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发明专利:117实用新型: 53外观设计: 0
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申请号:201820544322.6 公开号:CN208158113U 主分类号:H02H9/02(2006.01)I
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2018.04.17 公开日:2018.11.27
发明人:刘文永
摘要:本实用新型实施例公开了一种ESD保护电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块。其中,ESD保护电路包括:动态监测电路和电流泄放通路;动态监测电路包括至少一个串联连接正向钳位二极管、电阻和反向钳位二极管;至少一个正向钳位二极管中的第一个正向钳位二极管的正极与电压输入端电连接,至少一个正向钳位二极管中的最后一个正向钳位二极管的负极与电阻的第一端电连接,并与电流泄放通路的控制端电连接;电阻的第二端与地端电连接;反向钳位二极管的负极与电阻的第一端电连接,正极与电阻的第二端电连接。本实用新型实施例提供的技术方案,可解决现有GaAs PHEMT工艺的芯片易受ESD影响的问题。
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申请号:201820545750.0 公开号:CN208156542U 主分类号:G05F1/577(2006.01)I
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2018.04.17 公开日:2018.11.27
发明人:刘文永
摘要:本实用新型实施例公开了一种偏置电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块。其中,偏置电路包括:L级偏置单元;第i级偏置单元的输出端与第i‑1级偏置单元的输入端电连接;第L级偏置单元的输入端与电源电压输出端电连接;第1级偏置单元的输出端与偏置电路的输出端电连接;每级偏置单元包括串联连接的分压电阻和至少一个N型晶体管;每个N型晶体管的栅极与漏极电连接;任意一级偏置单元的输出电压与输入电压成1/2次幂的关系,L级偏置单元的设置,能够降低电源电压对偏置电路输出电压的影响。本实用新型实施例提供的技术方案,可解决现有GaAs PHEMT工艺的偏置电路输出的偏置电压易受电源电压影响的问题。
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申请号:201820905915.0 公开号:CN208369547U 主分类号:H03K5/153(2006.01)I
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2018.06.12 公开日:2019.01.11
发明人:朱诗宁
摘要:本实用新型实施例公开了数据信号检测装置、MIPI RFFE从设备及系统,数据信号检测装置包括:两个采集电路以及选择输出电路;第一采集电路的第一输入端与第二采集电路的第二输入端相连,第一采集电路的第二输入端与第二采集电路的第一输入端相连;两个采集电路的输出端与选择输出电路的输入端相连;采集电路,使用第一输入端接收信号对第二输入端接收信号进行采集,验证采集信号是否符合数据信号特点;选择输出电路,在接收的采集信号及无效信号中选择输出采集信号。通过数据信号检测装置构造的MIPI RFFE的从设备充分考虑到了各种异常情况,可以有效解决MIPI RFFE系统中两个相同MIPI RFFE从设备的总线冲突问题。
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4:[实用新型] 一种射频开关芯片
申请号:201821166207.6 公开号:CN208521928U 主分类号:H01L23/58(2006.01)I
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2018.07.23 公开日:2019.02.19
发明人:周正
摘要:本实用新型公开了一种射频开关芯片。该射频开关芯片包括:低通滤波器,低通滤波器包括至少一个第一滤波元件、至少两个第二滤波元件和部分键合线,至少部分第一基板上,至少部分第二滤波元件集成在开关管芯上;其中,第二滤波元件通过键合线与第一滤波元件电连接,低通滤波器内的键合线在基板上的垂直投影位于第一滤波元件上,且与部分第一滤波元件之间存在互感。本实用新型解决了现有的射频开关芯片的体积大的问题,巧妙地利用键合线和基板上第一滤波元件之间的互感,使各滤波元件更容易集成,设计结构紧凑,体积小,从而提高了移植性性能,适应范围更广,成本更低。
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申请号:201821904340.7 公开号:CN208904994U 主分类号:H04B1/40
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2018.11.19 公开日:2019.05.24
发明人:汪伟江
摘要:本实用新型公开一种射频前端端口复用电路,包括射频端口和控制端口;所述控制端口的一端与控制信号输入端连接,另一端与射频端口、射频前端设备的被复用端口连接,所述被复用端口与射频前端设备的内部电路连接。本实用新型将射频前端设备的一个端口复用为一个射频端口和一个控制端口,实现了同一个端口两个应用,使射频前端设备的原有端口在作为正常射频通路的前提下还可以充当控制端口使用,采用本实用新型可以同时对射频前端设备的多个端口进行复用,有效解决了随着射频前端设备面积越来越小,功能越来越复杂,端口数量不够的问题。
