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发明专利:1192实用新型: 756外观设计: 28
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申请号:02806878.5 公开号:CN1498387 主分类号:G06K9/00
申请人:国际商业机器公司 申请日:2002.03.22 公开日:2004.05.19
摘要:一种用于确定数据序列中的模式的系统和方法(图1)建立一个相容性矩阵(100),该矩阵提供一个项目的实际出现和该数据序列的每个项目中该项目或者其它模式的观测出现之间的概率。生成候选模式(201)。这些候选模式包含该数据序列中的项目。对照该数据序列检验这些候选模式以便根据该相容性矩阵确定匹配值(203),并且根据带有超过某阈值的匹配值的各候选模式确定各有效匹配。
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申请号:201310630206.8 公开号:CN103646919A 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
申请人:上海华力微电子有限公司 申请日:2013.11.29 公开日:2014.03.19
发明人:吴敏;杨渝书;王一
摘要:本发明公开了一种双大马士革结构的制造方法,其包括半导体结构上形成沟槽;形成沟槽两侧的通孔;以金属掩膜层为掩膜,刻蚀沟槽下的部分低介电常数层,形成圆弧型或斜边型斜面,并打开通孔,形成双大马士革结构;以含有CF4的气体并以高偏置功率对具有圆弧型或斜边型斜面的低介电常数层进行刻蚀,形成Z字型斜面。本发明通过预处理形成具有小尺寸斜面的低介电常数层边缘,随后进一步刻蚀以增大斜面尺寸,最终得到大尺寸斜面,本发明提高了双大马士革结构后续沉积能力,并提高了半导体元器件的可靠性性能。
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申请号:201310631357.5 公开号:CN103646921A 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
申请人:上海华力微电子有限公司 申请日:2013.11.29 公开日:2014.03.19
发明人:吴敏;杨渝书;王一
摘要:本发明公开了一种双大马士革结构的制造方法,其包括半导体结构上形成沟槽;形成沟槽两侧的通孔;刻蚀沟槽下低介电常数层的边缘,形成小尺寸斜面;刻蚀沟槽下的部分低介电常数层,并打开通孔,形成双大马士革结构,且使斜面尺寸变大。本发明通过预处理形成具有小尺寸斜面的低介电常数层边缘,随后进一步刻蚀以增大斜面尺寸,最终得到大尺寸斜面,本发明提高了双大马士革结构后续物理气相沉积(PVD)金属阻挡层(TaN、Ta)和铜籽晶层的沉积能力,并提高了半导体元器件的可靠性性能。
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申请号:201510418804.8 公开号:CN105056475A 主分类号:
申请人:南京空山新雨环保科技有限公司 申请日:2015.07.17 公开日:2015.11.18
发明人:王海渝;郭瑞;杨毅
摘要:本发明公开了一种具有体感游戏功能的健身车,设有健身车体,健身车体包括常见部件,健身车体上还设有发电机、电路调节模块、体感游戏机盒,电路调节模块设置在车架上,且其输入端与发电机的电能输出端相连接,电路调节模块的输出端与体感游戏机顶盒相连接,体感游戏机盒固定在车前杠的顶部,健身车体采用自发电制阻机构,通过在控制器控制下增减发电机的电磁阻力来调节运动阻力或者采用电磁控制阻机构,通过连接永磁铁的螺母套在制动电机的螺杆轴上,制动电机转动时,带动永磁铁的螺母套靠近飞轮,调节运动阻力。本发明使人们在健身车运动的同时还能体验高品质的游戏场景和高质量的内置运动模式训练,会驱动着人们更加喜爱健身车,具有良好的应用前景。
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申请号:201811103059.8 公开号:CN109194161A 主分类号:H02M7/217(2006.01)I
申请人:重庆镭云光电科技有限公司 申请日:2018.09.20 公开日:2019.01.11
发明人:王羽;蒙渝梅;杨波
摘要:本发明提供的一种双稳压式插座直流电源,包括:变压输入电路,其正输入端与插座的火线连接,负输入端与插座的零线连接,输出端与整流电路ZL的输入端连接;整流电路ZL,用于将变压输入电路输出的交流信号转换成直流信号并输出;保护控制电路,其输入端与整流电路ZL的输出端连接,其输出端与第一稳压电路的输入端连接,用于在整流电路ZL输出的直流电压过高时断开第一稳压电路的输入回路;第一稳压电路,用于对将整流电路ZL输出的直流电进行整流并输出端稳定的直流电Vo;第二稳压电路,用于将第一稳压电路输出的直流电Vo进行稳压处理并输出目标电压;能够在交流转直流过程中形成双稳压过程,能够向用电设备提供稳点的直流电。
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申请号:201811103565.7 公开号:CN109120163A 主分类号:H02M7/217(2006.01)I
