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申请号:200710306334.1 公开号:CN101378034 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
申请人:海力士半导体有限公司 申请日:2007.12.28 公开日:2009.03.04
发明人:曹祥薰;李相晤
摘要:本发明涉及制造半导体器件的方法,更具体涉及在半导体器件中形成接触的方法,包括:提供衬底;在衬底上方形成绝缘层;在绝缘层上方形成用于接触孔的光刻胶图案,其中光刻胶图案包含具有大于所需接触临界尺寸(CD)的临界尺寸(CD)的开口;通过使用光刻胶图案选择性蚀刻绝缘层,以形成接触孔;和在接触孔的侧壁上形成隔离物,直到其侧壁被隔离物覆盖的接触孔的CD减少至所需的接触CD。
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申请号:201010169713.2 公开号:CN102054704A 主分类号:H01L21/336(2006.01)I
申请人:海力士半导体有限公司 申请日:2010.04.30 公开日:2011.05.11
发明人:金煜;李相晤
摘要:一种用于制造半导体装置的方法包括:使用硬掩模层作为阻障层来蚀刻半导体基片以形成限定出多个有源区域的沟槽;形成间隙填充层以对该沟槽内侧的一部分进行间隙填充,从而使该硬掩模层成为突起;形成覆盖该突起的两侧的间隔壁;使用掺杂的蚀刻阻障层作为蚀刻阻障层来移除间隔壁中的一个;及使用剩余的间隔壁作为蚀刻阻障层来蚀刻该间隙填充层,以形成暴露出该有源区域的一侧的侧沟槽。
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申请号:201010178482.1 公开号:CN102082116A 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
申请人:海力士半导体有限公司 申请日:2010.05.13 公开日:2011.06.01
发明人:李相晤
摘要:本发明涉及使用双沟槽工艺在半导体器件中制造侧接触的方法。本发明提供一种制造半导体器件的方法,该方法包括:形成双沟槽,所述双沟槽包括第一沟槽和形成于第一沟槽下方的第二沟槽且表面覆盖有绝缘层;和移除部分绝缘层以形成暴露出第二沟槽的一个侧壁的一部分的侧接触。
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申请号:201010195653.1 公开号:CN102082117A 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
申请人:海力士半导体有限公司 申请日:2010.06.09 公开日:2011.06.01
发明人:李相晤
摘要:本发明提供一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:刻蚀半导体衬底以形成多个有源区,所述有源区的每一个都具有第一侧壁和第二侧壁;在所述第一侧壁和所述第二侧壁上形成绝缘层;形成对所述有源区之间的每个间隙的一部分进行填充的刻蚀停止层;形成使形成在所述第一侧壁和所述第二侧壁中的任一个侧壁上的所述绝缘层暴露的凹陷;以及选择性地去除所述绝缘层的一部分,以形成使所述第一侧壁和所述第二侧壁中的任一个侧壁的一部分暴露的侧接触。
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申请号:201010578450.0 公开号:CN102263057A 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
申请人:海力士半导体有限公司 申请日:2010.12.08 公开日:2011.11.30
摘要:本发明涉及一种用于在半导体器件中形成接触孔的方法,包括以下步骤:在刻蚀目标层之上形成硬掩模层;通过经由初次刻蚀工艺刻蚀硬掩模层的一部分而在硬掩模层中形成第一线图案;通过经由二次刻蚀工艺刻蚀包括第一线图案的硬掩模层而形成与第一线图案相交叉的第二线图案;以及通过使用包括第一线图案和第二线图案的硬掩模层作为刻蚀阻挡层来对刻蚀目标层进行刻蚀。
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申请号:201210479122.4 公开号:CN103489831A 主分类号:H01L21/8242(2006.01)I
申请人:爱思开海力士有限公司 申请日:2012.11.22 公开日:2014.01.01
摘要:本发明公开了一种具有多层式存储节点的半导体器件及其制造方法,所述方法包括以下步骤:在衬底的第二区之上形成第一电介质结构以暴露出衬底的第一区;在包括第一电介质结构的整个表面之上形成阻挡层;在第一区中的阻挡层之上形成第二电介质结构;通过刻蚀第二电介质结构、阻挡层以及第一电介质结构而分别在第一区和第二区中形成第一开口部和第二开口部;形成填充在第一开口部中的第一导电图案和填充在第二开口部中的第二导电图案;形成保护层以覆盖第二区;以及去除第二电介质结构。
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申请号:201210482777.7 公开号:CN103515199A 主分类号:H01L21/033(2006.01)I
申请人:爱思开海力士有限公司 申请日:2012.11.23 公开日:2014.01.15
摘要:本发明公开了一种制造半导体器件的方法,所述方法包括以下步骤:在包括第一区和第二区的衬底之上形成刻蚀目标层;在刻蚀目标层之上形成硬掩模层;在硬掩模层之上形成第一刻蚀掩模,其中,所述第一刻蚀掩模包括多个线图案和形成在所述多个线图案之上的牺牲间隔件层;在第一刻蚀掩模之上形成第二刻蚀掩模,其中,所述第二刻蚀掩模包括网型图案和覆盖第二区的阻挡图案;去除牺牲间隔件层;通过利用第二刻蚀掩模和第一刻蚀掩模刻蚀硬掩模层,来形成具有多个孔的硬掩模层图案;以及通过利用硬掩模层图案刻蚀所述刻蚀目标层,在第一区中形成多个孔图案。
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申请号:201880055972.7 公开号:CN111065629A 主分类号:C07D257/02
申请人:【中文】株式会社ENZYCHEM生命科学【EN】Enzychem Lifesciences Corp. 申请日:2018.08.29 公开日:2020.04.24
摘要:【中文】公开了一种能够高纯度合成钆布醇的中间体,钆布醇可用作MRI造影剂;以及公开了使用该中间体的钆布醇生产方法。钆布醇中间体在说明书中由化学式2表示。 【EN】Discloses an intermediate capable of synthesizing gadobutrol with high purity, wherein the gadobutrol can be used as an MRI contrast agent; and discloses a gadobutrol production method using the intermediate. The gadobutrol intermediate is represented by chemical formula 2 in the specification.
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申请号:201980008673.2 公开号:CN111601792A 主分类号:C07D257/02
申请人:株式会社ENZYCHEM生命科学 申请日:2019.01.11 公开日:2020.08.28
摘要:公开了一种生产用作MRI造影剂的考布曲钙的方法。该方法包括以下步骤:通过使由说明书中化学式1表示的钆布醇与解络剂反应得到由说明书中化学式2表示的布醇;通过使布醇与钙离子反应得到由说明书中化学式3表示的考布曲钙。
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申请号:202110226898.4 公开号:CN113345802A 主分类号:H01L21/033
申请人:三星电子株式会社 申请日:2021.03.01 公开日:2021.09.03
摘要:提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括:提供衬底,在该衬底中,限定了包括第一单元区域和第一外围区域在内的主要区域、和包括第二单元区域和第二区域在内的边缘区域;在衬底上依次形成模制层、支撑件层、掩模层和初步图案层;对初步图案层曝光,以分别在第一单元区域和第二单元区域的掩模层上同时形成第一图案和第二图案;在第二图案上形成蚀刻停止层;以及使用蚀刻停止层和第一图案来蚀刻掩模层,以在第一单元区域的模制层和支撑件层中形成孔图案。
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