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申请号:201821904727.2 公开号:CN209086910U 主分类号:G06F13/38
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2018.11.19 公开日:2019.07.09
发明人:汪伟江
摘要:本实用新型公开一种基于片外电压的芯片控制字产生电路,包括芯片内部电路和芯片外部电路;芯片内部电路包括模数转换电路和逻辑控制模块;芯片外部电路包括片外模拟电压产生电路;模数转换电路的一端连接逻辑控制模块,另一端通过芯片的输入输出端口连接片外模拟电压产生电路。本实用新型通过改变片外模拟电压产生电路的电路参数输出不同的电压信号给模数转换电路,模数转换电路根据不同的电压信号产生不同的控制字,可以解决同时使用多个相同芯片时,主机无法对这些相同芯片进行识别的问题;也可以实现芯片的功能扩展。
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申请号:201822124026.3 公开号:CN209169127U 主分类号:H01L23/31
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2018.12.18 公开日:2019.07.26
发明人:阚旭友
摘要:本实用新型实施例提供了一种电子器件和电子装置,该电子器件的电路基板具有电路连接面,该电路连接面具有工作区和围绕工作区的边缘区;在电路基板的电路连接面的工作区设置有至少一个功能模块,同时在电路基板的电路连接面的边缘区设置有边缘凸起结构,并在功能模块和至少部分边缘凸起结构上覆盖封装结构。本实用新型实施例通过在电路基板的电路连接面的边缘区设置有边缘凸起结构,减小边缘区与工作区之间的高度差,从而缓解边缘区覆盖封装结构的滑塌现象,改善电子器件的外观,提高电子器件可靠性。
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申请号:202120327983.5 公开号:CN215120792U 主分类号:H04B1/44
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2021.02.04 公开日:2021.12.10
摘要:本实用新型公开了应用于N77与N79频段的射频前端模组,涉及射频前端技术领域。本实用新型包括射频开关,用于控制射频前端模组从天线接收或发射信号;集成无源器件滤波器(IPD),作为片上射频滤波器,用于射频接收前端进行频带选择,对所需频带以外的信号进行抑制或阻断。本实用新型通过N77与N79频段的射频前端模组既可以工作于接收(RX)模式,也可以工作于发射(TX)模式,当工作于RX模式时,集成在片内的IPD滤波器进行频带选择,再经过低噪声放大器对射频信号放大,该射频前端模组集成度高,同时具有选择工作频带以及低噪声放大的能力,减少射频前端占用面积和体积,适用范围广,安全可靠。
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申请号:202120328921.6 公开号:CN215120736U 主分类号:H03F1/26
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2021.02.04 公开日:2021.12.10
摘要:本实用新型公开了增益可调的低噪声放大器,涉及射频技术领域。本实用新型包括:射频信号输入端、射频信号输出端、共源极单元、共栅极单元、输出匹配电容单元、多个增益调节单元,射频信号输入端包括:多个射频的信号输入端口,不同的信号输入端口可以设计不同的输入匹配网络以适应不同频带的需求,通过开关进行端口选择,该输入匹配网络可以在片内或片外实现。本实用新型通过设置多个射频信号输入端口,多个增益可调的低噪声放大器配合使用,可以覆盖更宽的信号频带,实现开关型多输入射频组合的增益可调,每个增益可调的射频包含从正增益到负增益的增益变化范围,而且增益相位连续,具有良好的输入输出匹配性能和电流使用效率,结构紧凑,实用可靠。
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10:[实用新型] FIR滤波器
申请号:202120418798.7 公开号:CN215186669U 主分类号:H03H17/00
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2021.02.25 公开日:2021.12.14
发明人:蒋朱成
摘要:本实用新型公开了FIR滤波器,涉及数字信号处理技术领域。本实用新型包括滤波器主体,滤波器主体的两侧均焊接连接有辅助配装板,滤波器主体的外侧滑动连接有滑动配装保护壳,滑动配装保护壳的顶端固定连接有弹性支撑保护结构,弹性支撑保护结构包括配装受力架、辅助搭载块、第一弹簧、分导受力杆、受力支撑板结构、主受力导杆、滑动卸力板、二次分力导杆、滑导卸力杆、配导位移块、搭载支撑梁和第二弹簧。本实用新型通过便装形式的外部保护受力支撑结构的设计,使得装置便于将外部的物理受力通过自身的弹性缓冲及接触隔离完成良好的保护效果,从而达到整体的物理受力保护的目的。
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