Ga、Ge、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy和Ho中的1种或2种以上的金属元素。),该制造方法包括:第一工序,在水溶剂中添加有机酸和氢氧化钴,之后添加磷酸和氢氧化锂,制备水性原料浆料(1);第二工序,利用介质磨对该水性原料浆料(1)进行湿式粉碎处理,得到含有原料粉碎处理物的浆料(2);第三工序,对该含有原料粉碎处理物的浆料(2)进行喷雾干燥处理,得到反应前体;和第四工序,对该反应前体在600℃以上进行烧制。根据本发明,能够提供能够利用工业上有利的方法得到在X射线衍射中为单相的焦磷酸钴锂的方法。
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20:
[发明]
包覆颗粒和包含其的导电性材料、和包覆颗粒的制造方法
申请号:
201980061127.5
公开号:CN112740338A 主分类号:H01B5/00
申请人:
日本化学工业株式会社
申请日:2019.10.30 公开日:2021.04.30
发明人:
稻叶裕之
;
成桥智真
摘要:本发明的目的在于提供绝缘层包覆导电性颗粒表面的包覆颗粒,其中,导电性颗粒表面与绝缘层的密合性优异。本发明的包覆颗粒为具有导电性颗粒和绝缘层的包覆颗粒,该导电性颗粒在芯材表面形成有金属覆膜、且在该金属覆膜的与该芯材相反一侧的表面配置有具有疏水性基团的钛系化合物,该绝缘层包覆该导电性颗粒,上述绝缘层具有下述化合物,该化合物包含具有电荷的官能团。上述绝缘层优选包含配置成层状的多个微粒或为连续覆膜。并且还优选上述疏水性基团为碳原子数2以上30以下的脂肪族烃基。
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