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发明专利:117实用新型: 55外观设计: 0
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11:[实用新型] 低噪声放大器
申请号:201720380930.3 公开号:CN206878784U 主分类号:H03F1/52(2006.01)I
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2017.04.12 公开日:2018.01.12
发明人:刘文永
摘要:本实用新型公开了一种低噪声放大器,属于射频前端技术领域。该低噪声放大器包括输入匹配电路、大功率信号释放电路、第一晶体管、反馈电路;输入匹配电路与第一晶体管连接;第一晶体管连接有大功率信号释放电路和偏置电路;第一晶体管与反馈电路连接;负载电路与第一晶体管连接,大功率信号释放电路由两个二极管组合构成,每个二极管组合包括若干个串联的二极管,第一二极管组合和第二二极管组合并联;解决了相关技术中当射频前端接收到大功率信号时,大功率信号可能损坏低噪声放大器中第一晶体管的问题;达到了令低噪声放大器能够承受大功率信号,保证低噪声放大器不容易被损坏,延长了低噪声放大器的使用时间的效果。
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12:[实用新型] 一种低噪声放大器
申请号:201721356345.6 公开号:CN207706134U 主分类号:H03F3/193(2006.01)I
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2017.10.20 公开日:2018.08.07
发明人:刘文永
摘要:本实用新型实施例公开了一种低噪声放大器。其中,低噪声放大器包括多个增益级电路,数量大于或等于待放大的射频信号的数量,用于在被启用时,对射频信号进行独立放大;多个放大选择开关电路,每个所述放大选择开关电路与一增益级电路连接,用于根据射频信号选择增益级电路,选择启用的增益级电路;多个驱动电路,每个所述驱动电路与一增益级电路连接,用于在增益级电路被启用时,接收至少一个经增益级电路放大后的射频信号,并且将放大后的射频信号输出;至少一个负载电路,驱动电路的连接,用于根据驱动电路输出的放大后的射频信号,输出至少一个射
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申请号:202120418806.8 公开号:CN215120796U 主分类号:H04B5/02
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2021.02.25 公开日:2021.12.10
发明人:蒋朱成
摘要:本实用新型公开了基于去除频偏系统的蓝牙接收机放置盒,涉及蓝牙设备技术领域。本实用新型包括接收机固定壳、保护盖和接收机主体,接收机主体位于接收机固定壳的内侧,保护盖位于接收机固定壳的顶部,接收机固定壳的内侧且位于接收机主体的顶部固定有接收机固定架,接收机固定架的两端均固定有支撑壳,支撑壳的内部开设有连接槽,接收机固定壳的内侧且与连接槽相对应的位置固定有固定卡柱。本实用新型通过固定卡板与第三复位弹簧以及固定卡柱与支撑块的配合,使得装置在使用时能够对接收机固定的更加紧固,且通过第一复位弹簧与连接卡块以及挤压板与顶块的配合,使得装置在使用时能够便于进行安装和拆卸。
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申请号:202120716638.0 公开号:CN215452904U 主分类号:H03H9/145
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2021.04.08 公开日:2022.01.07
摘要:本实用新型实施例提供一种声表面波谐振器和射频滤波器,声表面波谐振器包括:衬底;位于衬底上的压电层;电极层,电极层位于压电层远离衬底的一侧;电极层包括多个叉指式换能器,叉指式换能器包括:第一汇流条和交替排布连接至第一汇流条的第一电极指和第一虚设电极指;第二汇流条和交替排布连接至第二汇流条的第二电极指和第二虚设电极指;第一电极指和第二虚设电极指相对设置,第二电极指和第一虚设电极指相对设置。本实用新型实施例提供的声表面波谐振器和射频滤波器,无需更换衬底和压电层,也无需增加额外的结构单元,就能实现带宽选择的灵活性,进一步提高了产品的设计自由度。
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申请号:202120721106.6 公开号:CN214799435U 主分类号:H03H9/145
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2021.04.08 公开日:2021.11.19
摘要:本实用新型实施例提供一种声表面波谐振器和射频滤波器,该声表面波谐振器包括:衬底;位于衬底上的压电层;电极层位于压电层远离衬底的一侧;电极层包括叉指式换能器,叉指式换能器包括:第一汇流条和交替排布连接至第一汇流条的第一电极指和第一虚设电极指;第二汇流条和交替排布连接至第二汇流条的第二电极指和第二虚设电极指;第一电极指和第二虚设电极指相对设置,第一电极指和第二虚设电极之间具有第一间隙,第二电极指和第一虚设电极指相对设置,第二电极指和第一虚设电极之间具有第二间隙;各第一间隙沿第一方向排布,各第二间隙沿第一方向排布。本实用新型实施例提供的声表面波谐振器和射频滤波器,可以使横向模式波纹得到有效的抑制。
