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发明专利:62865实用新型: 39681外观设计: 8869
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申请号:201310597648.7 公开号:CN104653463A 主分类号:
申请人:珠海格力电器股份有限公司;珠海格力电器科技有限公司 申请日:2013.11.22 公开日:2015.05.27
摘要:本发明涉及一种螺杆压缩机机体结构及螺杆压缩机。该螺杆压缩机机体结构包括壳体与腔体,所述壳体为中空筒形,所述腔体置于所述壳体的内部;所述腔体包括阳转子腔、阴转子腔与滑阀腔,分别用于放置阳转子、阴转子与滑阀;在所述阳转子腔、所述阴转子腔与所述滑阀腔的外壁上分别设置第一支撑筋、第二支撑筋与第三支撑筋,用于在所述腔体与所述壳体之间增加隔音腔。其达到提高双层壁在机体中占有比值的目的。
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申请号:201510449484.2 公开号:CN104963870A 主分类号:
申请人:珠海格力电器股份有限公司;珠海格力电器科技有限公司 申请日:2015.07.27 公开日:2015.10.07
摘要:本发明涉及一种排气轴承座、螺杆压缩机及空调机组,其中,排气轴承座包括排气腔,所述排气腔上设有排气口,所述排气腔被构造成具有多个转弯结构,排气气流在所述排气腔中能够多次改变方向,最后从所述排气口排出,所述排气口的开口朝向这样设置,即在所述排气轴承座被罩设在壳体内的情况下,使由所述排气口排出的气体具有沿所述壳体的内壁且围绕所述壳体的轴线做旋转流动的分量。本发明提供的排气轴承座能够从离心作用、均匀流场、撞击分离等多个方面,起到提高油分效率的作用。
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申请号:201510452264.5 公开号:CN104963872A 主分类号:
申请人:珠海格力电器股份有限公司;珠海格力电器科技有限公司 申请日:2015.07.27 公开日:2015.10.07
摘要:本发明涉及一种油分桶、螺杆压缩机及空调机组,其中,油分桶内设有油分滤结构,所述油分桶包括油分离腔和排气口,排气气流通过所述油分滤结构过滤后,进入所述油分离腔,最后从所述排气口排出,至少部分所述油分离腔具有双层或双层以上的周向壁,排气气流在具有双层或双层以上的周向壁的油分离腔中多次转向流动,能够均匀流场,降低噪声和振动,且排气气流多次撞击油分桶的周向内壁面,能够进一步提高油分效率。
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申请号:202310893951.5 公开号:CN117012661A 主分类号:H01L21/66
申请人:珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司 申请日:2023.07.19 公开日:2023.11.07
发明人:冯尹;张鹏
摘要:本申请提供了一种SiC晶圆退火工艺的温度监控方法、装置、设备及存储介质,属于半导体加工技术领域。该方法包括:获取晶圆监控片在退火前的表面粗糙度;将晶圆监控片置于退火工艺腔内,并在设定温度下进行退火工艺;测量晶圆监控片在退火后的表面粗糙度,得到粗糙度变化值;基于粗糙度变化值与退火温度之间的对应关系,确定退火工艺腔的实际退火温度。利用SiC晶圆高温退火后表面会有部分Si析出导致表面粗糙度变化的特性,解决SiC晶圆高温退火温度无法监控的问题,达到监控高温炉管控温性能、便于调整工艺温度的效果,且无需给监控片生长氧化层或注入离子,监控流程简单易操作。
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申请号:202310909365.5 公开号:CN116959980A 主分类号:H01L21/331
申请人:珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司 申请日:2023.07.21 公开日:2023.10.27
发明人:冯尹;张鹏
摘要:本申请提供的一种SIC IGBT的制造方法和SIC IGBT。其中,SIC IGBT的制造方法包括:提供第一导电类型的衬底,衬底具有相对的第一表面和第二表面,在衬底的第一表面形成间隔设置的凹槽;在凹槽内填充第二导电类型的半导体材料,在衬底的第一表面上外延形成第一导电类型的漂移层,漂移层覆盖第二导电类型的半导体材料,在漂移层上外延形成第二导电类型的外延层;从衬底的第二表面开始减薄衬底至露出第二导电类型的半导体材料,在露出的第二导电类型的半导体材料上通过离子注入第一导电类型的离子而形成掺杂区;在掺杂区上形成第一金属层,并在第二导电类型的外延层上形成第二金属层;其中,第一导电类型和第二导电类型不同。本申请提供的SIC IGBT的制造方法,节约了制造成本。
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申请号:202311172584.6 公开号:CN117276244A 主分类号:H01L23/538