申请人:重庆镭云光电科技有限公司 申请日:2018.09.20 公开日:2019.01.01
发明人:王羽;蒙渝梅;杨波
摘要:本发明提供的一种安全型双稳压式插座直流电源,包括:变压输入电路,其正输入端与插座的火线连接,负输入端与插座的零线连接,输出端与整流电路ZL的输入端连接;整流电路ZL,用于将变压输入电路输出的交流信号转换成直流信号并输出;保护控制电路,其输入端与整流电路ZL的输出端连接,其输出端与第一稳压电路的输入端连接,用于在整流电路ZL输出的直流电压过高时断开第一稳压电路的输入回路;变压器T1的初级线圈的一端通过开关S1与插座的火线连接,变压器T1的初级线圈的另一端与插座的零线连接,变压器T1的次级线圈与整流电路ZL的输入端连接,所述二次侧保护电路与变压器T1的次级线圈并联;能够在交流转直流过程中形成双稳压过程,能够向用电设备提供稳点的直流电。
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申请号:202111566685.2 公开号:CN116364544A 主分类号:H01L21/311
申请人:上海集成电路研发中心有限公司 申请日:2021.12.20 公开日:2023.06.30
发明人:王伯文;杨渝书
摘要:本发明提供了一种半导体图形形成工艺,包括步骤:S0:提供一种由下而上为氧化硅层、氮化硅层、碳涂层和硅抗反射层的半导体结构;S1:以相同的图形依次刻蚀所述硅抗反射层、所述碳涂层和所述氮化硅层直至暴露所述氧化硅层以形成氮化硅图形;S2:在所述氮化硅图形的间隙填充氧化硅;S3:去除所述氮化硅图形以形成氧化硅图形,本发明通过填充氧化硅和去除所述氮化硅图形以形成氧化硅图形以作为大、小岛,现有技术中被离子注入过的多晶硅留下形成的大、小岛易出现顶部圆角化的图形,本发明能够防止大、小岛顶部出现圆角化的问题。
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8:[发明] 图形化方法
申请号:202211159696.3 公开号:CN116403896A 主分类号:H01L21/308
申请人:上海集成电路研发中心有限公司 申请日:2022.09.22 公开日:2023.07.07
发明人:王伯文;杨渝书
摘要:本发明提供了一种图形化方法,包括:提供一衬底;形成第一芯轴图形;形成第一侧墙,第一侧墙两侧的第一隔离层具有高度差;形成填充第一侧墙的间隙的第三隔离层,并形成第三芯轴隔离图形;形成第二芯轴图形;形成第二侧墙,第二侧墙两侧的第二隔离层具有高度差;以及,形成填充第二侧墙之间间隙的第四隔离层,并去除第二侧墙以形成的第四芯轴隔离图形,以第四芯轴隔离图形作为掩模图形。本发明中,利用第三隔离层填充第一侧墙两侧以此消除第一隔离层的高度差,利用第四隔离层填充第二侧墙两侧以此消除第二隔离层的高度差,以便于形成形貌较佳的掩模图形,降低图形化时的工艺调试难度。
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申请号:202211159707.8 公开号:CN116403897A 主分类号:H01L21/308
申请人:上海集成电路研发中心有限公司 申请日:2022.09.22 公开日:2023.07.07
发明人:王伯文;杨渝书
摘要:本发明提供的图形化方法及鳍结构的形成方法,图形化方法包括:提供衬底,衬底由下至上依次形成有阻挡层及芯轴图形;形成第一侧墙材料层;执行离子注入工艺;执行刻蚀工艺以形成第一侧墙,其中,经过离子注入的第一侧墙材料层的刻蚀速率大于未经离子注入的第一侧墙材料层的刻蚀速率;去除芯轴图形;形成第二侧墙材料层;执行离子注入工艺;执行刻蚀工艺以形成第二侧墙;去除第一侧墙。本发明通过在对阻挡层及芯轴图形的顶壁上的第一侧墙材料层及第二侧墙材料层进行离子注入以提高经过离子注入部分相对于未经离子注入部分的刻蚀速率,有利于消除第一侧墙两侧的阻挡层以及第二侧墙两侧的阻挡层的厚度差,从而形成形貌较佳的掩模图形。
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申请号:202211741205.6 公开号:CN116231367A 主分类号:H01R13/502
申请人:国家电网有限公司;国网重庆市电力公司北碚供电分公司 申请日:2022.12.30 公开日:2023.06.06
发明人:王渝;杨芮彤;徐溦
摘要:本发明公开了一种具有散热功能的网络交换机,包括交换机本体,所述交换机本体的一侧设有多个数据端口,所述数据端口外侧且位于交换机本体上安装有多个防护壳;所述防护壳上设有与数据端口连通的开口,所述防护壳内部设有防护件,且防护件在数据端口不连接插拔接头时,对其进行防护;所述防护壳处设有导流件,且导流件用于将外界且气体导入其内部,气体通过防护壳底部设有的流出管流出,此网络交换机,通过在数据端口处设有的防护壳,该防护壳内部设有的防护件,该防护件不仅在网线接头与数据端口插入时,对网线接头进行限位的作用,有效防止接头与数据端口之间由于插入时用力较大而出现损坏的现象,进一步的起到对数据端口与网线接头进行防护的作用。
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