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申请号:202120721118.9 公开号:CN214799436U 主分类号:H03H9/145
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2021.04.08 公开日:2021.11.19
摘要:本实用新型实施例提供一种声表面波谐振器和射频滤波器,该声表面波谐振器包括:衬底;位于衬底上的压电层;电极层,电极层位于压电层远离衬底的一侧;电极层包括叉指式换能器,叉指式换能器包括:第一汇流条和交替排布连接至第一汇流条的第一电极指和第一虚设电极指;第二汇流条和交替排布连接至第二汇流条的第二电极指和第二虚设电极指;第一电极指和第二虚设电极指相对设置,第一电极指和第二虚设电极之间具有第一间隙,第二电极指和第一虚设电极指相对设置,第二电极指和第一虚设电极之间具有第二间隙。本实用新型实施例提供的声表面波谐振器和射频滤波器,可以使横向模式波纹得到有效的抑制。
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申请号:202120844187.9 公开号:CN214799445U 主分类号:H03K17/12
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2021.04.22 公开日:2021.11.19
发明人:叶鹏;郭嘉炜
摘要:本实用新型公开了一种射频开关以及射频装置。该射频开关包括输入接口、第一输出接口、第二输出接口、谐振网络、第一开关以及第二开关;输入接口通过谐振网络与第一输出接口连接;第一输出接口通过第一开关接地;输入接口通过第二开关与第二输出接口连接;若第一开关为闭合状态,且第二开关为闭合状态,则输入接口与第二输出接口导通;若第一开关为断开状态,且第二开关为断开状态,则输入接口与第一输出接口导通。本实用新型提供的技术方案的谐振网络可以起承载电压的作用,因此射频开关不需要堆叠太多级数,传输功率较高,解决现有的射频开关存在传输功率较低,难以满足市场对射频开关的较高传输功率能力要求的问题。
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申请号:202120982603.1 公开号:CN214756278U 主分类号:H03H9/64
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2021.05.08 公开日:2021.11.16
发明人:姚远
摘要:本实用新型公开了一种多阶横模抑制的声表面波换能器,声表面波换能器包括从下到上依次设置的晶圆基底、叉指金属层和温补层;还包括负载层,负载层采用如下结构之一或组合;结构一:负载层设置于温补层上或温补层中,负载层不与叉指金属层接触,负载层覆盖叉指金属层中的全部或部分指条端头;结构二:负载层在晶圆基底内,负载层位于叉指金属层的指条端头位置对应处,负载层为导电材料;结构三:负载层位于叉指金属层和温补层之间,负载层覆盖叉指金属层中的全部或部分指条端头,负载层采用非金属材料制成。对指条端头区域进行处理阻断横向模,提高电性能指标和品质Q值;结构一负载层通过温补层与叉指金属层隔离,不与叉指金属层相连短路。
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申请号:202121759131.X 公开号:CN215452926U 主分类号:H04B1/10
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2021.07.30 公开日:2022.01.07
摘要:本实用新型公开一种低噪声放大器及基站射频前端,该低噪声放大器包括TTD控制电路、电流控制电路、输入匹配电路、输出匹配电路、第一级晶体管、第二级晶体管、反馈电路以及谐波抑制电路。本实用新型能同时满足时分复用和频分复用工作的需求,以及宽广的频段范围,覆盖2G、3G、4G以及5G应用,可降低基站射频前端的设计难度和成本;同时,通过谐波抑制电路和电流控制电路使该低噪声放大器拥有极高的线性度,改善了基站射频前端的邻近通道干扰;采用pHEMT工艺和两级放大使该低噪声放大器拥有极低噪声系数和较高的增益,提高了基站射频前端系统的接收灵敏度。
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20:[实用新型] 一种声表面波谐振器
申请号:202121878161.2 公开号:CN215452905U 主分类号:H03H9/25
申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司 申请日:2021.08.11 公开日:2022.01.07
摘要:本发明提供一种声表面波谐振器,该声表面波谐振器包括:压电层;第一金属膜层,第一金属膜层位于压电层的一侧,其中,第一金属膜层包括叉指式换能器和信号传输器,信号传输器与叉指式换能器连接;第一温度补偿膜层,第一温度补偿膜层位于叉指式换能器的远离压电层的一侧,第一温度补偿膜层覆盖叉指式换能器,且第一温度补偿膜层不覆盖信号传输器;阻挡层,阻挡层位于第一温度补偿膜层远离压电层的一侧,阻挡层覆盖第一温度补偿膜层,且阻挡层不覆盖信号传输器。本发明实施例提供的声表面波谐振器能够实现声表面波滤波器的零温度系数,从而使声表面波滤波器的在全温范围下稳定工作。
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