摘要：一种废水处理方法包括把含氮有机合物的废水喷雾到加热的空间完全气化废水的第1工序和用催化剂接触氧化在第1工序所得的气体并把所述含氮有机化合物作为氮气、CO₂和水蒸汽排出的第2工序。废水处理装置设置具有为喷雾废水的喷雾器构成的废水气化机构，导入废水并排出由该气化机构所气化的废水的气化部及排出由该催化剂所氧化的处理后气体的反应部。上述方法和装置能把含有氨以外的氮化物，特别是含氮有机物的废水转化成无害的氮气、CO₂气化排出。

摘要：描述了一种电子元件，它含有带着连接用电极的PCB以及带着连接用电极的半导体芯片，此半导体芯片固定在PCB上，它的电极面向PCB的电极，PCB与半导体芯片之间的空隙用密封树脂层填充，其中，密封树脂层由液态环氧树脂组合物形成，此组合物含有(A)液态环氧树脂、(B)固化剂、(C)无机填料及(D)N，N，N′，N′-四取代含氟芳族二胺衍生物。

摘要：一种使用液体进行微球分布的方法、微球分布设备和半导体器件，该方法包括的步骤有：将通过大量的焊盘放置有孔的半导体器件(2)以可变的倾角放置在装载台(3)上，使微球与固定在固定容器(6)中的导电液体一起流入到半导体器件(2)以便将焊盘上的微球可存储地放入半导体器件(2)的孔中，通过接收箱来接收和积累非存储的微球和导电液体，以及通过泵(11)将包括所积累的微球在内的导电液体运输到固定容器(6)。

摘要：本发明涉及用于生长半导体等、特别是III族氮化物半导体的结晶层的基板的结构及其制造方法。在本发明中，基板上具备两个多孔层，在两个多孔层中，位于最表面的第一多孔层中的空隙的平均开口部直径小于与第一多孔层相比更靠近于基板侧的第二多孔层的空隙的平均直径，第一以及第二多孔层具有10～90％的体积空隙率，且第一多孔层的空隙的50％以上从第一多孔层表面向第一多孔层与第二多孔层的界面贯通。根据本发明的多孔基板，即使采用以往的结晶生长方法，也能容易地在该多孔基板上生长低缺陷密度的外延结晶。

摘要：本发明提供具有低缺陷密度以及小弯曲的III族氮化物半导体衬底及其生产工艺；例如，根据本发明的工艺包括以下一系列步骤：在蓝宝石衬底(61)上形成金属的Ti膜(63)，随后进行硝化处理，以将其转化为具有精细小孔的TiN膜(64)；然后，在其上生长HVPE-GaN层(66)；通过金属的Ti膜(63)和TiN膜(64)的作用在HVPE-GaN层(66)中形成空腔(65)；从空腔区(65)剥离蓝宝石衬底(61)，以将其去掉。

摘要：一种电子元件装置，其即使在底层填充之后具有电路连接故障的情况下也可以被修复。该电子元件装置包括装配在接线电路板(1)上的半导体元件(倒装晶片)(3)，其中安置在半导体元件(倒装晶片)(3)上的连接电极单元(接合球)(2)和安置在接线电路板(1)上的电路电极(5)保持互相面对。通过由液体环氧树脂组合物组成的填充树脂层(4)填充接线电路板(1)与半导体元件(倒装晶片)(3)之间的间隙，该组合物包括以下组分(A)-(C)以及以下组分(D)。(A)液体环氧树脂、(B)固化剂、(C)含N，N，N′，N′-四取代的氟芳族二胺化合物、(D)羧酸乙烯基醚添加剂。

摘要：在燃料电池(100)中，金属纤维片用于组成燃料电极(102)和氧化剂电极(108)的基底部件(104)和基底部件(110)。

摘要：本发明涉及电极、燃料电池用电极、燃料电池及电极的制造方法。使电极使用将金属纤维片成形为板状的水平叠加型燃料电池的发电效率提高。作为被利用于具有将基本单位单元平面性排列并串连连接的结构的平面叠加型的燃料电池的燃料电池用电极(103)，采用如下结构，即，在将金属纤维成形为板状的金属纤维片(101)上扩散接合具备环状图形(201)和桥部(202)的薄板金属(102)。根据该结构，在与金属纤维片(101)的面平行的方向上流过的电流流过薄板金属(102)，因此，即使与金属纤维片(101)的面平行的方向上的电阻较高，发电电力的损失也不增加。

摘要：本发明提供具有低缺陷密度以及小弯曲的Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺；例如，根据本发明的工艺包括以下一系列步骤：在蓝宝石衬底(61)上形成金属的Ti膜(63)，随后进行硝化处理，以将其转化为具有精细小孔的TiN膜(64)；然后，在其上生长HVPE-GaN层(66)；通过金属的Ti膜(63)和TiN膜(64)的作用在HVPE-GaN层(66)中形成空腔(65)；从空腔区(65)剥离蓝宝石衬底(61)，以将其去掉。

摘要： 为提供一种在多个呼叫识别模式基础上建立的附加服务，虚拟终端控制装置的分配部分判定由基本呼叫控制部分传来的呼叫识别事件（信号）是否可以通过协议控制部分与一个终端连接，并将信号向真实终端处理部分或向虚拟终端处理部分传送。当状态改变时，从基本呼叫、控制部分协议控制部分以及虚拟终端处理部分接收到信号，真实终端处理部分根据状态确认并执行一次操作，并在转换信号呼叫识别时将信号发送给协议控制部分和基本呼叫控制部分。