摘要：本发明实施例公开了一种低噪声放大器和利用低噪声放大器的射频放大方法。其中，低噪声放大器包括多个增益级电路，数量大于或等于待放大的射频信号的数量，用于在被启用时，对射频信号进行独立放大；多个放大选择开关电路，每个所述放大选择开关电路与一增益级电路连接，用于根据射频信号选择增益级电路，选择启用的增益级电路；多个驱动电路，每个所述驱动电路与一增益级电路连接，用于在增益级电路被启用时，接收至少一个经增益级电路放大后的射频信号，并且将放大后的射频信号输出；至少一个负载电路，驱动电路的连接，用于根据驱动电路输出的放大后的射频信号，输出至少一个射频输出信号。本发明实施例提供的技术方案，同时实现射频开关以及低噪声放大的能力，减少占用面积，降低寄生影响。

摘要：本发明实施例公开了一种FIR滤波方法及滤波器，所述方法包括：将FIR滤波器的抽头系数划分为至少两个子抽头系数组；将输入数据用至少两个子抽头系数组的有限冲激响应序列进行滤波处理，滤波输出作为第一输出，其中，至少两个子抽头系数组按照倒序的方式排列；对第一输出进行并串转换，得到第二输出；对第二输出从基准样点序列开始，按照设定的样点间隔抽取设定数量的样点进行累加输出，将累加输出作为FIR滤波器的输出，其中，基准样点序列为第一抽头系数组的滤波输出样点序列。本发明实施例通过上述方法使得FIR滤波器的移位寄存器单元的数

摘要：本发明公开一种去除无线通信中频偏对接收性能影响的方法及系统，该方法利用接收机估计的载波频偏，完全去除了载波频偏对接收性能的影响，并且在不需要改变任何协议的前提下，最大限度地改善了通信连接设备的性能。

摘要：本发明公开了一种增益可调的低噪声放大器，涉及射频技术领域。本发明包括：射频信号输入端、射频信号输出端、共源极单元、共栅极单元、输出匹配电容单元、多个增益调节单元，射频信号输入端包括：多个射频的信号输入端口，不同的信号输入端口可以设计不同的输入匹配网络以适应不同频带的需求，通过开关进行端口选择，该输入匹配网络可以在片内或片外实现。本发明通过设置多个射频信号输入端口，多个增益可调的低噪声放大器配合使用，可以覆盖更宽的信号频带，实现开关型多输入射频组合的增益可调，每个增益可调的射频包含从正增益到负增益的增益变化范围，而且增益相位连续，具有良好的输入输出匹配性能和电流使用效率，结构紧凑，实用可靠。

摘要：本发明实施例提供一种声表面波谐振器和射频滤波器，该声表面波谐振器包括：衬底；位于衬底上的压电层；电极层位于压电层远离衬底的一侧；电极层包括叉指式换能器，叉指式换能器包括：第一汇流条和交替排布连接至第一汇流条的第一电极指和第一虚设电极指；第二汇流条和交替排布连接至第二汇流条的第二电极指和第二虚设电极指；第一电极指和第二虚设电极指相对设置，第一电极指和第二虚设电极之间具有第一间隙，第二电极指和第一虚设电极指相对设置，第二电极指和第一虚设电极之间具有第二间隙；其中，各第一间隙沿第一方向排布，各第二间隙沿第一方向排布。本发明实施例提供的声表面波谐振器和射频滤波器，可以使横向模式波纹得到有效的抑制。

摘要：本发明实施例提供一种声表面波谐振器和射频滤波器，该声表面波谐振器包括：衬底；位于衬底上的压电层；电极层，电极层位于压电层远离衬底的一侧；电极层包括叉指式换能器，叉指式换能器包括：第一汇流条和交替排布连接至第一汇流条的第一电极指和第一虚设电极指；第二汇流条和交替排布连接至第二汇流条的第二电极指和第二虚设电极指；第一电极指和第二虚设电极指相对设置，第一电极指和第二虚设电极之间具有第一间隙，第二电极指和第一虚设电极指相对设置，第二电极指和第一虚设电极之间具有第二间隙。本发明实施例提供的声表面波谐振器和射频滤波器，可以使横向模式波纹得到有效的抑制。

摘要：本发明实施例提供一种声表面波谐振器的制作方法，该制作方法包括：提供一压电衬底；在压电衬底一侧制作叉指式换能器；在叉指式换能器远离压电衬底的一侧形成温度补偿层，温度补偿层的厚度在目标温度补偿层厚度的110％～120％之间，其中，温度补偿层包括第一补偿区和第二补偿区；在温度补偿层远离压电衬底的一侧形成金属膜层，金属膜层包括第一金属区和第二金属区；去除第一金属区；去除部分第一补偿区形成第三补偿区；去除第二金属区；对第三补偿区和第二补偿区进行处理。本发明实施例提供的制作方法可以减小温度补偿层在制作过程中对压电衬底的应力，提高声表面波谐振器的产能，进而提高声表面波滤波器的产能。

摘要：本发明涉及芯片封装技术领域，具体公开了一种芯片封装结构及封装方法，该芯片封装结构包括承载板、芯片、隔离层和封装层，其中，芯片设于承载板；芯片包括凸点，凸点位于芯片朝向承载板的一侧，以使芯片和承载板之间具有间隙；隔离层的防护部围设于承载板和芯片之间的间隙外周，防护部的一端和芯片的外周密封连接，另一端和承载板密封连接；防护部、芯片和承载板之间形成密封空腔。封装层将芯片封装于承载板，且位于隔离层远离芯片的一侧。该芯片封装结构通过在芯片和承载板之间的缝隙处设置隔离层，然后在隔离层外设置封装层。隔离层的设置使得封装处理时可以通过注塑工艺完成，具有低成本及可靠性高的优点。

摘要：本发明公开一种低噪声放大器及基站射频前端，该低噪声放大器包括TTD控制电路、电流控制电路、输入匹配电路、输出匹配电路、第一级晶体管、第二级晶体管、反馈电路以及谐波抑制电路。本发明能同时满足时分复用和频分复用工作的需求，以及宽广的频段范围，覆盖2G、3G、4G以及5G应用，可降低基站射频前端的设计难度和成本；同时，通过谐波抑制电路和电流控制电路使该低噪声放大器拥有极高的线性度，改善了基站射频前端的邻近通道干扰；采用pHEMT工艺和两级放大使该低噪声放大器拥有极低噪声系数和较高的增益，提高了基站射频前端系统的接收灵敏度。

摘要：本发明实施例公开了一种声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器，声表面波谐振器包括：压电层、介质层和电极层；介质层位于压电层上；电极层位于介质层远离压电层的一侧，电极层包括叉指换能器；声表面波谐振器的带宽随介质层的厚度增大而减小。本发明实施例的技术方案通过改进声表面波谐振器的结构实现其带宽的可调性，进而可以实现声表面波滤波器的带宽可调性，同时还可以实现声表面波滤波器的小型化，降低成本。