申请人:珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司 申请日:2023.09.11 公开日:2023.12.22
摘要:本公开涉及一种芯片封装结构及电子设备,芯片封装结构包括基板、芯片模块、电极引出模块以及互连层;芯片模块与基板连接,电极引出模块通过互连层与芯片模块和基板连接;电极引出模块为平面结构,且电极引出模块沿基板的厚度方向与芯片模块位于基板的同一侧。本公开利用互连层实现电极引出模块、基板以及芯片模块之间的互连,提升了芯片封装结构连接时的可靠性,避免了相关技术中引线连接的可靠性失效问题,提升了芯片封装结构的性能;另外,电极引出模块为平面结构,并与芯片模块单侧设计,使得芯片封装结构的排布和结构更加灵活和紧凑,提高芯片封装结构与电路板的连接可靠性。
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申请号:202311184701.0 公开号:CN117031236A 主分类号:G01R31/26
申请人:珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司 申请日:2023.09.13 公开日:2023.11.10
发明人:冯尹;张鹏
摘要:本申请提供了一种功率半导体器件的测量系统、测量方法及其测量装置。测量系统包括:第一均衡电路,其中各第一支路与第一测试探针连接,第一测试探针用于接触待测量的功率半导体器件的漏极;第二均衡电路,其中各第二支路与功率半导体器件的源极第二测试探针连接,第二测试探针用于接触待测量功率半导体器件的源极;第一开关模块,分别与第一均衡电路和第二均衡电路电连接,用于使导通的第一支路的数量与待测量功率半导体器件的漏极对应的第一测试探针数量相同,第二支路的数量与待测量功率半导体器件的源极对应的第二测试探针数量相同;放大模块,用于输出功率半导体器件的放大电压。该测量系统可以提高对功率半导体器件的导通电阻测量的准确性。
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8:[发明] 定位治具
申请号:202311266429.0 公开号:CN117102621A 主分类号:B23K3/08
申请人:珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司 申请日:2023.09.27 公开日:2023.11.24
摘要:本申请涉及焊接治具技术领域,尤其涉及一种定位治具,该定位治具用于定位基板和插针,基板设置于底板上;定位治具包括:定位框,设置于底板上,用于定位底板上的基板;以及定位组件,活动设置于定位框上,定位组件上设置有用于定位插针的定位通道,定位组件与定位框保持随动,以使定位通道垂直于基板的表面,该定位治具可以针对不同拱度的底板进行插针的定位,降低开模成本。
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申请号:202311313707.3 公开号:CN117059673A 主分类号:H01L29/872
申请人:珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司 申请日:2023.10.11 公开日:2023.11.14
发明人:张鹏;冯尹
摘要:本申请提供了一种半导体结构、半导体结构的制作方法以及半导体器件,该半导体结构包括:衬底;外延层,位于衬底的表面上;第一注入区,位于外延层中,外延层与第一注入区的掺杂类型不同;第二注入区,位于第一注入区中,外延层与第二注入区的掺杂类型相同;栅极区域,位于外延层的部分表面上,且与第一注入区以及第二注入区分别接触;导电层,覆盖在栅极区域上以及外延层上。本申请解决了现有技术中SiC结势垒肖特基二极管的过流能力较差的问题。
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申请号:202311357453.5 公开号:CN117116760A 主分类号:H01L21/329
申请人:珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司 申请日:2023.10.19 公开日:2023.11.24
发明人:张鹏;冯尹
摘要:本发明提供了一种碳化硅器件的制作方法和碳化硅器件,该方法包括:步骤S1:提供衬底,并在衬底的裸露表面上形成外延层;步骤S2:在衬底和凹槽之间的部分的外延层形成掺杂部;步骤S3:在凹槽的侧壁上形成侧墙结构,并在掺杂部的裸露表面和侧墙结构的裸露表面上形成第一预备金属层;步骤S4:对第一预备金属层进行退火处理,生成欧姆接触金属部;步骤S5:在步骤S4形成的结构的第一部分裸露表面上形成氧化部,在步骤S4形成的结构的第二部分裸露表面上以及氧化部的至少部分裸露表面上形成肖特基接触金属层;步骤S6:在肖特基接触金属层远离衬底一侧的裸露表面上形成电极层。该方法解决了碳化硅器件导通压降升高的问题。
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