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发明专利:9实用新型: 5外观设计: 1
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申请号:201610277930.0 公开号:CN105728202A 主分类号:B03D1/14(2006.01)I
申请人:赵敏捷 申请日:2016.04.28 公开日:2016.07.06
摘要:本发明提供了一种磁力浮选机,包括浮选槽、底座、进气管、气泵、搅拌模块、转速控制模块、温度控制模块;所述浮选槽设置于底座的上部,其内侧设置有进气管,所述进气管通过导气软管与气泵连接;所述搅拌模块包括放置于浮选槽的底部的磁力转子和设置于底座中的搅拌机构,所述搅拌机构包括电机,与电机的机轴连接的内磁转子;所述转速控制模块和温度控制模块均设置于底座中。本发明中的磁力浮选机增大了浮选的刮泡面积,同时提高了矿浆液面的稳定性,有利于选矿试验工作者更好地进行纯矿物浮选实验研究,更好地降低实验误差。
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申请号:201911079755.4 公开号:CN110739875A 主分类号:H02M7/483
申请人:北京交通大学 申请日:2019.11.07 公开日:2020.01.31
摘要:本发明公开了一种消除MMC(modularmultilevelconverter,模块化多电平换流器)共模电压的六段式最近电平逼近调制方法,包括:将一个工频周期等分为满足预设条件的第一至第六控制区域;在任一相的控制区域内,获取其他两相上桥臂和下桥臂投入的目标子模块数;根据其他两相上桥臂投入的目标子模块数得到任一相上桥臂投入的目标子模块数,并根据其他两相下桥臂投入的目标子模块数得到任一相下桥臂投入的目标子模块数,以抑制MMC共模电压。该方法能消除共模电压,有效降低系统漏电流和共模噪声,有效解决了现有MMC中存在着高频共模电压能通过杂散电容产生漏电流、共模干扰,危害电机轴承、通信系统等的技术问题。
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申请号:202010803466.0 公开号:CN111894595A 主分类号:E21D1/00
申请人:昆明理工大学 申请日:2020.08.11 公开日:2020.11.06
摘要:本发明涉及了一种立井侧壁围岩岩爆卸压防治方法,属于地下矿山开采领域。圈定立井围岩高应力区域作为钻孔卸压解危区域;在解危区域自上而下串联布置大直径卸压钻孔。在立井围岩体应力集中岩爆危险区使用潜孔钻机超前施工大直径卸压钻孔,钻孔深度贯通应力增高带,卸压钻孔周围的岩体形成一个软化带,使卸压钻孔周围一定应力区域岩体的应力集中程度下降或者高应力转移到围岩体的深处,实现对局部岩体进行解危的目的。本发明采用潜孔钻机钻凿的卸压钻孔直径和孔深大、保护区范围大,同时阻隔水平应力和垂直应力的传递,具有工艺简单、工程量小,卸压效果好等优点。适用于地下矿山、地下工程深部高应力立井围岩中等~弱岩爆的防治。
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申请号:202010803975.3 公开号:CN111810156A 主分类号:E21C41/22
申请人:昆明理工大学 申请日:2020.08.11 公开日:2020.10.23
摘要:本发明涉及了一种改进的分段矿房采矿方法,属于地下矿山开采领域。本发明每个矿块设有矿房和矿柱,矿房垂直矿体走向布置,矿房采用小跨度、高分段布置,采用设装矿巷道和出矿巷道的采场底部出矿结构,铲运机在装矿巷道中出矿。本发明通过控制矿房跨度,解决了传统分段矿房法用于厚矿体、矿房沿走向布置跨度大,采场稳定性差难题,采矿强度高,可实现多分段同时回采;简化了底部结构,便于发挥铲运机出矿效率,提高了劳动生产率。适用于非煤矿山倾斜、急倾斜中等稳固以上、厚度大于20米矿体的开采。
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申请号:202011101993.3 公开号:CN112434400A 主分类号:G06F30/20
申请人:北京交通大学;泰科天润半导体科技(北京)有限公司 申请日:2020.10.15 公开日:2021.03.02
摘要:本发明提供一种MOSFET栅源电压干扰传导路径模型,包括描述脉冲电压和脉冲电流干扰传导过程的双回路传递函数、描述干扰传导路径的标准二阶系统的特征方程。该模型用于揭示高频大功率变换器,MOSFET高速开通和关断时出现的栅源电压干扰机理,所述干扰传导路径模型,可以综合考虑脉冲电压和脉冲电流对MOSFET栅源电压干扰的影响,用于直观、迅速地判断功率变流系统中MOSFET驱动参数、MOSFET封装结构,以及PCB布局设计的合理性。
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申请号:202011101998.6 公开号:CN112446131A 主分类号:G06F30/20
申请人:北京交通大学;泰科天润半导体科技(北京)有限公司 申请日:2020.10.15 公开日:2021.03.05
摘要:本发明提供一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法,用于提升SiC基电力电子变换器的设计可靠性。该参数设计方法包括:构造干扰路径传递函数的特征多项式;根据特征多项式构造标准二阶系统;取SiC MOSFET的输入电容Ciss和栅极内电阻Rg为基准值进行参数标幺化;验证杂散电感是否足够小,以保证标准二阶系统具有足够的阻尼比;设计辅助并联电容标幺值,使得标准二阶系统在具备充足的阻尼比前提下,获得适度的、持续时间较短的过渡过程,确保辅助并联电容不会过度影响开关速度;设计驱动电阻标幺值,均衡抑制栅源电压的干扰尖峰和干扰振荡,并防止因为驱动回路截止频率过低导致栅源电压变化过缓增大开关损耗。
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申请号:202011102502.7 公开号:CN112434401A 主分类号:G06F30/20
申请人:北京交通大学;泰科天润半导体科技(北京)有限公司 申请日:2020.10.15 公开日:2021.03.02
摘要:本发明提供一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的数学模型,将受到干扰的栅源电压划分为干扰动态分量以及稳态分量;根据干扰动态分量以及稳态分量建立栅源电压的动态响应模型,用于预测高频大功率变换器中,MOSFET栅源电压的干扰尖峰和振荡,具备简洁的数学表征和直观的物理意义。
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申请号:202110955314.7 公开号:CN113890405A 主分类号:H02M7/527
申请人:北京交通大学 申请日:2021.08.19 公开日:2022.01.04
摘要:本申请提出了一种消除MMC共模电压的脉冲顺接载波移相正弦脉宽调制方法,涉及电力电子技术领域,其中,该方法包括:步骤S1:将调制波与载波进行比较,得到脉冲信号;步骤S2:捕获脉冲信号的脉冲下降沿;步骤S3:对子模块进行分组,并通过已捕获的脉冲下降沿产生开关管的驱动脉冲。采用上述方案的本申请能够消除MMC系统共模电压,有效降低了系统漏电流和共模噪声,有效解决了现有MMC中存在着的高频共模电压通过杂散电容产生漏电流、共模干扰,危害电机轴承、通信系统等的技术问题。
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